【技术实现步骤摘要】
本技术涉及过压保护领域，具体涉及一种基于可控硅输入的过压保护装置。
技术介绍
1、现有过压保护器如cn109672141a公开的一种高速安全的交流过压保护器，由整流桥、运算放大器、运算放大器第一检测电阻、运算放大器第二检测电阻、运放电源第一分压电阻、运放电源第二分压电阻、滤波电容、稳压管、基准第一电阻、基准第二电阻、开关管、电路板组成，采用了双整流桥结构与开关管实现过压高速关断负载供电，高压过后瞬间恢复供电。该方案能极快地切断电路中出现的瞬间高压，当高压过后，瞬间自动恢复供电。但其可靠性差，效率低，寿命短。
技术实现思路
1、本技术的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种基于可控硅输入的过压保护装置，极大地提高了过压保护装置的可靠性，提高了效率，降低了能源消耗，同时增加了使用寿命。
2、本技术采取如下技术方案实现上述目的，本技术提供一种基于可控硅输入的过压保护装置，包括可控硅全桥模块、放电模块、耐受电压模块、分压模块以及触发模块，所述放电模块连接在输入电源的火线端l与零线端n之间，所述可控硅全桥模块包括第一单向可控硅q2、第二单向可控硅q3、第三单向可控硅q5以及第四单向可控硅q6，第二单向可控硅q3的阴极与第一单向可控硅q2的阳极连接，第一单向可控硅q2的阴极与第四单向可控硅q6的阴极连接，第四单向可控硅q6的阳极与第三单向可控硅q5阴极连接，第三单向可控硅q5阴极与第二单向可控硅q3的阳极连接，第一单向可控硅q2、第二单向可控硅q3、第三单向可控硅q5以及第四单向可控
3、进一步的是，所述触发模块包括稳压二极管zd1、第一电阻r1、第三电阻r3、第八电阻r8、第十一电阻r11、第十六电阻r16、mos管q1以及三极管q4，mos管q1的栅极通过第一电阻r1与稳压二极管zd1的阳极连接，稳压二极管zd1的阴极与分压模块连接，mos管q1的栅极还通过第三电阻r3接地，mos管q1的源级接地，mos管q1的漏极通过第八电阻r8与分压模块连接，mos管q1的漏极还与三极管q4的基极连接，三极管q4的集电极通过第十一电阻r11接地，三极管q4的发射极通过第十六电阻r16与分压模块连接。
4、进一步的是，为了过滤高频干扰信号，所述触发模块还包括第二电容c2，分压模块还通过第二电容c2接地。
5、进一步的是，为了过滤低频信号，所述触发模块还包括第一有极电容ec1，分压模块还通过第一有极电容ec1接地。
6、进一步的是，为了对输入电源进行分压，所述分压模块包括第二电阻r2、第六电阻r6、第十电阻r10、以及第一二极管d1，第一二极管d1的阳极与火线端l连接，第一二极管d1的阴极通过第二电阻r2、第六电阻r6以及第十电阻r10与触发模块连接。
7、进一步的是，为了实现充电器拔掉之后的快速放电，所述放电模块包括第四电阻r4、第五电阻r5、第七电阻r7以及第九电阻r9，火线端l通过第四电阻r4以及第五电阻r5与零线端n连接，火线端l还通过第七电阻r7以及第九电阻r9与零线端n连接。
8、进一步的是，为了提高充电器的耐受电压，所述耐受电压模块包括第二有极电容ec2与第三有极电容ec3，第二有极电容ec2与第三有极电容ec3分别连接在第三单向可控硅q5的阳极与第四单向可控硅q6的阴极之间。
9、进一步的是，为了对输入电压进行滤波，该装置还包括第一电容c1，第一电容c1连接在火线端l与零线端n之间。
10、进一步的是，为了提高装置的保护能力，火线端l通过熔断器f1连接在第四单向可控硅q6的阳极与第三单向可控硅q5的阴极之间，零线端n通过热敏电阻ntc1连接在第一单向可控硅q2的阳极与第二单向可控硅q3的阴极之间。
