【技术实现步骤摘要】
本申请涉及数据存储，尤其涉及一种目标读电压确定方法、装置、设备及存储介质。
技术介绍
1、目前，存储设备的阈值电压分布会因为使用过程中各种因素的影响而发生变化，进而导致从存储设备中进行数据读取时的最优读电压的取值发生变化，而准确的最优读电压是判断存储设备存储状态的关键，因此，如何有效确定最优读电压在数据存储领域仍是一个重要问题。
2、相关技术中，依次针对存储设备的阈值电压分布中的每个电压值进行读操作，根据读操作的结果判断该电压值是否为最优读电压对应的电压值，直至遍历搜索到所有最优读电压的电压值。但是该方式需要进行的搜索次数、读操作的次数过多，导致确定最优读电压的效率较低。
技术实现思路
1、基于上述技术问题，本申请提供一种目标读电压确定方法、装置、设备及存储介质，以提高最优读电压的确定效率。
2、第一方面，本申请提供一种目标读电压确定方法，该方法包括：获取存储设备中存储块处于目标读写状态下，各读取级别read level分别对应的导通电压vt拟合分布信息，得到多个vt拟合分布信息；一个vt拟合分布信息用于反映一个read level下存储块导通电压的分布情况；从多个vt拟合分布信的导通电压中，确定至少一个预估最优电压；基于至少一个预估最优电压，确定存储块处于目标读写状态下的目标读电压，目标读电压用于判断存储块的存储状态。
3、一种可能的实现方式中，基于多个vt拟合分布信息，确定至少一个预估最优电压，包括：将多个vt拟合分布信息中，任意两个相邻分布
4、一种可能的实现方式中，基于至少一个预估最优电压，确定存储块处于目标读写状态下的目标读电压，包括：在至少一个预估最优电压中每个预估最优电压的邻域范围内进行搜索，得到存储块处于目标读写状态下的目标读电压。
5、一种可能的实现方式中，获取存储设备中存储块处于目标读写状态下，各读取级别read level分别对应的导通电压vt拟合分布信息，包括：将样本数据，写入处于目标读写状态下的存储块，得到各read level的vt数据；vt数据用于反映不同阈值电压对应的存储块的数量；对各read level的vt数据进行拟合，得到多个vt拟合分布信息。
6、一种可能的实现方式中，对各read level的vt数据进行拟合，得到多个vt拟合分布信息，包括：按照高斯分布，对各read level的vt数据进行拟合，得到多个vt拟合分布信息。
7、一种可能的实现方式中，按照高斯分布，对各read level的vt数据进行拟合，得到多个vt拟合分布信息，包括：对于每个read level的vt数据，确定read level的vt数据的方差；将方差以及read level的vt数据中的任意两组vt数据，代入高斯分布函数，计算得到read level的vt数据的均值；基于read level的vt数据的方差以及read level的vt数据的均值，确定read level的vt数据对应的高斯分布模型，并将高斯分布模型作为read level的vt数据的vt拟合分布信息。
8、一种可能的实现方式中，将多个vt拟合分布信息中，任意两个相邻分布的readlevel的交点，作为一个预估最优电压，包括：将第一read level对应的第一高斯分布模型与第二read level对应的第二高斯分布模型联立，计算第一read level与第二read level的交点；第一read level与第二read level为多个vt拟合分布信息中任意两个相邻分布的read level。
9、一种可能的实现方式中，确定read level的vt数据的方差，包括：获取目标读写状态下vt数据与方差之间的函数关系，并将read level的vt数据代入函数关系，得到readlevel的vt数据的方差。
10、一种可能的实现方式中，获取目标读写状态下vt数据与方差之间的函数关系，包括：确定目标读写状态对应的目标聚类结果，目标聚类结果用于反映目标读写状态所属的读写状态类别；从多个聚类结果与多个函数关系之间的对应关系中，确定目标聚类结果对应的函数关系，并将函数关系作为目标读写状态下vt数据与方差之间的函数关系。
11、一种可能的实现方式中，目标读写状态的参数包括以下状态参数中的一种或多种：用于表示写入擦除循环的状态参数、用于表示读干扰的状态参数、用于表示交叉温度ct的状态参数、用于表示数据保质期的状态参数。
12、本申请提供的目标读电压确定方法，首先通过获取存储块处于目标读写状态下各读取级别read level的导通电压vt拟合信息，以了解存储块的不同read level下导通电压的分布情况。进一步的，从多个vt拟合信息中，确定出至少一个预估最优电压，进而实现了对最优读电压的预定位。后续可以直接基于至少一个预估最优电压，来确定存储块处于目标读写状态下的最优读电压。这样一来，本申请由于对电压进行了预定位，进而缩小了最优读电压的确定范围，因此可有效提升最优读电压确定的成功率、同时还降低了确定最优读电压的时间开销。
13、第二方面，本申请提供一种目标读电压确定装置，该装置包括获取单元以及确定单元；获取单元，用于获取存储设备中存储块处于目标读写状态下，各读取级别read level分别对应的导通电压vt拟合分布信息，得到多个vt拟合分布信息；一个vt拟合分布信息用于反映一个read level下存储块导通电压的分布情况；确定单元，用于从多个vt拟合分布信的导通电压中，确定至少一个预估最优电压；确定单元，还用于基于至少一个预估最优电压，确定存储块处于目标读写状态下的目标读电压，目标读电压用于判断存储块的存储状态。
