【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开内容涉及技术、方法和装置，该技术、方法和装置涉及具有垂直堆叠的具有平坦化边缘的集成电路管芯的封装架构。
技术介绍
1、当通常在诸如硅之类的半导体材料的晶圆上制造电子电路时，电子电路被称为集成电路(ic)。具有此类ic的晶圆典型地被切割成许多个体管芯。可以将管芯封装到ic封装中，ic封装包含一个或多个管芯以及诸如电阻器、电容器和电感器之类的其它电子部件。ic封装可以集成到电子系统(诸如消费者电子系统)或服务器(诸如大型主机)上。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种集成电路(IC)管芯，包括：
2.根据权利要求1中任一项所述的IC管芯，其中，所述第二区域包括靠近所述第一区域与所述第二区域之间的所述平面界面的晶体管和二极管中的至少一者。
3.根据权利要求1中任一项所述的IC管芯，其中，所述第二区域不包括任何晶体管或二极管。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的IC管芯，其中，所述第一表面是平坦的并且是平面的，其中，表面粗糙度小于10埃，并且整个所述第一表面的总厚度变化(TTV)小于3微米。
5.根据权利要求4所述的IC管芯，其中，与所述第一表面相对并且与所述第二表面正交的表面是平坦的并且是平面的，其中，表面粗糙度小于10埃，并且整个所述第一表面的TTV小于3微米。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的IC管芯，其中，所述键合焊盘包括第一键合焊盘，并且所述第一区域还包括在所述第二表面上的第二键合焊盘。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的IC管芯，其中：
8.根据权利要求1-7中任一项所述的IC管芯，其中，所述第一区域还包括：
9.一种微电子
10.根据权利要求9中任一项所述的微电子组件，还包括围绕所述第一IC管芯的另一电介质材料，所述另一电介质材料与所述第二IC管芯的所述第二表面接触。
11.根据权利要求9-10中任一项所述的微电子组件，其中，所述第一IC管芯的所述衬底与所述第二IC管芯的所述第二表面接触。
12.根据权利要求9-11中任一项所述的微电子组件，其中，在相邻互连之间，所述互连具有小于10微米的间距。
13.根据权利要求9-12中任一项所述的微电子组件，其中：
14.根据权利要求9-13中任一项所述的微电子组件，其中：
15.根据权利要求9所述的微电子组件，还包括沿着所述第一IC管芯的相应的第一表面耦合到所述第二IC管芯的多个第一IC管芯，其中：
16.根据权利要求15所述的微电子组件，其中：
17.根据权利要求15-16中任一项所述的微电子组件，其中：
18.根据权利要求15-17中任一项所述的微电子组件，其中：
19.根据权利要求15-18中任一项所述的微电子组件，其中，所述多个第一IC管芯被布置成行和列的阵列。
20.根据权利要求9所述的微电子组件，其中：
21.一种制造具有平坦化边缘的IC管芯的方法，包括：
22.根据权利要求21中任一项所述的方法，其中：
23.根据权利要求21-22中任一项所述的方法，其中，提供所述第一载体以及键合到所述第一载体的所述晶圆包括：
24.根据权利要求21-23中任一项所述的方法，其中：
25.根据权利要求21-24中任一项所述的方法，其中，从每个堆叠体分离IC管芯包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种集成电路(ic)管芯，包括：
2.根据权利要求1中任一项所述的ic管芯，其中，所述第二区域包括靠近所述第一区域与所述第二区域之间的所述平面界面的晶体管和二极管中的至少一者。
3.根据权利要求1中任一项所述的ic管芯，其中，所述第二区域不包括任何晶体管或二极管。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的ic管芯，其中，所述第一表面是平坦的并且是平面的，其中，表面粗糙度小于10埃，并且整个所述第一表面的总厚度变化(ttv)小于3微米。
5.根据权利要求4所述的ic管芯，其中，与所述第一表面相对并且与所述第二表面正交的表面是平坦的并且是平面的，其中，表面粗糙度小于10埃，并且整个所述第一表面的ttv小于3微米。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的ic管芯，其中，所述键合焊盘包括第一键合焊盘，并且所述第一区域还包括在所述第二表面上的第二键合焊盘。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的ic管芯，其中：
8.根据权利要求1-7中任一项所述的ic管芯，其中，所述第一区域还包括：
9.一种微电子组件，包括：
10.根据权利要求9中任一项所述的微电子组件，还包括围绕所述第一ic管芯的另一电介质材料，所述另一电介质材料与所述第二ic管芯的所述第二表面接触。
11.根据权利要求9-10中任一项所述的微电子组件，其中，所述第一ic管芯...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·苏特拉姆，O·G·卡尔哈德，R·V·马哈詹，D·马利克，N·A·德什潘德，P·S·拉纳德，W·戈梅斯，A·A·夏尔马，T·加尼，A·S·默西，J·弗莱曼，S·莫雷因，M·阿迪莱塔，M·克罗克，A·戈里乌斯，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：
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