【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制造设备，尤其涉及一种立式化学气相沉积炉。
技术介绍
1、现有技术中的一种立式化学气相沉积炉的结构，如图1和图2所示，包括外管101，设于外管101内部的内管102。内管102作为沉积反应腔室，内部设有晶舟103和喷气管105。晶舟103上沿竖向间隔放置有晶圆。喷气管105的数量因沉积膜的要求或工艺要求不同，可设置一个或多个。喷气管105沿晶舟103的轴向延伸且设置于晶舟的一侧，喷气管105的进气口104有两个。两种气体同时进入喷气管105预混后喷出。喷气管105的喷气口为竖直间隔排列的多个正对晶圆间隙的圆孔。喷气管105对向的内管102侧壁设有通孔107。通孔107的形状为竖直间隔排列的多个圆孔或缝隙。炉子的底部还设有排气口106。
2、进行化学气相沉积反应时，由于喷气管105喷出气体的自重，且排气口106位于炉子底部，底部的抽力较大，喷气管105喷出的气流会略微向斜下方向运动(如图1)，导致炉管内顶部区域气流较少，底部气流较多，从而使上下不同位置的晶圆的沉积膜厚度不一致，每片晶圆上的沉积膜厚度也不均匀。
3、同时由于喷气管105上喷气口与内管侧壁通孔都为竖直方向排布，喷气管105喷出的气体较为集中地从中间区域通过晶圆10表面(如图2)，结合晶舟在化学气相沉积时会带动晶圆旋转，最终会导致晶圆中心区域的膜厚高于四周区域。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题是提供一种能够促进晶圆的沉积膜厚度保持一致的立式化学气相沉积炉，以克服现有
2、为解决上述技术问题，本专利技术采用如下的技术方案：
3、一种立式化学气相沉积炉，其包括底座、罩在底座上的外管和内管，所述内管位于所述外管内部，所述内管内设有竖向的晶舟以及位于所述晶舟一侧的沿所述晶舟轴向延伸的喷气管，所述喷气管上沿轴向间隔分布有朝向所述晶舟的喷气口，所述内管的相对所述喷气管的侧壁上沿轴向间隔分布有出气口，所述内管的具有出气口的侧壁与所述外管之间具有与外界相通的出气通道，所述内管的顶壁分布有吸气孔。
4、通过在内部的顶壁分布有吸气孔，当经喷气管的喷气口喷入气体后，在内管形成向内部出气口运动的气流，通过内管顶部的吸气孔可以对内管内流经晶面表面的气体进行向上吸气，可以纠偏气流原先会略微向斜下方运动的趋势，促进炉内气流保持水平运动，促进气流在炉内不同区域分布均匀，进而促使炉内上下不同位置的晶圆沉积膜厚度一致以及每片晶圆沉积膜厚度均匀。
5、另外，在本专利技术中，所述喷气口和所述出气口均为横向延伸结构。所述横向延伸结构可以是一排通孔或者横向缝隙。例如，喷气管上的喷气口为横向排列的一排通孔，所述内管上的出气口为横向缝隙。
6、通过将喷气口和出气口设置成横向延伸结构，这样从喷气口喷出的气体会水平扩散地经过晶圆的表面，相对于现有技术中的集中型气流，本专利技术的内管中的气体的散布范围更广、更均匀，从而使得晶圆上的沉积膜厚度更均匀，减少晶圆沉积膜中心凸出的现象。
7、因此，本专利技术的立式化学气相沉积炉具有促进炉内不同位置的晶圆的沉积膜厚度一致以及提高每片晶圆上沉积膜厚度均匀性的优点。
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1.一种立式化学气相沉积炉，其包括底座、罩在底座上的外管和内管，所述内管位于所述外管内部，所述内管内设有竖向的晶舟以及位于所述晶舟一侧的沿所述晶舟轴向延伸的喷气管，所述喷气管上沿轴向间隔分布有朝向所述晶舟的喷气口，所述内管的相对所述喷气管的侧壁上沿轴向间隔分布有出气口，所述内管的具有出气口的侧壁与所述外管之间具有与外界相通的出气通道，其特征在于：所述内管的顶壁分布有吸气孔。
2.根据权利要求1所述的立式化学气相沉积炉，其特征在于：所述内管的顶壁和外管的顶壁之间具有与出气通道连通的顶部通道，所述出气通道连接负压发生装置。
3.根据权利要求1所述的立式化学气相沉积炉，其特征在于：所述喷气口为横向延伸结构。
4.根据权利要求1所述的立式化学气相沉积炉，其特征在于：所述出气口为横向延伸结构。
5.根据权利要求3或4所述的立式化学气相沉积炉，其特征在于：所述横向延伸结构为一排通孔或者横向缝隙。
6.根据权利要求1所述的立式化学气相沉积炉，其特征在于：所述内管的顶壁上靠近出气口的区域相比靠近喷气管的区域，所述吸气孔分布得更密。>
7.根据权利要求1所述的立式化学气相沉积炉，其特征在于：所述喷气管的下端具有两个进气口。
8.根据权利要求1所述的立式化学气相沉积炉，其特征在于：其中一个进气口位于所述喷气管延伸出来的直管段上，另一个进气口位于从所述喷气管旁侧支出的弯管段上。
9.根据权利要求1所述的立式化学气相沉积炉，其特征在于：所述吸气孔单独连接到负压发生装置。
...【技术特征摘要】
1.一种立式化学气相沉积炉，其包括底座、罩在底座上的外管和内管，所述内管位于所述外管内部，所述内管内设有竖向的晶舟以及位于所述晶舟一侧的沿所述晶舟轴向延伸的喷气管，所述喷气管上沿轴向间隔分布有朝向所述晶舟的喷气口，所述内管的相对所述喷气管的侧壁上沿轴向间隔分布有出气口，所述内管的具有出气口的侧壁与所述外管之间具有与外界相通的出气通道，其特征在于：所述内管的顶壁分布有吸气孔。
2.根据权利要求1所述的立式化学气相沉积炉，其特征在于：所述内管的顶壁和外管的顶壁之间具有与出气通道连通的顶部通道，所述出气通道连接负压发生装置。
3.根据权利要求1所述的立式化学气相沉积炉，其特征在于：所述喷气口为横向延伸结构。
4.根据权利要求1所述的立式化学气...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈曦明，谢永明，杜文正，曹峰峰，陆思健，冯凯，
申请(专利权)人：上海至纯半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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