11、进一步的是，该装置还包括第十二电阻r12、第十三电阻r13以及第十四电阻r14，第四单向可控硅q6的阴极通过第十二电阻r12、第十三电阻r13以及第十四电阻r14与pwm端或ic端或ovp端连接。
12、本技术的有益效果：
13、本技术通过多个单向可控硅构成全桥电路，通过可控硅全桥电路关断交流电压的输出，当输入达到一定的电压后，触发模块触发可控硅及时关断，通过可控硅的控制极大地提高了过压保护装置的可靠性，提高了效率，降低了能源消耗，同时增加了使用寿命。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.基于可控硅输入的过压保护装置，其特征在于，包括可控硅全桥模块、放电模块、耐受电压模块、分压模块以及触发模块，所述放电模块连接在输入电源的火线端(L)与零线端(N)之间，所述可控硅全桥模块包括第一单向可控硅(Q2)、第二单向可控硅(Q3)、第三单向可控硅(Q5)以及第四单向可控硅(Q6)，第二单向可控硅(Q3)的阴极与第一单向可控硅(Q2)的阳极连接，第一单向可控硅(Q2)的阴极与第四单向可控硅(Q6)的阴极连接，第四单向可控硅(Q6)的阳极与第三单向可控硅(Q5)阴极连接，第三单向可控硅(Q5)阴极与第二单向可控硅(Q3)的阳极连接，第一单向可控硅(Q2)、第二单向可控硅(Q3)、第三单向可控硅(Q5)以及第四单向可控硅(Q6)的控制极相互连接，所述火线端(L)连接在第四单向可控硅(Q6)的阳极与第三单向可控硅(Q5)的阴极之间，所述零线端(N)连接在第一单向可控硅(Q2)的阳极与第二单向可控硅(Q3)的阴极之间，耐受电压模块连接在第三单向可控硅(Q5)的阳极与第四单向可控硅(Q6)的阴极之间，第四单向可控硅(Q6)的阴极为电压输出端，分压模块分别与火线端(L)以及触发模块连
2.根据权利要求1所述的基于可控硅输入的过压保护装置，其特征在于，所述触发模块包括稳压二极管(ZD1)、第一电阻(R1)、第三电阻(R3)、第八电阻(R8)、第十一电阻(R11)、第十六电阻(R16)、MOS管(Q1)以及三极管(Q4)，MOS管(Q1)的栅极通过第一电阻(R1)与稳压二极管(ZD1)的阳极连接，稳压二极管(ZD1)的阴极与分压模块连接，MOS管(Q1)的栅极还通过第三电阻(R3)接地，MOS管(Q1)的源级接地，MOS管(Q1)的漏极通过第八电阻(R8)与分压模块连接，MOS管(Q1)的漏极还与三极管(Q4)的基极连接，三极管(Q4)的集电极通过第十一电阻(R11)接地，三极管(Q4)的发射极通过第十六电阻(R16)与分压模块连接。
3.根据权利要求2所述的基于可控硅输入的过压保护装置，其特征在于，所述触发模块还包括第二电容(C2)，分压模块还通过第二电容(C2)接地。
4.根据权利要求2所述的基于可控硅输入的过压保护装置，其特征在于，所述触发模块还包括第一有极电容(EC1)，分压模块还通过第一有极电容(EC1)接地。
5.根据权利要求1所述的基于可控硅输入的过压保护装置，其特征在于，所述分压模块包括第二电阻(R2)、第六电阻(R6)、第十电阻(R10)、以及第一二极管(D1)，第一二极管(D1)的阳极与火线端(L)连接，第一二极管(D1)的阴极通过第二电阻(R2)、第六电阻(R6)以及第十电阻(R10)与触发模块连接。
6.根据权利要求1所述的基于可控硅输入的过压保护装置，其特征在于，所述放电模块包括第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第七电阻(R7)以及第九电阻(R9)，火线端(L)通过第四电阻(R4)以及第五电阻(R5)与零线端(N)连接，火线端(L)还通过第七电阻(R7)以及第九电阻(R9)与零线端(N)连接。
