【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电芯片，尤其涉及一种用于冗余mzi结构网络的相位补偿方法及装置。
技术介绍
1、由于材料的不均匀性及加工工艺的制造误差等因素，冗余马赫曾德尔干涉仪mzi中的分束器并不能完全实现理论所需的分束比，这导致mzi精度降低，并且此类硬件误差的影响会随着多端口干涉仪的尺寸增大而增大。
2、目前，通过一种冗余结构的双mzi结构可以基本消除分束器的硬件误差，提高mzi的精度。
3、然而，上述冗余结构的双mzi结构在完成分束器误差消除后会引入附加的相位误差，而相位误差会对mzi网络的性能造成很大的影响，不利于大规模多端口干涉仪的实现。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种用于冗余mzi结构网络的相位补偿方法及装置，用以解决现有技术中冗余结构的双mzi结构引入附加的相位误差，导致mzi网络性能下降，不利于大规模多端口干涉仪实现的缺陷。
2、本专利技术提供一种用于冗余mzi结构网络的相位补偿方法，所述冗余mzi结构网络为多个冗余双mzi结构单元级联得到的层状结构网络，所述方法包括：
3、将冗余mzi结构网络中每个冗余双mzi结构单元由初始状态调整为第一状态；
4、获取待相位补偿冗余双mzi结构单元在不同外部移相器相位值下的输出端口的输出功率，并拟合得到所述输出功率与所述外部移相器相位值之间的关系曲线；
5、根据各所述冗余双mzi结构单元外部移相器的相位值与输出功率之间的预设对应关系，对所述关系曲线进行修正，以对所述
6、从所述冗余mzi结构网络第一层开始逐层对各所述待相位补偿冗余双mzi结构单元的外部移相器进行相位补偿。
7、根据本专利技术提供的用于冗余mzi结构网络的相位补偿方法，将冗余mzi结构网络中每个冗余双mzi结构单元由初始状态调整为第一状态的具体步骤包括：
8、调整每个冗余双mzi结构单元中的内部相移器，以将每个冗余双mzi结构单元每个mzi调整为50:50分束功能；
9、将各所述冗余双mzi结构单元调整为直通状态。
10、根据本专利技术提供的用于冗余mzi结构网络的相位补偿方法，获取待相位补偿冗余双mzi结构单元在不同外部移相器相位值下的输出端口的输出功率的具体步骤包括：
11、在0~2π范围内，对待相位补偿冗余双mzi结构单元的外部移相器的相位值进行扫描，监测在各所述相位值下所述待相位补偿冗余双mzi结构单元的输出端口的输出功率。
12、根据本专利技术提供的用于冗余mzi结构网络的相位补偿方法，各所述冗余双mzi结构单元外部移相器的相位值与输出功率之间的预设对应关系的计算步骤包括：
13、计算在不考虑任何误差的情况下每个冗余双mzi结构单元在不同外部移相器相位值下的输出向量，以得到所述输出向量对应元素值的模与外部移相器相位值的对应关系；
14、根据所述输出向量对应元素值的模与所述冗余双mzi结构单元的输出功率的预设对应关系，等效得到各所述冗余双mzi结构单元的外部移相器相位值与输出功率之间的预设对应关系。
15、根据本专利技术提供的用于冗余mzi结构网络的相位补偿方法，所述相位补偿通过补偿外部相移器上电极的电压实现。
16、根据本专利技术提供的用于冗余mzi结构网络的相位补偿方法，对所述关系曲线进行修正，以对所述待相位补偿冗余双mzi结构单元的外部移相器进行相位补偿的具体步骤包括：
17、获取所述关系曲线中所述输出功率取最大值和最小值时对应所述外部移相器的电压v1和v2；
18、获取所述关系曲线中，外部移相器相位值为π/2、3π/2、π时的输出功率值，以得到外部移相器相位值为π/2、3π/2、π时所述外部移相器的电压值的平方、、；
19、基于v1、v2、、、，计算外部相移器进行相位补偿时的电压值vx；
20、在外部相移器上的电极施加电压vx。
21、根据本专利技术提供的用于冗余mzi结构网络的相位补偿方法，所述基于v1、v2、、、，计算外部相移器进行相位补偿时的电压值vx的具体换算公式包括：
22、，对应的相位值≥对应的相位值时；
23、，对应的相位值<对应的相位值时；
24、。
25、根据本专利技术提供的用于冗余mzi结构网络的相位补偿方法，所述从所述冗余mzi结构网络第一层开始逐层对各所述待相位补偿冗余双mzi结构单元的外部移相器进行相位补偿，包括：
26、以所述冗余mzi结构网络的输入端口所在层至所述冗余mzi结构网络的输出端口所在层的顺序，逐层对所述冗余mzi结构网络中每个冗余双mzi结构单元进行相位补偿。
27、本专利技术还提供一种用于冗余mzi结构网络的相位补偿装置，所述冗余mzi结构网络为多个冗余双mzi结构单元级联得到的层状结构网络;
28、所述装置包括：
29、状态调整模块，用于将冗余mzi结构网络中每个冗余双mzi结构单元由初始状态调整为第一状态；
