【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电路保护领域，具体而言，涉及一种igbt的保护装置以及空调器。
技术介绍
1、绝缘栅双极型晶体管（insulated gate bipolar transistor，简称igbt）作为一种复合型电力电子器件，因其具有高输入阻抗、低导通压降、承受高电压和大电流等优点，被广泛应用于变频器、逆变器、电动车驱动系统等领域。然而，igbt在工作过程中可能会遇到短路故障，这种故障一旦发生，会导致电流急剧增大，产生大量热量，从而可能损坏igbt器件，甚至对整个电路系统造成严重影响。
2、因此，如何对发生短路故障的igbt进行有效保护，是当前亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、本申请的主要目的在于提供一种igbt的保护装置以及空调器，以至少解决现有技术中对发生短路故障的igbt难以进行有效保护的问题。
2、为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种igbt的保护装置，所述保护装置包括：保护模块，所述保护模块的输入端用于与电源电连接，所述保护模块的输出端用于与所述igbt的门极电连接，所述保护模块用于在所述igbt发生短路异常的情况下关断，在所述igbt未发生短路异常的情况下导通，所述电源用于给igbt供电。
3、可选地，所述保护模块包括：第一分压器件，所述第一分压器件的第一端为所述保护模块的输入端；限流器件，所述限流器件的第一端与所述第一分压器件的第一端电连接；第一开关器件，包括控制端、第一端和第二端，所述第一开关器件的控制端与所述第一分压
4、可选地，所述保护模块还包括：第二分压器件，所述第二分压器件的第一端与所述第一分压器件的第二端电连接，所述第二分压器件的第二端接地。
5、可选地，所述第一分压器件的阻值大于所述第二分压器件的阻值。
6、可选地，所述第一分压器件以及所述限流器件分别包括以下至少之一：电阻、电感、电容。
7、可选地，所述第一开关器件包括以下至少之一：mos管、三极管、可控硅。
8、可选地，所述第二开关器件包括以下至少之一：mos管、三极管、可控硅。
9、可选地，所述第一开关器件包括：第一npn三极管，所述第一npn三极管的基极与所述第一分压器件的第二端电连接，所述第一npn三极管的集电极与所述限流器件的第二端电连接，所述第一npn三极管的发射极为所述保护模块的输出端。
10、可选地，所述第二开关器件包括：第二npn三极管，所述第二npn三极管的基极与所述限流器件的第二端电连接，所述第二npn三极管的集电极与所述限流器件的第一端电连接，所述第二npn三极管的发射极为所述保护模块的输出端。
11、根据本申请的另一方面，提供了一种空调器，包括：逆变器，所述逆变器包括igbt以及所述igbt的保护装置，所述保护装置为任一种所述的igbt的保护装置。
12、应用本申请的技术方案，电路在igbt发生短路异常的情况下关断，在igbt未发生短路异常的情况下导通，从而达到了在igbt发生短路异常的情况下有效保护igbt的效果。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种IGBT的保护装置，其特征在于，所述保护装置包括：
2.根据权利要求1所述的IGBT的保护装置，其特征在于，所述保护模块还包括：
3.根据权利要求2所述的IGBT的保护装置，其特征在于，所述第一分压器件的阻值大于所述第二分压器件的阻值。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的IGBT的保护装置，其特征在于，所述第一分压器件以及所述限流器件分别包括以下至少之一：电阻、电感、电容。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的IGBT的保护装置，其特征在于，所述第一开关器件包括以下至少之一：MOS管、三极管、可控硅。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的IGBT的保护装置，其特征在于，所述第二开关器件包括以下至少之一：MOS管、三极管、可控硅。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的IGBT的保护装置，其特征在于，所述第一开关器件包括：
8.根据权利要求1至3中任一项所述的IGBT的保护装置，其特征在于，所述第二开关器件包括：
9.一种空调器，其特征在于，包括：
【技术特征摘要】
1.一种igbt的保护装置，其特征在于，所述保护装置包括：
2.根据权利要求1所述的igbt的保护装置，其特征在于，所述保护模块还包括：
3.根据权利要求2所述的igbt的保护装置，其特征在于，所述第一分压器件的阻值大于所述第二分压器件的阻值。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的igbt的保护装置，其特征在于，所述第一分压器件以及所述限流器件分别包括以下至少之一：电阻、电感、电容。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的igbt的...
【专利技术属性】
技术研发人员：余裕华，汪雪光，张连杰，徐常升，陈滢滢，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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