【技术实现步骤摘要】
本申请涉及存储器，特别是涉及一种写字线使能电路及使能控制方法、存储器、电子设备。
技术介绍
1、随着半导体技术的发展，出现了一些新的存储单元的动态随机存储器(dynamicrandom access memory，dram)，例如以2t0c存储单元为主体存储单元的dram。2t0c存储单元可以包含两个晶体管，其中一个是写晶体管(write tr)，另一个是读晶体管(read tr)。
2、在向2t0c存储单元的存储节点(storage node，sn)写入数据时，需要打开写字线(write word line，wwl)，而在2t0c存储单元的数据读取过程中，读字线(read word line，rwl)需要被选中，且在读取结束后，还需要对存储节点sn执行回写操作。在执行回写操作的过程中，首先需要将读位线(read bit line，rbl)上感测到的回写数据反馈至写位线(write bit line，wbl)。其后，写字线wwl将被开启以将回写数据重新写入存储节点sn。若不进行回写操作，则存储节点sn上存储的数据可能会随着时间流逝而逐渐消失，从而导致存储单元的存储数据发生错误。
技术实现思路
1、基于此，有必要提供一种能够提高读写容错率的写字线使能电路及写字线使能控制方法、存储器、电子设备。
2、第一方面，本申请提供了一种写字线使能电路，用于与存储单元连接，所述存储单元包括读晶体管和写晶体管，以及与所述读晶体管连接的读字线和读位线，与所述写晶体管连接的写字线
3、感测控制电路，与所述写位线相连接，被配置为：获取所述写位线传输的数据信号，根据所述数据信号输出写控制信号；
4、启动控制电路，与所述感测控制电路连接且与所述写字线相连接，被配置为：根据所述写控制信号向所述写字线输出使能信号。
5、上述写字线使能电路，包括感测控制电路及启动控制电路，所述感测控制电路与写位线相连接，被配置为：获取所述写位线传输的数据信号，根据所述数据信号输出写控制信号。所述启动控制电路与所述感测控制电路连接且与所述写字线相连接，被配置为：根据所述写控制信号向所述写字线输出使能信号。通过启动控制电路发出的使能信号，能够控制写字线准确地作出响应，以及时控制写晶体管的开启或者断开，从而无需如相关技术中需要精准地对存储单元的读写过程进行时序控制，从而能够提高读写容错率。
6、在其中一个实施例中，所述使能信号包括开启信号和禁用信号，所述存储单元的工作阶段包括预处理阶段、预充电阶段、读取阶段、感应阶段、回写阶段及数据写入阶段，所述启动控制电路还被配置为：获取写禁用指令，根据所述写控制信号以及所述写禁用指令确定所述存储单元的工作阶段，当所述存储单元工作在回写阶段及数据写入阶段，则向所述写字线输出所述开启信号，使得所述写字线控制所述写晶体管开启；当所述存储单元工作在预处理阶段、预充电阶段、读取阶段及感应阶段，则向所述写字线输出所述禁用信号，使得所述写字线控制所述写晶体管断开
7、在其中一个实施例中，所述感测控制电路包括：
8、感测放大电路，具有第一接收端、第二接收端、第一输出端和第二输出端；其中，所述第一接收端与所述写位线相连接，用于接收所述写位线传输的数据信号，所述第二接收端与参考信号端连接，用于接收参考信号；所述感测放大电路被配置为：于所述数据信号大于或小于所述参考信号时，使所述第一输出端和所述第二输出端输出不同的电平信号；于所述数据信号等于所述参考信号时，使所述第一输出端和所述第二输出端输出相同的电平信号；
9、或非门逻辑电路，具有第一输入端、第二输入端和第一逻辑输出端；其中，所述第一输入端与所述感测放大电路的第一输出端连接，所述第二输入端与所述感测放大电路的第二输出端连接，所述第一逻辑输出端与所述启动控制电路连接。
10、在其中一个实施例中，所述感测放大电路还具有控制端；所述控制端被配置为接收感测使能信号。
11、在其中一个实施例中，所述启动控制电路包括：
12、与非门逻辑电路，具有第三输入端、第四输入端和第二逻辑输出端；其中，所述第二逻辑输出端与所述写字线相连接，所述第三输入端与所述感测控制电路的所述第一逻辑输出端相连接，所述第四输入端被配置为接收所述写禁用指令。