30、关系曲线拟合模块，用于获取待相位补偿冗余双mzi结构单元在不同外部移相器相位值下的输出端口的输出功率，并拟合得到所述输出功率与所述外部移相器相位值之间的关系曲线；
31、补偿量确定模块，用于根据各所述冗余双mzi结构单元外部移相器的相位值与输出功率之间的预设对应关系，对所述关系曲线进行修正，以对所述待相位补偿冗余双mzi结构单元的外部移相器进行相位补偿，其中，所述预设对应关系通过理论计算得到；
32、相位补偿模块，用于从所述冗余mzi结构网络第一层开始逐层对各所述待相位补偿冗余双mzi结构单元的外部移相器进行相位补偿。
33、本专利技术还提供一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现如上述任一种所述用于冗余mzi结构网络的相位补偿方法。
34、本专利技术还提供一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种所述用于冗余mzi结构网络的相位补偿方法。
35、本专利技术还提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种所述用于冗余mzi结构网络的相位补偿方法。
36、本专利技术提供的用于冗余mzi结构网络的相位补偿方法及装置，通过对外部相移器对双mzi单元引入的附加相位的补偿，解决了双mzi结构所带来的附加相位问题，提高mzi网络的性能，利于大规模的多端口干涉仪的实现。
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1.一种用于冗余MZI结构网络的相位补偿方法，所述冗余MZI结构网络为多个冗余双MZI结构单元级联得到的层状结构网络，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的用于冗余MZI结构网络的相位补偿方法，其特征在于，将冗余MZI结构网络中每个冗余双MZI结构单元由初始状态调整为第一状态的具体步骤包括：
3.根据权利要求1所述的用于冗余MZI结构网络的相位补偿方法，其特征在于，获取待相位补偿冗余双MZI结构单元在不同外部移相器相位值下的输出端口的输出功率的具体步骤包括：
4.根据权利要求1所述的用于冗余MZI结构网络的相位补偿方法，其特征在于，各所述冗余双MZI结构单元外部移相器的相位值与输出功率之间的预设对应关系的计算步骤包括：
5.根据权利要求4所述的用于冗余MZI结构网络的相位补偿方法，其特征在于，所述相位补偿通过补偿外部相移器上电极的电压实现。
6.根据权利要求5所述的用于冗余MZI结构网络的相位补偿方法，其特征在于，对所述关系曲线进行修正，以对所述待相位补偿冗余双MZI结构单元的外部移相器进行相位补偿的具体步
7.根据权利要求6所述的用于冗余MZI结构网络的相位补偿方法，其特征在于，所述基于V1、V2、、、，计算外部相移器进行相位补偿时的电压值Vx的具体换算公式包括：
8.根据权利要求1-7任一项所述的用于冗余MZI结构网络的相位补偿方法，其特征在于，所述从所述冗余MZI结构网络第一层开始逐层对各所述待相位补偿冗余双MZI结构单元的外部移相器进行相位补偿，包括：
9.一种用于冗余MZI结构网络的相位补偿装置，其特征在于，所述冗余MZI结构网络为多个冗余双MZI结构单元级联得到的层状结构网络;
10.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现如权利要求1至8任一项所述用于冗余MZI结构网络的相位补偿方法。
...【技术特征摘要】
1.一种用于冗余mzi结构网络的相位补偿方法，所述冗余mzi结构网络为多个冗余双mzi结构单元级联得到的层状结构网络，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的用于冗余mzi结构网络的相位补偿方法，其特征在于，将冗余mzi结构网络中每个冗余双mzi结构单元由初始状态调整为第一状态的具体步骤包括：
3.根据权利要求1所述的用于冗余mzi结构网络的相位补偿方法，其特征在于，获取待相位补偿冗余双mzi结构单元在不同外部移相器相位值下的输出端口的输出功率的具体步骤包括：
4.根据权利要求1所述的用于冗余mzi结构网络的相位补偿方法，其特征在于，各所述冗余双mzi结构单元外部移相器的相位值与输出功率之间的预设对应关系的计算步骤包括：
5.根据权利要求4所述的用于冗余mzi结构网络的相位补偿方法，其特征在于，所述相位补偿通过补偿外部相移器上电极的电压实现。
6.根据权利要求5所述的用于冗余mzi结构网络...
【专利技术属性】
技术研发人员：周治平，侯辉煌，
申请(专利权)人：杭州爱杰光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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