【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体装置，特别涉及芯片尺寸封装型的半导体装置。
技术介绍
1、以将锂离子电池从过充电或/及过放电加以保护为目的，使用能够用1个芯片控制双向的导通的双重(dual)结构的纵型mos晶体管。在专利文献1及专利文献2中，公开了双重结构的纵型mos晶体管的构造，表示了1个芯片所具备的两个纵型mos晶体管分别在平面视图中为线对称或点对称的配置的构造。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2002－368217号公报
5、专利文献2：日本特开2002－368219号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的课题
2、对于以将锂离子电池从过充电或/及过放电加以保护为目的而使用的、能够控制双向导通的双重结构的纵型mos晶体管，存在要求一边维持esd(electro staticdischarge：静电放电)耐性一边提高开关响应性的情况。
3、用来解决课题的手段
4、为了解决上述课题，本公开的半导体装置，是能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，其特征在于，具备：半导体衬底；半导体层，形成在上述半导体衬底上；第1纵型mos晶体管，形成在上述半导体层的第1区域，具有多个第1栅极沟槽；第2纵型mos晶体管，在上述半导体层的平面视图中形成在与上述第1区域邻接的第2区域，具有多个第2栅极沟槽；以及金属层，与上述半导体衬底的背面接触而形成；上述半导体衬底是上述第1纵型mos晶体管及上述第2纵型
5、根据上述结构，在能够控制双向的导通的双重结构的纵型mos晶体管中，能够在一方的纵型mos晶体管中提高开关响应性，在另一方的纵型mos晶体管中提高esd耐性，并且能够比较容易地从表面侧(焊盘面侧)区分第1纵型mos晶体管和第2纵型mos晶体管。
6、此外，本公开的半导体装置，是能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，其特征在于，具备：半导体衬底；半导体层，形成在上述半导体衬底上；第1纵型mos晶体管，形成在上述半导体层的第1区域，具有多个第1栅极沟槽；第2纵型mos晶体管，在上述半导体层的平面视图中形成在与上述第1区域邻接的第2区域，具有多个第2栅极沟槽；以及金属层，与上述半导体衬底的背面接触而形成；上述半导体衬底是上述第1纵型mos晶体管及上述第2纵型mos晶体管的共通漏极区域；在上述平面视图中，上述第1区域和上述第2区域是将上述半导体层在面积上二等分的一方和另一方；在上述平面视图中，在上述第1区域中形成有上述第1纵型mos晶体管的第1源极电极和1个以上的第1源极焊盘、以及第1栅极电极和第1栅极焊盘；在上述平面视图中，在上述第2区域中形成有上述第2纵型mos晶体管的第2源极电极和1个以上的第2源极焊盘、以及第2栅极电极和第2栅极焊盘；在上述平面视图中，上述1个以上的第1源极焊盘的形状和上述1个以上的第2源极焊盘的形状不处于以上述半导体层的中心为对称中心的点对称关系；上述1个以上的第1源极焊盘的形状和上述1个以上的第2源极焊盘的形状不处于以上述第1区域与上述第2区域的边界线为对称轴的线对称关系。
7、根据上述结构，在能够控制双向的导通的双重结构的纵型mos晶体管中，能够抑制关于双向的导通发生的偏倚，并且能够比较容易地从表面侧(焊盘面侧)区分第1纵型mos晶体管和第2纵型mos晶体管。
8、专利技术效果
9、根据本公开，在能够控制双向的导通的双重结构的纵型mos晶体管中，能够比较容易地从表面侧(焊盘面侧)区分第1纵型mos晶体管和第2纵型mos晶体管。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体装置，是能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，其特征在于，
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
6.一种半导体装置，是能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，其特征在于，
7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，
8.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，
9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
10.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，是能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，其特征在于，
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
...【专利技术属性】
技术研发人员：林雅弘，井上翼，
申请(专利权)人：新唐科技日本株式会社，
类型：发明
国别省市：
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