【技术实现步骤摘要】
本公开是关于电子装置，且特别是关于具有封装结构的电子装置。
技术介绍
1、封装方法包括扇入型封装或扇出型封装，其中扇出型封装例如扇出型面板级封装(fan-out panel level package，foplp)或扇出型晶圆级封装(fan-out wafer levelpackage，fowlp)技术。封装方法可于给定的区域中提升电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的整合密度，近年来广泛地应用电子装置的生产制造。
2、然而，封装结构有许多异质材料接口整合的结构(例如，重布线结构(redistribution layer，rdl)与导电垫之间的接口、凸块下金属层(under bumpmetallurgy，ubm)区域等)，异质材料的接口常因存在较大应力而容易发生脱层或剥离等问题。
3、承前述，开发可以改善电子装置的封装结构的可靠度(例如，改善接口之间的连接结构强度)仍为目前业界致力研究的课题之一。
技术实现思路
1、根据本公开一些实施例，提供一种电子装置，包含电子组件、封装层、电路结构、接合组件以及第一辅助垫，封装层围绕电子组件，电路结构与电子组件电性连接，电路结构具有连接部，接合组件与连接部重叠并且与电子组件电性连接，第一辅助垫设置于电路结构中。此外，连接部设置于第一辅助垫与接合组件之间，连接部与第一辅助垫重叠，且第一辅助垫的本质应力介于+800mpa至-1000mpa之间。
2、为让本公开的特征或优点能更明显易懂，下文特举出一些
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1.一种电子装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，其中该电子组件包括：
3.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，其中该电路结构借由该第一绝缘层的一第一通孔与该芯片电性连接。
4.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，其中该芯片具有一容置空间，该封装层的一部分设置于该容置空间中。
5.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，其中该电路结构更包括：
6.如权利要求5所述的电子装置，其特征在于，其中该第一辅助垫的宽度小于该图案化导电层的宽度。
7.如权利要求6所述的电子装置，其特征在于，其中该第一辅助垫的宽度大于等于0.3倍的该图案化导电层的宽度，且小于等于0.6倍的该图案化导电层的宽度。
8.如权利要求5所述的电子装置，其特征在于，其中该连接部的宽度大于等于0.3倍的该图案化导电层的宽度，且小于等于1.5倍的该图案化导电层的宽度。
9.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，其中该电路结构更包括：
10.如权利要求1所述的电子装置，其特征在
...【技术特征摘要】
1.一种电子装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，其中该电子组件包括：
3.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，其中该电路结构借由该第一绝缘层的一第一通孔与该芯片电性连接。
4.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，其中该芯片具有一容置空间，该封装层的一部分设置于该容置空间中。
5.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，其中该电路结构更包括：
6.如权利要求5所述的电子装置，其特征在于，其中该第一辅助垫的宽...
【专利技术属性】
技术研发人员：周佩吟，林德勋，廖文祥，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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