13、第二方面，本申请还提供了一种写字线使能控制方法，所述写字线使能控制方法应用于上述任一项实施例中的写字线使能电路，所述写字线使能控制方法包括：
14、采用感测控制电路获取存储单元中写位线传输的数据信号；其中，所述存储单元包括读晶体管和写晶体管，以及与所述读晶体管连接的读字线和读位线，与所述写晶体管连接的写字线和写位线；
15、采用所述感测控制电路根据所述数据信号输出写控制信号；
16、采用启动控制电路根据所述写控制信号向所述写字线输出使能信号。
17、上述写字线使能控制方法通过采用感测控制电路获取存储单元中写位线传输的数据信号；其中，所述存储单元包括读晶体管和写晶体管，以及与所述读晶体管连接的读字线和读位线，与所述写晶体管连接的写字线和写位线；采用所述感测控制电路根据所述数据信号输出写控制信号；采用启动控制电路根据所述写控制信号向所述写字线输出使能信号。通过启动控制电路发出的使能信号，能够控制写字线准确地作出响应，以及时控制写晶体管的开启或者断开，从而无需如相关技术中需要精准地对存储单元的读写过程进行时序控制，从而能够提高读写容错率。
18、在其中一个实施例中，所述使能信号包括开启信号和禁用信号，所述存储单元的工作阶段包括预处理阶段、预充电阶段、读取阶段、感应阶段、回写阶段及数据写入阶段，所述根据所述写控制信号向所述写字线输出使能信号，包括：
19、获取写禁用指令；
20、根据所述写控制信号以及所述写禁用指令确定所述存储单元的工作阶段，当所述存储单元工作在回写阶段及数据写入阶段，则向所述写字线输出所述开启信号，使得所述写字线控制所述写晶体管开启；当所述存储单元工作在预处理阶段、预充电阶段、读取阶段及感应阶段，则向所述写字线输出所述禁用信号，使得所述写字线控制所述写晶体管断开。
21、在其中一个实施例中，所述所述根据所述写控制信号以及所述写禁用指令确定所述存储单元的工作阶段，包括：
22、对所述写控制信号和所述写禁用指令进行逻辑与非运算，获得所述使能信号，所述使能信号用于确定所述存储单元的工作阶段。
23、在其中一个实施例中，当所述存储单元工作在回写阶段，所述写位线传输的数据信号来自于所述读位线反馈给所述写位线的数据信号。
24、在其中一个实施例中，所述根据所述数据信号输出写控制信号，包括：
25、获取参考信号，并比较所述数据信号和所述参考信号的大小；
26、于所述数据信号大于或小于所述参考信号时，输出两种不同的电平信号分别作为第一输出信号本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种写字线使能电路，用于与存储单元连接，所述存储单元包括读晶体管和写晶体管，以及与所述读晶体管连接的读字线和读位线，与所述写晶体管连接的写字线和写位线，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的写字线使能电路，其特征在于，所述使能信号包括开启信号和禁用信号，所述存储单元的工作阶段包括预处理阶段、预充电阶段、读取阶段、感应阶段、回写阶段及数据写入阶段，所述启动控制电路还被配置为：获取写禁用指令，根据所述写控制信号以及所述写禁用指令确定所述存储单元的工作阶段，当所述存储单元工作在回写阶段及数据写入阶段，则向所述写字线输出所述开启信号，使得所述写字线控制所述写晶体管开启；当所述存储单元工作在预处理阶段、预充电阶段、读取阶段及感应阶段，则向所述写字线输出所述禁用信号，使得所述写字线控制所述写晶体管断开。
3.根据权利要求1所述的写字线使能电路，其特征在于，所述感测控制电路包括：
4.根据权利要求3所述的写字线使能电路，其特征在于，所述感测放大电路还具有控制端；所述控制端被配置为接收感测使能信号。
5.根据权利要求1-4任一所述的写字线
6.一种写字线使能控制方法，其特征在于，所述写字线使能控制方法应用于如权利要求1-5任一所述的写字线使能电路，所述写字线使能控制方法包括：
