【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆切割加工，具体而言，涉及一种晶圆切割方法。
技术介绍
1、晶圆也称作硅晶片，通过在晶圆表面设置芯片的电路结构(如晶体管等)，能够制造出芯片等电路元件。为了节约制造成本和提高制造效率，在大批量生产中往往在同一晶圆上设置多个(如500个)芯片的电路结构，然后再沿着各个相邻电路结构的间隙切割晶圆，即可基于同一个晶圆获得多个芯片。
2、随着芯片的小型化发展，目前，晶圆厚度从传统的700微米以上逐渐减薄到200微米以下。采用传统的机械切割的加工方式，对于传统的厚度在700微米以上的晶圆来说能够保证较高的良率和芯片可靠性。但对于在200微米以下晶圆来说，传统机械磨划方法所采用的刀轮的高速旋转在实现芯片物理分离的同时，其因与芯片直接接触从而不可避免的会产生裂纹、崩边和破片等风险。针对上述问题，目前市面上提出了激光切割取代刀轮切割的方式，其能够很好地解决芯片良率的问题，但现有的采用激光切割的方式进行晶圆切割时其工序较多，步骤繁琐，对加工效率有很大制约。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种晶圆切割方法，该晶圆切割方法步骤较少，能够提高晶圆切割的效率。
2、本专利技术的实施例是这样实现的：
3、本专利技术的一方面，提供一种晶圆切割方法，该晶圆包括相对设置的正面和背面，正面具有多个芯片功能区和位于相邻两个芯片功能区之间的切割道区，该晶圆切割方法包括：在晶圆的正面贴正面保护膜；对晶圆的背面进行减薄处理，以使晶圆减薄至预设厚度；去除正面保护膜
4、可选地，预设厚度在70μm至200μm之间。
5、可选地，去除正面保护膜，并在晶圆的背面贴透切膜，包括：去除正面保护膜，并在晶圆的背面贴透切膜，透切膜的可透光波长范围在900nm至1300nm之间，激光透过率大于95％以，透切膜的厚度在20μm至50μm之间。
6、可选地，对应切割道区对晶圆的正面进行激光开槽处理，包括：在晶圆正面的芯片功能面涂覆正面保护液；对应切割道区对晶圆的正面进行激光开槽处理，其中，激光开槽处理时激光波段在300nm至1100nm之间，脉宽在800ps至100ns之间，功率在5w至30w之间，开槽速度在400mm/s至2000mm/s之间；去除正面保护液。
7、可选地，晶圆的开槽宽度在10μm至80μm之间，开槽深度在4μm至50μm之间。
8、可选地，对应切割道区对经过激光开槽处理后的晶圆进行背面激光透射隐形切割，以使晶圆被分割为多个芯粒，包括：将经过激光开槽处理后的晶圆正面朝下放置于激光隐形切割机内，并通过激光隐形切割机的吸附机构对晶圆进行真空吸附；对应切割道区对经过激光开槽处理后的晶圆进行背面激光透射隐形切割，以使晶圆被分割为多个芯粒。
9、可选地，将经过激光开槽处理后的晶圆正面朝下放置于激光隐形切割机内，并通过激光隐形切割机的吸附机构对晶圆进行真空吸附，包括：将经过激光开槽处理后的晶圆正面朝下放置于激光隐形切割机内；通过激光隐切机的升降平台对晶圆的平面度进行调整，以使经过平面度调整后的晶圆的平面度偏差值在3μm至6μm之间；通过激光隐形切割机的吸附机构对晶圆进行真空吸附。
10、可选地，拉伸透切膜，以使晶圆内相邻两所述芯粒产生间隔，并对芯粒进行取料处理，包括：对透切膜进行解胶处理；对解胶后的晶圆进行扩片处理，使相邻两芯粒之间产生间隔，其中，相邻两芯粒的间隔距离在10μm至100μm之间；从经扩片处理后的晶圆上取走单颗芯粒。
11、可选地，对透切膜进行解胶处理，包括：通过紫外线照射透切膜，以解除透切膜与晶圆之间的粘性。
12、可选地，透切膜为uv胶膜。
13、本专利技术的有益效果包括：
14、本申请提供了一种晶圆切割方法，该晶圆包括相对设置的正面和背面，正面具有多个芯片功能区和位于相邻两个芯片功能区之间的切割道区，该晶圆切割方法包括：在晶圆的正面贴正面保护膜；对晶圆的背面进行减薄处理，以使晶圆减薄至预设厚度；去除正面保护膜，并在晶圆的背面贴透切膜；对应切割道区对晶圆的正面进行激光开槽处理；对应切割道区对经过激光开槽处理后的晶圆进行背面激光透射隐形切割，以使晶圆被分割为多个芯粒；拉伸透切膜，以使晶圆内相邻的两芯粒产生间隔，并对芯粒进行取料处理。