【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种光电共封装结构。
技术介绍
1、随着数据中心带宽需求的增加，硅光系统封装经历了可插拔光学器件、板载光学、近封装光学到光电共封装(co-packaged optics，简称cpo)的演变。cpo是一种多芯粒异质集成封装方法，用于实现由光子集成芯片(photonic integrated chip，简称pic)和电子集成芯片(electronic integrated chip，简称eic)组成的光引擎(optical engine，简称oe)和主机芯片(application specific integrated circuit，简称asic)之间的集成。
2、cpo缩短oe和主机芯片之间的走线距离，减少铜走线导致的功率损耗和信号衰减，实现更好的电学性能。以减少铜走线导致的功率损耗和信号衰减。现有技术中，oe结构是将pic和eic垂直堆叠起来，oe结构与asic主机专用集成电路需要使用封装基板或者无源转接板组件进行互连。因此，如何提出一种光电共封装结构，能够进一步缩短oe与主机芯片之间的通信距离，成为本领域亟待解决的重要课题。
技术实现思路
1、针对现有技术中的问题，本专利技术实施例提供一种光电共封装结构，能够至少部分地解决现有技术中存在的问题。
2、本专利技术提出一种光电共封装结构，包括主机芯片、光子集成芯片和电子集成芯片，其中：
3、所述主机芯片和所述光子集成芯片分别设置在所述电子集成芯片上，所述电子集成芯片
4、进一步地，所述电子集成芯片包括第一再布线层，所述第一再布线层设置在所述电子集成芯片的表面。
5、进一步地，在所述电子集成芯片中设置第一硅通孔。
6、进一步地，所述主机芯片包括计算单元芯粒和/或存储单元芯粒，所述计算单元芯粒和/或存储单元芯粒分别键合在所述电子集成芯片上，或者三维堆叠后集成在所述电子集成芯片上，所述计算单元芯粒和所述存储单元芯粒与所述电子集成芯片电连接。
7、进一步地，本专利技术实施例提供的光电共封装结构还包括无源转接板，所述无源转接板设置在所述电子集成芯片上，所述主机芯片包括计算单元芯粒和/或所述存储单元芯粒，所述计算单元芯粒和/或存储单元芯粒分别键合在所述无源转接板上，或者三维堆叠后集成在所述无源转接板上；所述无源转接板包括第二再布线层。
8、进一步地，所述无源转接板中设置第二硅通孔。
9、进一步地，所述无源转接板凸点键合或混合键合在所述电子集成芯片上。
10、进一步地，所述计算单元芯粒和/或所述存储单元芯粒通过对应的凸点键合在所述无源转接板上，或者所述计算单元芯粒和/或所述存储单元芯粒混合键合在所述无源转接板上。
11、进一步地，所述主机芯片和所述光子集成芯片分别通过对应的凸点键合或混合键合在所述电子集成芯片上。
12、进一步地，在所述电子集成芯片上集成电源管理模块、信号管理模块和静电保护模块中的至少一个模块。
13、本专利技术实施例提供的光电共封装结构，包括主机芯片、光子集成芯片和电子集成芯片，所述主机芯片和所述光子集成芯片分别设置在所述电子集成芯片上，所述电子集成芯片承载所述主机芯片和所述光子集成芯片；所述主机芯片与所述电子集成芯片电连接，所述电子集成芯片与所述光子集成芯片电连接，由于主机芯片和光子集成芯片设置在电子集成芯片上，用电子集成芯片作为有源转接板，缩短了电信号的传输路径，提高了通信效率。
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1.一种光电共封装结构，其特征在于，包括主机芯片、光子集成芯片和电子集成芯片，其中：
2.根据权利要求1所述的光电共封装结构，其特征在于，所述电子集成芯片包括第一再布线层，所述第一再布线层设置在所述电子集成芯片的表面。
3.根据权利要求1所述的光电共封装结构，其特征在于，在所述电子集成芯片中设置第一硅通孔。
4.根据权利要求1所述的光电共封装结构，其特征在于，所述主机芯片包括计算单元芯粒和/或存储单元芯粒，所述计算单元芯粒和/或存储单元芯粒分别键合在所述电子集成芯片上，或者三维堆叠后集成在所述电子集成芯片上，所述计算单元芯粒和所述存储单元芯粒与所述电子集成芯片电连接。
5.根据权利要求1所述的光电共封装结构，其特征在于，还包括无源转接板，所述无源转接板设置在所述电子集成芯片上，所述主机芯片包括计算单元芯粒和/或存储单元芯粒，所述计算单元芯粒和/或存储单元芯粒分别键合在所述无源转接板上，或者三维堆叠后集成在所述无源转接板上；所述无源转接板包括第二再布线层。
6.根据权利要求5所述的光电共封装结构，其特征在于，所述无源转接板
7.根据权利要求5所述的光电共封装结构，其特征在于，所述无源转接板凸点键合或混合键合在所述电子集成芯片上。
8.根据权利要求5所述的光电共封装结构，其特征在于，所述计算单元芯粒和/或所述存储单元芯粒通过对应的凸点键合在所述无源转接板上，或者所述计算单元芯粒和/或所述存储单元芯粒混合键合在所述无源转接板上。
9.根据权利要求1所述的光电共封装结构，其特征在于，所述主机芯片和所述光子集成芯片分别通过对应的凸点键合或混合键合在所述电子集成芯片上。
10.根据权利要求1至9任一项所述的光电共封装结构，其特征在于，在所述电子集成芯片上集成电源管理模块、信号管理模块和静电保护模块中的至少一个模块。
...【技术特征摘要】
1.一种光电共封装结构，其特征在于，包括主机芯片、光子集成芯片和电子集成芯片，其中：
2.根据权利要求1所述的光电共封装结构，其特征在于，所述电子集成芯片包括第一再布线层，所述第一再布线层设置在所述电子集成芯片的表面。
3.根据权利要求1所述的光电共封装结构，其特征在于，在所述电子集成芯片中设置第一硅通孔。
4.根据权利要求1所述的光电共封装结构，其特征在于，所述主机芯片包括计算单元芯粒和/或存储单元芯粒，所述计算单元芯粒和/或存储单元芯粒分别键合在所述电子集成芯片上，或者三维堆叠后集成在所述电子集成芯片上，所述计算单元芯粒和所述存储单元芯粒与所述电子集成芯片电连接。
5.根据权利要求1所述的光电共封装结构，其特征在于，还包括无源转接板，所述无源转接板设置在所述电子集成芯片上，所述主机芯片包括计算单元芯粒和/或存储单元芯粒，所述计算单元芯粒和/或存储单元芯粒分别键合在所...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴永波，蔡坚，王谦，谭琳，
申请(专利权)人：北方集成电路技术创新中心北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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