【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光掩模的应用装置，具体涉及一种光掩模注记差量测装置。
技术介绍
1、随着半导体技术的发展，对光掩模的注记差精度要求也日益增高。高端芯片的制造需要多片高端光掩模共同参与，注记差(registration)关乎着不同层光掩模叠对的精度，是高端光掩模的重要参数。芯片的制造需要多张光掩模共同参与，注记差精度较差会影响不同光掩模上的图形在叠对时的准确性，从而降低芯片生产制造的良率。
2、目前光掩模注记差量测装置如图1所示，光掩模的注记差量测装置包括基体1以及基体1上的量测件2；将带有量测件2的基体1插入待测光掩模，插入到待测光掩模上的量测件2周围的区域密度可能存在较大差异，部分的量测件2周围同时存在高密度区5与低密度区4，使得量测件2周围的区域密度变化比较剧烈，密度变化对注记差量测装置的量测影响较大。
3、基于此，需要一种新技术方案。
技术实现思路
1、有鉴于此，本说明书实施例提供一种光掩模注记差量测装置。
2、本说明书实施例提供以下技术方案：
3、本说明书实施例提供一种光掩模注记差量测装置，包括基体、量测件以及填充件；
4、所述量测件和填充件设置在所述基体上，且所述填充件围绕所述量测件外设置，被配置为，该量测装置用于设置在待测光掩模；
5、设置在待测光掩模的量测件周围存在有密度差异区域，且所述填充件位于所述密度差异区域与所述量测件之间，被配置为，所述填充件用于阻隔密度差异区域和量测件。
6、优选的
7、优选的，所述填充件的填充区域和空白区域的面积比值为1：1到1:10，被配置为所述填充件满足密度要求。
8、优选的，所述填充件的填充区域和空白区域的面积比值为1：5。
9、优选的，所述填充件的形状包括封闭状，被配置为完全包围量测件。
10、优选的，所述填充件的形状呈棋盘格状。
11、优选的，所述填充件的形状呈回字形状。
12、优选的，所述填充件的中心位置与所述量测件的中心位置一致。
13、优选的，所述密度差异区域包括低密度区和高密度区；
14、所述低密度区和高密度区的密度差异超过30％。
15、优选的，所述填充件的尺寸小于曝光机的最小曝光尺寸。
16、与现有技术相比，本说明书实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到的有益效果至少包括：
17、本申请在量测件的周围添加了填充件，并且该光掩模量测装置设置在待测光掩模，填充件位于量测件与密度差异区域之间，减少了量测件周围区域密度的不均匀性，降低了密度变化对注记差量测装置的影响，使得量测结果更符合待测光掩模实际情况，提高光掩模注记差的量测精度。
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1.一种光掩模注记差量测装置，其特征在于，包括基体(1)、量测件(2)以及填充件(3)；
2.根据权利要求1所述的光掩模注记差量测装置，其特征在于，所述填充件(3)的密度均匀一致。
3.根据权利要求2所述的光掩模注记差量测装置，其特征在于，所述填充件(3)的填充区域和空白区域的面积比值为1：1到1:10，被配置为所述填充件(3)满足密度要求。
4.根据权利要求3所述光掩模注记差量测装置，其特征在于，所述填充件(3)的填充区域和空白区域的面积比值为1：5。
5.根据权利要求1所述的光掩模注记差量测装置，其特征在于，所述填充件(3)的形状包括封闭状，被配置为完全包围量测件(2)。
6.根据权利要求5所述的光掩模注记差量测装置，其特征在于，所述填充件(3)的形状呈棋盘格状。
7.根据权利要求5所述的光掩模注记差量测装置，其特征在于，所述填充件(3)的形状呈回字形状。
8.根据权利要求1所述的光掩模注记差量测装置，其特征在于，所述填充件(3)的中心位置与所述量测件(2)的中心位置一致。
9.根
10.根据权利要求1所述的光掩模注记差量测装置，其特征在于，所述填充件(3)的尺寸小于曝光机的最小曝光尺寸。
...【技术特征摘要】
1.一种光掩模注记差量测装置，其特征在于，包括基体(1)、量测件(2)以及填充件(3)；
2.根据权利要求1所述的光掩模注记差量测装置，其特征在于，所述填充件(3)的密度均匀一致。
3.根据权利要求2所述的光掩模注记差量测装置，其特征在于，所述填充件(3)的填充区域和空白区域的面积比值为1：1到1:10，被配置为所述填充件(3)满足密度要求。
4.根据权利要求3所述光掩模注记差量测装置，其特征在于，所述填充件(3)的填充区域和空白区域的面积比值为1：5。
5.根据权利要求1所述的光掩模注记差量测装置，其特征在于，所述填充件(3)的形状包括封闭状，被配置为完...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪德林，郑怀志，施维，周家华，柳仙蓉，
申请(专利权)人：广州新锐光掩模科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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