【技术实现步骤摘要】
本申请涉及太阳电池，特别是涉及一种石墨舟的处理方法、石墨舟、电池片预成品的沉积方法。
技术介绍
1、太阳能作为丰富的清洁可再生能源，近年来发展迅猛。太阳能产业在产品研发、技术升级改造等方面都具有巨大的发展潜力。在perc（passivated emitter rear contact）太阳电池的生产过程中，等离子体增强化学气相沉积（plasma enhanced chemical vapordeposition，pecvd）的氮化硅（sinx）薄膜是提高太阳能电池光电转换效率的关键。太阳电池片在制造生产过程中容易引入各种缺陷造成电池片电致发光（el）测试不良，导致良品率下降。在生产过程中，石墨舟长时间暴露在环境中容易吸附杂质和水分，使用石墨舟承载电池片进行沉积处理时，石墨舟容易在电池片表面造成石墨舟舟框污染，影响电池片良率及效率。
2、然而，传统的通过氨气处理或沉积氮化硅薄膜对石墨舟进行处理，对石墨舟进行处理后降低其受到空气中杂质和水分的影响的效果较差。
技术实现思路
1、基于此，有必要提供一种石墨舟的处理方法、石墨舟、电池片预成品的沉积方法。该石墨舟的处理方法能够有效能够减少生产过程中在电池片表面出现石墨舟舟框污染的问题，提高电池片的效率及良率。
2、第一方面，本申请提供一种石墨舟的处理方法，包括：对石墨舟进行升温处理；在升温后的所述石墨舟表面沉积二氧化硅薄膜。
3、在一些实施例中，所述升温处理的温度为450℃~550℃。
4、在一
5、在一些实施例中，所述沉积二氧化硅薄膜的时间为200s~500s。
6、在一些实施例中，所述沉积二氧化硅薄膜的压力为120pa~150pa。
7、在一些实施例中，所述沉积二氧化硅薄膜的功率为5000w~15000w。
8、在一些实施例中，所述沉积二氧化硅薄膜为脉冲式沉积，在所述脉冲式沉积的每个周期中，脉冲开与脉冲关的时间比为0.02~0.25。
9、在一些实施例中，在所述脉冲式沉积的每个周期中，所述脉冲开的时间为2ms~5ms。
10、在一些实施例中，在所述脉冲式沉积的每个周期中，所述脉冲关的时间为20ms~100ms。
11、在一些实施例中，所述沉积二氧化硅薄膜在一氧化二氮气体和硅烷的混合气氛下进行二氧化硅的沉积。
12、在一些实施例中，所述一氧化二氮气体的流量为5000sccm~9000sccm。
13、在一些实施例中，所述硅烷的流量为500sccm~1500sccm。
14、第二方面，本申请提供一种石墨舟，包括石墨舟本体和位于所述石墨舟本体的表面上的二氧化硅薄膜，通过上述任一所述的石墨舟的处理方法进行处理得到。
15、在一些实施例中，所述二氧化硅薄膜的厚度为15nm~30nm。
16、第三方面，本申请提供一种电池片预成品的沉积方法，包括：提供电池片预成品；使用上述任一所述的石墨舟的处理方法对石墨舟进行处理；使用处理后的石墨舟承接所述电池片预成品，对所述电池片预成品进行沉积处理。
17、上述石墨舟的处理方法可以在石墨舟上沉积二氧化硅薄膜，二氧化硅薄膜具有比氮化硅薄膜更优异的热稳定性、绝缘性能以及化学稳定性，同时也能更加有效地降低石墨舟受到空气中的杂质和水分的影响。通过上述石墨舟的处理方法处理后，能够在进行加工时使太阳电池片不与石墨舟直接接触，能够减少生产过程中在电池片表面出现石墨舟舟框污染的问题，提高电池片的效率及良率。
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1.一种石墨舟的处理方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的石墨舟的处理方法，其特征在于，所述升温处理之后石墨舟的温度为450℃~550℃；
3.根据权利要求1所述的石墨舟的处理方法，其特征在于，所述沉积二氧化硅薄膜的时间为200s~500s；
4.根据权利要求1所述的石墨舟的处理方法，其特征在于，所述沉积二氧化硅薄膜为脉冲式沉积，在所述脉冲式沉积的每个周期中，脉冲开与脉冲关的时间比为0.02~0.25。
5.根据权利要求4所述的石墨舟的处理方法，其特征在于，在所述脉冲式沉积的每个周期中，所述脉冲开的时间为2ms~5ms；
6.根据权利要求1~5任一所述的石墨舟的处理方法，其特征在于，所述沉积二氧化硅薄膜在一氧化二氮气体和硅烷的混合气氛下进行二氧化硅的沉积。
7.根据权利要求6所述的石墨舟的处理方法，其特征在于，所述一氧化二氮气体的流量为5000sccm~9000sccm；
8.一种石墨舟，包括石墨舟本体和位于所述石墨舟本体的表面上的二氧化硅薄膜，其特征在于，通过权利要求1~7任一所述的
9.根据权利要求8所述的石墨舟，其特征在于，所述二氧化硅薄膜的厚度为15nm~30nm。
10.一种电池片预成品的沉积方法，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种石墨舟的处理方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的石墨舟的处理方法，其特征在于，所述升温处理之后石墨舟的温度为450℃~550℃；
3.根据权利要求1所述的石墨舟的处理方法，其特征在于，所述沉积二氧化硅薄膜的时间为200s~500s；
4.根据权利要求1所述的石墨舟的处理方法，其特征在于，所述沉积二氧化硅薄膜为脉冲式沉积，在所述脉冲式沉积的每个周期中，脉冲开与脉冲关的时间比为0.02~0.25。
5.根据权利要求4所述的石墨舟的处理方法，其特征在于，在所述脉冲式沉积的每个周期中，所述脉冲开的时间为2ms~5ms；
<...【专利技术属性】
技术研发人员：金强强，张磊，高书杰，任勇，石兆春，张海阳，
申请(专利权)人：横店集团东磁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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