【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种减小套准标记在去光阻时损伤的方法。
技术介绍
1、半导体由下到上的结构顺序是衬底、涂膜、抗反射层、光刻胶，其中涂膜由下到上的结构顺序是barc(底部抗反射涂层)和pr(光刻胶层)，一般光刻胶层涂布在底部抗反射涂层表面。当晶圆上的光刻胶图形不符合要求时，会进行返工(pr rework)一般采用刻蚀去胶处理再采用进行清洗，以达到去除光刻胶，进行返工重做的目的。
2、ovl(overlay，套准)用于检测曝光机当前和前层套刻精确度，当层和前层markprofile(标记轮廓)的形貌与套刻精确度紧密相关。在半导体刻蚀工艺进入90nm后需要在晶圆的表面加入硬掩模层配合光刻胶形成标记轮廓的掩膜图案，例如，在刻蚀掩模结构中先加入图案化膜层apf(advanced patterning film)，其作为一种特殊的半导体材料，具有高稳定性、优异的导电性和较低的能带间隙。apf沉积属于cvd(chemical vapordeposition，化学气相沉积)工艺。由于气体乙炔(c2h2)在等离子体作用下裂解成无定形碳，覆盖在晶圆上形成碳膜，它的主要成分是无定形碳，具有较高的刻蚀选择比，在刻蚀时可以替代光刻胶形成图案，充当掩模层。apf通常应用在高深宽比刻蚀工艺中，但在刻蚀高深宽比apf膜层过程中，侧壁容易保护不充分，由于一部分各向同性刻蚀以及基地反射现象，apf中上部分往往最先出现严重的横向刻蚀现象，严重的横向刻蚀现象导致该部分承重能力较差，头部apf发生倾斜粘连现象，特别是，在zero layer(零层)
3、通常，通过优化膜层的结构来抵御对应套准标记的损伤，然而额外的增加/减小膜层也带来蚀刻工艺的复杂化，同时也大大增加了应用成本。由于光阻返工与正常过货的产品相比占比低，为了优化返工而在正常产品工艺中增加膜层大大增加了成本和难度。在apf刻蚀工艺中，通常在增加保护气体比例，以在apf形成一层额外的绝缘保护层，从而缓解由基片反射导致的严重横向刻蚀现象。但是增加保护气体的比例后，容易在apf表面形成一层绝缘保护膜，对侧壁的横向刻蚀产生阻碍作用，保护气体同时会与横向apf形成保护层，容易导致横向方向和竖直方向的刻蚀速度，还会造成关键尺寸的传递发生偏移，降低刻蚀速率。
4、在另一种方法中，使用solevent(丙二醇甲醚ch3och2ch(oh)ch3&丙二醇甲醚醋酸酯ch3och2ch(oac)ch3等)将光刻胶去除，刻蚀去除抗反射层，进行刻蚀和清洗工艺，基于h2o2+h2so4去除apf，然后重新长apf和抗反射层等膜层。该方法通过对不同膜层分开去除，然后重新生长所需要的膜层以达到套准标记完整性的目的，但该方法在量产工艺中大大增加了芯片制造时间和成本，并且使用solevent去除光刻胶存在去除不干净的风险。因此，需要提出一种新的方法来解决上述问题。
技术实现思路
1、针对现有技术中的问题，本申请的目的在于提供一种减小套准标记在去光阻时损伤的方法，改善晶圆光刻返工去除光刻胶的过程对高深宽比及存在套准标记掩膜薄弱点位置中掩膜溶解的问题，减少对套准标记的破坏，提高产品良品率，保证套准标记的完整性和准确性。
2、本申请实施例提供一种减小套准标记在去光阻时损伤的方法，包括：
3、提供一待去除光阻的半导体结构，所述结构包括衬底、位于衬底一侧的套准标记掩模层以及位于套准标记掩模层背离衬底的一侧的光刻胶层，所述半导体结构中形成有沟槽；
4、刻蚀去除所述半导体结构的光刻胶层，其中，在刻蚀过程中加入二氧化硫保护气体，对所述套准标记掩模层的侧壁进行保护；
5、对所述半导体结构进行清洗；
6、在清洗后的所述半导体结构的表面重新涂布新的光刻胶。
7、在一些实施例中，所述待去除光阻的半导体结构中，所述衬底与所述套准标记掩模层之间还依次形成有氧化层和氮化硅层。
8、在一些实施例中，所述待去除光阻的半导体结构中，所述套准标记掩模层和所述光刻胶层之间还形成有介电抗反射涂层。
9、在一些实施例中，所述刻蚀去除所述半导体结构的光刻胶层，包括：通过基于等离子体反应的薄膜刻蚀技术刻蚀去除所述半导体结构的光刻胶层。