本申请提供的晶圆切割方法通过对晶圆的背面进行减薄处理、对晶圆的正面进行激光开槽，然后对晶圆的背面进行激光透射隐形切割，通过这种切割方式能够降低崩边和碎片的概率，极大地提升了晶圆切割的良率；且本申请采用激光切割，其激光光斑较小，能够支持对具有较小的切割道区宽度的晶圆的切割，能够提升一片晶圆的芯粒数量，具有较佳的市场应用前景；而且，激光设备耗材很少，尤其对于激光隐切设备而言，几乎无耗材，还可以降低晶圆的切割成本；另外，本申请提供的晶圆切割方法步骤较少，省掉了开槽到隐切过程中的倒膜过程，能够提高晶圆切割的效率以及减少破片率。与传统的开槽+水刀的加工方式相比，开槽+隐切拥有更快的加工效率，加工速度由50mm/s提升至80mm/s以上，加工时间提升30％以上，同时可以缩短切割道间距，由60μm缩短至20μm，芯粒数量增加5％至10％，降低单颗芯粒的加工成本。且本申请操作简单，相对现有技术而言，可以将现有技术的工序有效缩短，能够提高整体制程的良率和效率并降低多工序内的风险点。
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1.一种晶圆切割方法，所述晶圆包括相对设置的正面和背面，所述正面具有多个芯片功能区和位于相邻两个芯片功能区之间的切割道区，其特征在于，所述晶圆切割方法包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述预设厚度在70μm至200μm之间。
3.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述去除所述正面保护膜，并在所述晶圆的背面贴透切膜，包括：
4.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述对应所述切割道区对所述晶圆的正面进行激光开槽处理，包括：
5.根据权利要求4所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述晶圆的开槽宽度在10μm至80μm之间，开槽深度在4μm至50μm之间。
6.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述对应所述切割道区对经过激光开槽处理后的所述晶圆进行背面激光透射隐形切割，以使所述晶圆被分割为多个芯粒，包括：
7.根据权利要求6所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述将经过激光开槽处理后的所述晶圆正面朝下放置于激光隐形切割机内，并通过所述激光隐形切割机的吸附机构对所述晶
8.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述拉伸所述透切膜，以使所述晶圆内相邻两所述芯粒产生间隔，并对所述芯粒进行取料处理，包括：
9.根据权利要求8所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述对所述透切膜进行解胶处理，包括：
10.根据权利要求9所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述透切膜为UV胶膜。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆切割方法，所述晶圆包括相对设置的正面和背面，所述正面具有多个芯片功能区和位于相邻两个芯片功能区之间的切割道区，其特征在于，所述晶圆切割方法包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述预设厚度在70μm至200μm之间。
3.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述去除所述正面保护膜，并在所述晶圆的背面贴透切膜，包括：
4.根据权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述对应所述切割道区对所述晶圆的正面进行激光开槽处理，包括：
5.根据权利要求4所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述晶圆的开槽宽度在10μm至80μm之间，开槽深度在4μm至50μm之间。
6.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：苏州海杰兴科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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