离子束整流装置制造方法及图纸

一种离子束整流装置，包括：真空腔室，所述真空腔体的体积较大，能够容纳一个或多个磁腔单元，且使得每个磁腔单元中的两个磁腔之间预先设置有让等离子束经过的整流通道，整流磁体设置在所述磁腔中，能够对从入射口进入磁腔之间的等离子束进行精确整流，优化其路径和形态；更重要的是，因为离子束整流装置的真空腔体具有较大的空间，还能够为其他辅助设备的安装提供充足的空间，使得离子束整流装置具有较强的功能性和应用灵活性。

【技术实现步骤摘要】

本技术实施例涉及半导体，尤其涉及一种离子束整流装置。

技术介绍

1、在半导体制造领域，设备的性能和精确性对于生产高质量的半导体产品至关重要。半导体设备不仅要求具备高度的可靠性和稳定性，而且还需要适应不断增长的工艺需求，例如更大晶圆尺寸和更复杂的集成电路设计。随着半导体工艺的不断演进，从8英寸晶圆向18英寸发展，设备也必须随之升级，以保持工艺的高效性和经济性。因此，半导体设备的设计和功能创新对于满足行业不断变化的需求至关重要。

2、由于先进制程工艺的发展，离子注入设备对于制造现代集成电路是不可或缺的。在离子注入设备中，离子束整流装置扮演着一个关键角色。其中四极磁体对于保证等离子束的精确整流尤为关键。但是真空腔体制作工艺以及电气连接的限制，四极磁体不可直接放置于真空腔体内。

技术实现思路

1、本技术实施例解决的问题是提供一种离子束整流装置，用于调整等离子束的形态。

2、为解决上述问题，本技术实施例提供一种离子束整流装置，用于对等离子束进行整流，其特征在于，包括：真空腔体；一个或多个磁腔单元，沿预设的射束路径方向间隔设置在所述真空腔体内，每个所述磁腔单元包括两个磁腔，两个所述磁腔并排设置且分别位于所述射束路径的两侧，在所述磁腔之间形成整流通道；整流磁体，设置在所述磁腔中；出射口和入射口分别位于所述真空腔体中预设的射束路径的两端。

3、可选的，所述整流磁体包括在所述预设的射束路径方向上间隔设置第一磁体、第二磁体和第三磁体。

4、可选的，一个或多个所述磁腔单元包括的两个所述磁腔之间夹角小于10度。

5、可选的，所述磁腔单元的数量为一个，所述整流磁体的数量为多个，多个整流磁体同时设置在一个磁腔单元中；或者，所述磁腔单元和整流磁体均为多个，且所述磁腔单元的数量和整流磁体的数量相同，每个所述磁腔单元中设置一个整流磁体；或者，所述磁腔单元的数量为多个，且所述整流磁体的数量多于所述磁腔单元的数量，多个所述整流磁体不均等的分散设置在多个所述磁腔单元中。

6、可选的，所述真空腔体呈长方体，所述真空腔体包括：第一侧壁，所述第一侧壁沿射束路径方向设置，所述第一侧壁上设置有一个或多个相间隔的贯通孔，每个所述贯通孔上均设置有基板。

7、可选的，所述真空腔体还包括：加强筋，位于相邻所述贯通孔之间的第一侧壁的底部。

8、可选的，所述离子束整流装置包括：基板密封圈，位于所述第一侧壁上的贯通孔的外围区域和基板之间；所述磁腔的一端设置有开口；所述离子束整流装置包括：磁腔密封圈，位于磁腔中开口的端部和所述基板之间。

9、可选的，所述整流磁体包括支架；所述基板上设置有贯通的基板开口；所述整流磁体的支架伸出所述基板开口，且与所述基板固定连接。

10、可选的，所述真空腔体包括：第一侧壁，所述第一侧壁沿射束路径方向设置，所述一个或多个磁腔单元直接设置在所述第一侧壁上。

11、可选的，所述离子束整流装置还包括：石墨件、束流测量装置、真空测量装置以及负压产生装置，放置在所述真空腔体内壁或嵌设在所述真空腔体侧壁上。

12、与现有技术相比，本技术实施例的技术方案具有以下优点：

13、本技术实施例提供的离子束整流装置中真空腔体的体积较大，能够容纳一个或多个磁腔单元，且使得每个磁腔单元中的两个磁腔之间预先设置有让等离子束经过的整流通道，整流磁体设置在所述磁腔中，能够对从入射口进入磁腔之间的等离子束进行精确整流，优化其路径和形态；更重要的是，因为离子束整流装置的真空腔体具有较大的空间，还能够为其他辅助设备的安装提供充足的空间，使得离子束整流装置具有较强的功能性和应用灵活性。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种离子束整流装置，用于对等离子束进行整流，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的离子束整流装置，其特征在于，所述整流磁体包括在所述预设的射束路径方向上间隔设置第一磁体、第二磁体和第三磁体。

3.如权利要求1所述的离子束整流装置，其特征在于，一个或多个所述磁腔单元包括的两个所述磁腔之间夹角小于10度。

4.如权利要求1所述的离子束整流装置，其特征在于，所述磁腔单元的数量为一个，所述整流磁体的数量为多个，多个整流磁体同时设置在一个磁腔单元中；

5.如权利要求1所述的离子束整流装置，其特征在于，所述真空腔体呈长方体，所述真空腔体包括：

6.如权利要求5所述的离子束整流装置，其特征在于，所述真空腔体还包括：加强筋，位于相邻所述贯通孔之间的第一侧壁的底部。

7.如权利要求5所述的离子束整流装置，其特征在于，所述离子束整流装置包括：

8.如权利要求5所述的离子束整流装置，其特征在于，所述整流磁体包括支架；

9.如权利要求1所述的离子束整流装置，其特征在于，所述真空腔体包括：

10.如权利要求1所述的离子束整流装置，其特征在于，所述离子束整流装置还包括：石墨件、束流测量装置、真空测量装置以及负压产生装置，放置在所述真空腔体内壁或嵌设在所述真空腔体侧壁上。

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【技术特征摘要】

1.一种离子束整流装置，用于对等离子束进行整流，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的离子束整流装置，其特征在于，所述整流磁体包括在所述预设的射束路径方向上间隔设置第一磁体、第二磁体和第三磁体。

3.如权利要求1所述的离子束整流装置，其特征在于，一个或多个所述磁腔单元包括的两个所述磁腔之间夹角小于10度。

4.如权利要求1所述的离子束整流装置，其特征在于，所述磁腔单元的数量为一个，所述整流磁体的数量为多个，多个整流磁体同时设置在一个磁腔单元中；

5.如权利要求1所述的离子束整流装置，其特征在于，所述真空腔体呈长方体，所述真空腔体包...

【专利技术属性】
技术研发人员：王占柱，李轩，杨立军，孟庆栋，洪俊华，夏世伟，陈克禄，李勇军，
申请(专利权)人：上海凯世通半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：