7.根据权利要求1所述的基于可控硅输入的过压保护装置，其特征在于，所述耐受电压模块包括第二有极电容(EC2)与第三有极电容(EC3)，第二有极电容(EC2)与第三有极电容(EC3)分别连接在第三单向可控硅(Q5)的阳极与第四单向可控硅(Q6)的阴极之间。
8.根据权利要求1所述的基于可控硅输入的过压保护装置，其特征在于，该装置还包括第一电容(C1)，第一电容(C1)连接在火线端(L)与零线端(N)之间。
9.根据权利要求1所述的基于可控硅输入的过压保护装置，其特征在于，火线端(L)通过熔断器(F1)连接在第四单向可控硅(Q6)的阳极与第三单向可控硅(Q5)的阴极之间，零线端(N)通过热敏电阻(NTC1)连接在第一单向可控硅(Q2)的阳极与第二单向可控硅(Q3)的阴极之间。
10.根据权利要求1所述的基于可控硅输入的过压保护装置，其特征在于，该装置还包括第十二电阻(R12)、第十三电阻(R13)以及第十四电阻(R14)，第四单向可控硅(Q6)的阴极通过第十二电阻(R4)、第十三电阻(R4)以及第十四电阻(R4)与PWM端或IC端或OVP端连接。
...【技术特征摘要】
1.基于可控硅输入的过压保护装置，其特征在于，包括可控硅全桥模块、放电模块、耐受电压模块、分压模块以及触发模块，所述放电模块连接在输入电源的火线端(l)与零线端(n)之间，所述可控硅全桥模块包括第一单向可控硅(q2)、第二单向可控硅(q3)、第三单向可控硅(q5)以及第四单向可控硅(q6)，第二单向可控硅(q3)的阴极与第一单向可控硅(q2)的阳极连接，第一单向可控硅(q2)的阴极与第四单向可控硅(q6)的阴极连接，第四单向可控硅(q6)的阳极与第三单向可控硅(q5)阴极连接，第三单向可控硅(q5)阴极与第二单向可控硅(q3)的阳极连接，第一单向可控硅(q2)、第二单向可控硅(q3)、第三单向可控硅(q5)以及第四单向可控硅(q6)的控制极相互连接，所述火线端(l)连接在第四单向可控硅(q6)的阳极与第三单向可控硅(q5)的阴极之间，所述零线端(n)连接在第一单向可控硅(q2)的阳极与第二单向可控硅(q3)的阴极之间，耐受电压模块连接在第三单向可控硅(q5)的阳极与第四单向可控硅(q6)的阴极之间，第四单向可控硅(q6)的阴极为电压输出端，分压模块分别与火线端(l)以及触发模块连接。
2.根据权利要求1所述的基于可控硅输入的过压保护装置，其特征在于，所述触发模块包括稳压二极管(zd1)、第一电阻(r1)、第三电阻(r3)、第八电阻(r8)、第十一电阻(r11)、第十六电阻(r16)、mos管(q1)以及三极管(q4)，mos管(q1)的栅极通过第一电阻(r1)与稳压二极管(zd1)的阳极连接，稳压二极管(zd1)的阴极与分压模块连接，mos管(q1)的栅极还通过第三电阻(r3)接地，mos管(q1)的源级接地，mos管(q1)的漏极通过第八电阻(r8)与分压模块连接，mos管(q1)的漏极还与三极管(q4)的基极连接，三极管(q4)的集电极通过第十一电阻(r11)接地，三极管(q4)的发射极通过第十六电阻(r16)与分压模块连接。
3.根据权利要求2所述的基于可控硅输入的过压保护装置，其特征在于，所述触发模块还包括第二电容(c2)，分压模块还通过第二电容(c2...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘海兵，
申请(专利权)人：深圳市威斯普科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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