7.根据权利要求6所述的写字线使能控制方法，其特征在于，所述使能信号包括开启信号和禁用信号，所述存储单元的工作阶段包括预处理阶段、预充电阶段、读取阶段、感应阶段、回写阶段及数据写入阶段，所述根据所述写控制信号向所述写字线输出使能信号，包括：
8.根据权利要求7所述的写字线使能控制方法，其特征在于，所述根据所述写控制信号以及所述写禁用指令确定所述存储单元的工作阶段，包括：
9.根据权利要求7所述的写字线使能控制方法，其特征在于，当所述存储单元工作在回写阶段，所述写位线传输的数据信号来自于所述读位线反馈给所述写位线的数据信号。
10.根据权利要求6所述的写字线使能控制方法，其特征在于，所述根据所述数据信号输出写控制信号，包括：
11.根据权利要求10所述的写字线使能控制方法，其特征在于，所述存储单元的工作阶段包括预处理阶段、预充电阶段、读取阶段、感应阶段、回写阶段及数据写入阶段，当所述存储单元工作在预处理阶段、预充电阶段、读取阶段及感应阶段，所述数据信号等于所述参考信号；当所述存储单元工作在回写和数据写入阶段，所述数据信号大于或小于所述参考信号。
12.根据权利要求10所述的写字线使能控制方法，其特征在于，当所述数据信号大于所述参考信号时，所述第一输出信号为高电平信号，所述第二输出信号为低电平信号；当所述数据信号小于所述参考信号时，所述第一输出信号为低电平信号，所述第二输出信号为高电平信号。
13.根据权利要求6所述的写字线使能控制方法，其特征在于，还包括：
14.一种存储器，其特征在于，包括：
15.根据权利要求14所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括写字线驱动器和写字线解码器，所述启动控制电路通过所述写字线驱动器和所述写字线相连接，所述写字线驱动器还与所述写字先解码器相连接。
16.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求14-15任一所述的存储器。
...【技术特征摘要】
1.一种写字线使能电路，用于与存储单元连接，所述存储单元包括读晶体管和写晶体管，以及与所述读晶体管连接的读字线和读位线，与所述写晶体管连接的写字线和写位线，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的写字线使能电路，其特征在于，所述使能信号包括开启信号和禁用信号，所述存储单元的工作阶段包括预处理阶段、预充电阶段、读取阶段、感应阶段、回写阶段及数据写入阶段，所述启动控制电路还被配置为：获取写禁用指令，根据所述写控制信号以及所述写禁用指令确定所述存储单元的工作阶段，当所述存储单元工作在回写阶段及数据写入阶段，则向所述写字线输出所述开启信号，使得所述写字线控制所述写晶体管开启；当所述存储单元工作在预处理阶段、预充电阶段、读取阶段及感应阶段，则向所述写字线输出所述禁用信号，使得所述写字线控制所述写晶体管断开。
3.根据权利要求1所述的写字线使能电路，其特征在于，所述感测控制电路包括：
4.根据权利要求3所述的写字线使能电路，其特征在于，所述感测放大电路还具有控制端；所述控制端被配置为接收感测使能信号。
5.根据权利要求1-4任一所述的写字线使能电路，其特征在于，所述启动控制电路包括：
6.一种写字线使能控制方法，其特征在于，所述写字线使能控制方法应用于如权利要求1-5任一所述的写字线使能电路，所述写字线使能控制方法包括：
7.根据权利要求6所述的写字线使能控制方法，其特征在于，所述使能信号包括开启信号和禁用信号，所述存储单元的工作阶段包括预处理阶段、预充电阶段、读取阶段、感应阶段、回写阶段及数据写入阶段，所述根据所述写控制信号向所述写字线输出使能信号，包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：王丹，康卜文，巫谢帅，朱正勇，刘铭旭，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：
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