【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及封装天线领域，具体涉及一种基于紧耦合理论ltcc的集成天线及其应用。
技术介绍
1、在微电子技术的发展下，现代通信系统对元器件的性能指标提出了高标准，尤其是对小型化、高集成度以及卓越性能的迫切需求，促使ltcc（低温共烧陶瓷）天线技术成为了研究与应用的前沿；ltcc封装天线凭借其优异的材料特性（如高介电常数、低损耗、良好的热稳定性和机械强度），在毫米波频段无线通信系统中展现出应用价值，不仅有效缩小了天线尺寸，还显著提升了系统的整体性能与可靠性。
2、与此同时，相控阵天线技术也是3d系统级封装技术的重要组成部分，尽管单个相控阵天线单元的增益可能有限，但通过精密设计与优化排列，将这些单元组合成阵列后，能够利用波束合成原理实现极高的阵列增益和灵活的波束指向控制，从而极大地增强了通信系统的覆盖范围、信号强度和抗干扰能力，这与紧耦合天线设计的理论相似，因此如何将紧耦合理论设计应用在封装天线中是本领域人员要解决的问题。
技术实现思路
1、针对现有技术中提到的问题，本专利技术提出一种基于紧耦合理论ltcc的集成天线及其应用，基于相控阵的设计思路并采用matlab仿真软件验证了所设计天线具有的相控阵的潜在应用，为紧耦合集成相控阵天线的设计提供了实际性的解决方案，对于紧耦合相控阵列天线在无线通信领域中的应用具有特别的指导意义。
2、为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
3、本专利技术一种基于紧耦合理论的ltcc集成天线，包括由上至下依次相连
4、作为本专利技术进一步改进，x极化辐射贴片与y极化辐射贴片交叠面积控制耦合大小。
5、作为本专利技术进一步改进，x极化辐射贴片的中心轴线与y极化辐射贴片的中心轴线之间相垂直。
6、作为本专利技术进一步改进，还包括接地通孔，所述接地通孔一端与第一金属地板相连，另一端与x极化辐射贴片或y极化辐射贴片相连。
7、作为本专利技术进一步改进，还包括馈电端口，所述馈电端口一端与圆极化器馈电网络相连，另一端与x极化辐射贴片或y极化辐射贴片相连。
8、作为本专利技术进一步改进，所述圆极化器馈电网络包括若干路输出的圆极化器以及馈电接头，所述圆极化器设有四个端口，每个端口相连有微带传输线，微带传输线通过同轴线与馈电接头相连。
9、作为本专利技术进一步改进，每个端口等间距排布有多个隔离孔。
10、作为本专利技术进一步改进，其中两个端口与所述馈电端口相连，另外两个端口作为输入端端口。
11、作为本专利技术进一步改进，每个端口为50ω同轴馈电。
12、一种基于紧耦合理论的ltcc集成天线的应用，所述天线应用于雷达、通信系统以及电子对抗系统。
13、本专利技术相对于现有技术，取得了以下的技术效果：
14、本专利技术将ltcc应用于结构中，通过ltcc较高的介电常数有利于电子器件的小型化，实现了超宽带、高增益的效果，同时通过验证本结构的低剖面、宽频带的性能，与现有技术相比，本专利技术结构设计能达到更好的效果，解决了在现有结构在通信系统应用受限的问题。
15、本专利技术通过独立设计圆极化器，可以实现多层板设计并可通过灵活的设计金属化通孔实现层间互连，有利于提高封装天线的集成度；可以与同样将多芯片在垂直方向上进行堆叠并互连的三维多芯片组件技术结合，实现系统的集成度，具有的相控阵的潜在应用。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种基于紧耦合理论的LTCC集成天线，其特征在于，包括由上至下依次相连的上层介质层、天线阵列、下层介质层、第一金属地板、圆极化器馈电网络以及第二金属地板；
2.根据权利要求1所述一种基于紧耦合理论的LTCC集成天线，其特征在于，X极化辐射贴片与Y极化辐射贴片交叠面积控制耦合大小。
3.根据权利要求1所述一种基于紧耦合理论的LTCC集成天线，其特征在于，X极化辐射贴片的中心轴线与Y极化辐射贴片的中心轴线之间相垂直。
4.根据权利要求1所述一种基于紧耦合理论的LTCC集成天线，其特征在于，还包括接地通孔，所述接地通孔一端与第一金属地板相连，另一端与X极化辐射贴片或Y极化辐射贴片相连。
5.根据权利要求1所述一种基于紧耦合理论的LTCC集成天线，其特征在于，还包括馈电端口，所述馈电端口一端与圆极化器馈电网络相连，另一端与
6.根据权利要求1所述一种基于紧耦合理论的LTCC集成天线，其特征在于，所述圆极化器馈电网络包括若干路输出的圆极化器以及馈电接头，所述圆极化器设有四个端口，每个端口相连有微带传输线，微带传输线通过同轴线与
7.根据权利要求6所述一种基于紧耦合理论的LTCC集成天线，其特征在于，每个端口等间距排布有多个隔离孔。
8.根据权利要求6所述一种基于紧耦合理论的LTCC集成天线，其特征在于，其中两个端口与所述馈电端口相连，另外两个端口作为输入端端口。
9.根据权利要求6所述一种基于紧耦合理论的LTCC集成天线，其特征在于，每个端口为50Ω同轴馈电。
10.一种根据权利要求1～9任一项所述的基于紧耦合理论的LTCC集成天线的应用，其特征在于，所述天线应用于雷达、通信系统以及电子对抗系统。
...【技术特征摘要】
1.一种基于紧耦合理论的ltcc集成天线，其特征在于，包括由上至下依次相连的上层介质层、天线阵列、下层介质层、第一金属地板、圆极化器馈电网络以及第二金属地板；
2.根据权利要求1所述一种基于紧耦合理论的ltcc集成天线，其特征在于，x极化辐射贴片与y极化辐射贴片交叠面积控制耦合大小。
3.根据权利要求1所述一种基于紧耦合理论的ltcc集成天线，其特征在于，x极化辐射贴片的中心轴线与y极化辐射贴片的中心轴线之间相垂直。
4.根据权利要求1所述一种基于紧耦合理论的ltcc集成天线，其特征在于，还包括接地通孔，所述接地通孔一端与第一金属地板相连，另一端与x极化辐射贴片或y极化辐射贴片相连。
5.根据权利要求1所述一种基于紧耦合理论的ltcc集成天线，其特征在于，还包括馈电端口，所述馈电端口一端与圆极化器馈电网络相连，...
【专利技术属性】
技术研发人员：贺鹏超，边明明，赵天乐，张宇，陈建忠，刘曦，
申请(专利权)人：西安微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。