【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电容设计，具体涉及一种电容器件及集成电路。
技术介绍
1、mom电容(metal-oxide-metal capacitor)是一种常见的电容器件结构，广泛应用于集成电路中。它由两个金属电极及之间的氧化物层组成，具有高电容密度和良好的电性能，可以在电路中承载超高电压。
2、由于电容自带的充放电属性，会在附近其它电路中产生耦合现象，使得电路信号产生紊乱，进而导致电路功能出现异常。因此，在电路布局中如何避免超高压电容对电路功能的影响，是目前亟需改进的问题。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本申请提供了一种电容器件及集成电路，可以很好的解决电容上的电压突变过程带给电路其他器件的寄生效应，避免电容对外围电路的干扰影响。
2、根据本申请第一方面，提供了一种电容器件，其中，包括：
3、电容单元，具有第一极板、第二极板、以及所述第一极板和所述第二极板之间的第一介质层；
4、隔离环，围绕在所述电容单元周围；
5、第一隔离板，设置于所述第一极板远离所述第二极板的一侧，并覆盖所述第一极板以及所述电容单元和所述隔离环之间的间隙，
6、其中，所述隔离环和所述第一隔离板上施加有固定电位，使得所述隔离环和所述第一隔离板能够实现对所述电容单元的电荷屏蔽。
7、可选地，所述隔离环包括：多层金属层、以及位于任意相邻两个金属层之间的第二介质层和贯穿所述第二介质层的多个过孔，
8、其中，所述多个过孔围绕所述
9、可选地，所述多个过孔中，位于相邻行或相邻列的过孔彼此错位设置。
10、可选地，所述第一极板与所述隔离环的第一金属层位于同一层，所述第二极板与所述隔离环的第二金属层位于同一层。
11、可选地，所述第一隔离板为多晶硅层，所述第一隔离板与所述隔离环的第一金属层之间通过多个金属柱相连。
12、可选地，所述第一隔离板与所述隔离环中的第三金属层为同一金属板，所述第三金属层位于所述第一金属层远离所述第二金属层的一侧。
13、可选地，所述电容器件还包括：
14、第二隔离板，设置于所述第二极板远离所述第一极板的一侧，所述第二隔离板上施加有固定电位，且所述第二隔离板上设置有通孔，所述第一极板和所述第二极板通过所述通孔实现外接引出。
15、可选地，所述第二隔离板与所述隔离环中的第四金属层为同一金属板，所述第四金属层位于所述第二金属层远离所述第一金属层的一侧。
16、可选地，所述固定电位为接地电位。
17、可选地，当所述隔离环中的金属层以及所述电容单元中的上极板和下极板存在拐角时，在每个拐角处形成有倒角。
18、根据本申请第二方面，提供了一种集成电路，其中，包括如本申请任一实施例所述的电容器件。
19、本申请的有益效果至少包括：
20、本申请实施例在电容单元(本文中可简称为电容)的侧边设置有隔离环，在电容的第一极板(对应电容的上极板和下极板中的任一)处设置有第一隔离板，通过在隔离环和第一隔离板上施加固定电位使之能够充当电容的电荷屏蔽层，有效的降低了电容上的电压突变过程带给电路其他器件的寄生效应，避免了电容对外围电路的干扰影响。
21、应当说明的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
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1.一种电容器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电容器件，其中，所述隔离环包括：多层金属层、以及位于任意相邻两个金属层之间的第二介质层和贯穿所述第二介质层的多个过孔，
3.根据权利要求2所述的电容器件，其中，所述多个过孔中，位于相邻行或相邻列的过孔彼此错位设置。
4.根据权利要求2所述的电容器件，其中，所述第一极板与所述隔离环的第一金属层位于同一层，所述第二极板与所述隔离环的第二金属层位于同一层。
5.根据权利要求4所述的电容器件，其中，所述第一隔离板为多晶硅层，所述第一隔离板与所述隔离环的第一金属层之间通过多个金属柱相连。
6.根据权利要求4所述的电容器件，其中，所述第一隔离板与所述隔离环中的第三金属层为同一金属板，所述第三金属层位于所述第一金属层远离所述第二金属层的一侧。
7.根据权利要求4所述的电容器件，其中，所述电容器件还包括：
8.根据权利要求1-7中任一项所述的电容器件，其中，所述固定电位为接地电位。
9.根据权利要求1所述的电容器件，其中，当所述隔离环中的金
10.一种集成电路，其特征在于，包括如权利要求1-9中任一项所述的电容器件。
...【技术特征摘要】
1.一种电容器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电容器件，其中，所述隔离环包括：多层金属层、以及位于任意相邻两个金属层之间的第二介质层和贯穿所述第二介质层的多个过孔，
3.根据权利要求2所述的电容器件，其中，所述多个过孔中，位于相邻行或相邻列的过孔彼此错位设置。
4.根据权利要求2所述的电容器件，其中，所述第一极板与所述隔离环的第一金属层位于同一层，所述第二极板与所述隔离环的第二金属层位于同一层。
5.根据权利要求4所述的电容器件，其中，所述第一隔离板为多晶硅层，所述第一隔离板与所述隔离环的第一金属层之间通过多个...
【专利技术属性】
技术研发人员：葛薇薇，
申请(专利权)人：杰华特微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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