【技术实现步骤摘要】
本公开涉及存储器件，包括用于与外部装置交换数据输入/输出引脚的数目的数据的存储器件以及用于降低与外部装置的配置的大小和节距相关的工艺的成本的存储器件，并且本公开涉及包括这些存储器件的存储系统。
技术介绍
1、随着要由电子装置处理的数据量增加，需要具有高容量和高带宽的存储器件。为了提高存储器集成度，已经从现有的二维(2d)设置方法发展了用于堆叠存储器芯片的三维(3d)设置方法。
2、高带宽存储器(hbm)器件可以包括垂直地堆叠的半导体芯片，并且可以通过诸如贯通硅通路tsv的贯通通路电连接半导体芯片。
3、然而，由于高带宽存储器件的数据输入/输出引脚的数目和数据输入/输出的数目被固定在相对高的值，因此需要不同地配置高带宽存储器件的数据输入/输出引脚的数目和数据传送速率以适应与外部装置(例如，处理器)的互连性，所述外部装置与高带宽存储器件相比可以具有更多或更少数目的数据输入/输出引脚并且以更低的数据传送速率工作。
技术实现思路
1、在一些实现方式中，一种存储器件包括：第一核裸片(core die)和第二核裸片，所述第一核裸片和所述第二核裸片沿第一方向堆叠，所述第一核裸片包括第一存储单元并且所述第二核裸片包括第二存储单元；以及基体裸片，所述基体裸片与所述第一核裸片和所述第二核裸片一起沿所述第一方向堆叠，所述基体裸片被配置为通过贯通通路基于模式信号以不同的突发长度输出由所述第一核裸片和所述第二核裸片提供的所述第一存储单元和所述第二存储单元的数据，所述贯通通路在所述第一
2、在一些实现方式中，一种存储器件包括：第一核裸片和第二核裸片，所述第一核裸片和所述第二核裸片沿第一方向堆叠，所述第一核裸片包括第一存储单元并且所述第二核裸片包括第二存储单元；以及基体裸片，所述基体裸片与所述第一核裸片和所述第二核裸片一起沿所述第一方向堆叠，所述基体裸片被配置为通过贯通通路输出由所述第一核裸片和所述第二核裸片提供的所述第一存储单元和所述第二存储单元的数据，所述贯通通路在所述第一方向上穿过所述第一核裸片和所述第二核裸片，所述基体裸片包括第一数据凸块(bump)和第二数据凸块、第一数据寄存器、第二数据寄存器以及多路选择器(multiplexer)，所述第一数据凸块和所述第二数据凸块连接到一侧上的外部焊盘并且被配置为输出所述数据，所述第一数据寄存器连接到所述第一数据凸块，所述第二数据寄存器连接到所述第二数据凸块，所述多路选择器设置在所述第一数据寄存器与所述第二数据寄存器之间。
3、在一些实现方式中，一种存储系统包括：存储器件，所述存储器件包括沿第一方向堆叠的第一核裸片、第二核裸片和基体裸片，所述第一核裸片包括第一存储单元，所述第二核裸片包括第二存储单元，所述基体裸片被配置为通过贯通通路输出由所述第一核裸片和所述第二核裸片提供的所述第一存储单元和所述第二存储单元的数据，并且所述贯通通路在所述第一方向上穿过所述第一核裸片和所述第二核裸片到第一数据凸块；以及存储器控制器，所述存储器控制器被配置为通过第二数据凸块与所述存储器件交换数据，其中所述第二数据凸块的数目小于所述第一数据凸块的数目。
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1.一种存储器件，所述存储器件包括：
2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，
3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，
4.根据权利要求3所述的存储器件，其中，
5.根据权利要求3所述的存储器件，其中，
6.根据权利要求3所述的存储器件，其中，
7.根据权利要求1所述的存储器件，其中，
8.一种存储器件，所述存储器件包括：
9.根据权利要求8所述的存储器件，其中，
10.根据权利要求9所述的存储器件，其中，
11.根据权利要求9所述的存储器件，其中，
12.根据权利要求11所述的存储器件，其中，
13.根据权利要求11所述的存储器件，其中，
14.根据权利要求8所述的存储器件，其中，
15.根据权利要求14所述的存储器件，其中，
16.一种存储系统，所述存储系统包括：
17.根据权利要求16所述的存储系统，其中，
18.根据权利要求17所述的存储系统，其中，
19.
20.根据权利要求16所述的存储系统，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种存储器件，所述存储器件包括：
2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，
3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，
4.根据权利要求3所述的存储器件，其中，
5.根据权利要求3所述的存储器件，其中，
6.根据权利要求3所述的存储器件，其中，
7.根据权利要求1所述的存储器件，其中，
8.一种存储器件，所述存储器件包括：
9.根据权利要求8所述的存储器件，其中，
10.根据权利要求9所述的存储器件，其中，
11.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁润硕，申宰宇，安珉焕，郑允敬，郑震硕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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