14、一种可能的实现方式中，确定单元具体用于：将多个vt拟合分布信息中，任意两个相邻分布的vt拟合分布信息的交点，作为一个预估最优电压；或者，根据多个vt拟合分布信息中任意一个vt拟合分布信息的均值与方差之间的差值，确定一个预估最优电压。
15、一种可能的实现方式中，确定单元具体用于：在至少一个预估最优电压中每个预估最优电压的邻域范围内进行搜索，得到存储块处于目标读写状态下的目标读电压。
16、一种可能的实现方式中，获取单元，具体用于：将样本数据，写入处于目标读写状态下的存储块，得到各read level的vt数据；vt数据用于反映不同阈值电压对应的存储块的数量；对各read level的vt数据进行拟合，得到多个vt拟合分布信息。
17、一种可能的实现方式中，获取单元，具体用于：按照高斯分布，对各read level的vt数据进行拟合，得到多个vt拟合分布信息。
18、一种可能的实现方式中，获取单元，具体用于：对于每个read level的vt数据，确定read 本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种目标读电压确定方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述多个VT拟合分布信息，确定至少一个预估最优电压，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述至少一个预估最优电压，确定所述存储块处于所述目标读写状态下的目标读电压，包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述获取存储设备中存储块处于目标读写状态下，各读取级别read level分别对应的导通电压VT拟合分布信息，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对各readlevel的VT数据进行拟合，得到多个VT拟合分布信息，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述按照高斯分布，对各read level的VT数据进行拟合，得到所述多个VT拟合分布信息，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述将所述多个VT拟合分布信息中，任意两个相邻分布的read level的交点，作为一个预估最优电压，包括：
8.根据权利要求6所述的方法，其特
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述获取所述目标读写状态下VT数据与方差之间的函数关系，包括：
10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，其特征在于，所述目标读写状态的参数包括以下状态参数中的一种或多种：用于表示写入擦除循环的状态参数、用于表示读干扰的状态参数、用于表示写干扰的状态参数、用于表示数据保质期的状态参数。
11.一种目标读电压确定装置，其特征在于，所述装置包括获取单元以及确定单元；
12.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，所述确定单元具体用于：
13.一种电子设备，其特征在于，包括：处理器和存储器；
14.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述可读存储介质包括：软件指令；
...【技术特征摘要】
1.一种目标读电压确定方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述多个vt拟合分布信息，确定至少一个预估最优电压，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述至少一个预估最优电压，确定所述存储块处于所述目标读写状态下的目标读电压，包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述获取存储设备中存储块处于目标读写状态下，各读取级别read level分别对应的导通电压vt拟合分布信息，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对各readlevel的vt数据进行拟合，得到多个vt拟合分布信息，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述按照高斯分布，对各read level的vt数据进行拟合，得到所述多个vt拟合分布信息，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述将所述多个vt拟合分布信息中，...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯星，霍文捷，张航，邹永洋，
申请(专利权)人：杭州海康存储科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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