10、在一些实施例中，所述刻蚀去除所述半导体结构的光刻胶层，包括：利用氧气，通过基于等离子体反应的薄膜刻蚀技术刻蚀去除所述半导体结构的光刻胶层。
11、在一些实施例中，对所述半导体结构进行清洗，包括对所述半导体结构进行湿法清洗。
12、在一些实施例中，对所述半导体结构进行湿法清洗，包括：采用h2o2和h2so4溶液对所述半导体结构进行湿法清洗。
13、在一些实施例中，对所述半导体结构进行湿法清洗，包括：采用solevent溶液对所述半导体结构进行湿法清洗。
14、在一些实施例中，所述套准标记掩模层为基于无定形碳的图案化膜层。
15、在一些实施例中，所述在清洗后的所述半导体结构的表面重新涂布新的光刻胶之前，还包括如下步骤：
16、在清洗后的所述半导体结构的表面重新涂布介电抗反射涂层。
17、本申请所提供的减小套准标记在去光阻时损伤的方法具有如下优点：
18、通过采用本申请的方法，在刻蚀去除光刻胶时，增加二氧化硫气体对套准标记掩膜层的侧壁进行保护，减小了掩模层的侧壁腐蚀，缓解由晶圆反射导致的严重横向刻蚀现象。在光刻胶返工时，可以较为均匀地溶解光刻胶及相应的膜层，通过控制刻蚀时间，可以得到较为理想的套准标记轮廓，从而保证了套准标记的完整性和准确性，有利于提高套准测量的精确度，有利于提高产品良率。
19、本申请的其他优点、目标和特征在某种程度上将在随后的说明书中进行阐述，并且在某种程度上，基于对下文的考察研究对本领域技术人员而言将是显而易见的，或者可以从本申请的实践中得到教导。本申请的目标和其他优点可以通过下面的说明书来实现和获得。
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1.一种减小套准标记在去光阻时损伤的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的减小套准标记在去光阻时损伤的方法，其特征在于，所述待去除光阻的半导体结构中，所述衬底与所述套准标记掩模层之间还依次形成有氧化层和氮化硅层。
3.根据权利要求1所述的减小套准标记在去光阻时损伤的方法，其特征在于，所述待去除光阻的半导体结构中，所述套准标记掩模层和所述光刻胶层之间还形成有介电抗反射涂层。
4.根据权利要求1所述的减小套准标记在去光阻时损伤的方法，其特征在于，所述刻蚀去除所述半导体结构的光刻胶层，包括：通过基于等离子体反应的薄膜刻蚀技术刻蚀去除所述半导体结构的光刻胶层。
5.根据权利要求1所述的减小套准标记在去光阻时损伤的方法，其特征在于，所述刻蚀去除所述半导体结构的光刻胶层，包括：利用氧气，通过基于等离子体反应的薄膜刻蚀技术刻蚀去除所述半导体结构的光刻胶层。
6.根据权利要求1所述的减小套准标记在去光阻时损伤的方法，其特征在于，对所述半导体结构进行清洗，包括对所述半导体结构进行湿法清洗。
7.根据权利要求6所述的
8.根据权利要求6所述的减小套准标记在去光阻时损伤的方法，其特征在于，对所述半导体结构进行湿法清洗，包括：采用solevent溶液对所述半导体结构进行湿法清洗。
9.根据权利要求1所述的减小套准标记在去光阻时损伤的方法，其特征在于，所述套准标记掩模层为基于无定形碳的图案化膜层。
10.根据权利要求1所述的减小套准标记在去光阻时损伤的方法，其特征在于，所述在清洗后的所述半导体结构的表面重新涂布新的光刻胶之前，还包括如下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种减小套准标记在去光阻时损伤的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的减小套准标记在去光阻时损伤的方法，其特征在于，所述待去除光阻的半导体结构中，所述衬底与所述套准标记掩模层之间还依次形成有氧化层和氮化硅层。
3.根据权利要求1所述的减小套准标记在去光阻时损伤的方法，其特征在于，所述待去除光阻的半导体结构中，所述套准标记掩模层和所述光刻胶层之间还形成有介电抗反射涂层。
4.根据权利要求1所述的减小套准标记在去光阻时损伤的方法，其特征在于，所述刻蚀去除所述半导体结构的光刻胶层，包括：通过基于等离子体反应的薄膜刻蚀技术刻蚀去除所述半导体结构的光刻胶层。
5.根据权利要求1所述的减小套准标记在去光阻时损伤的方法，其特征在于，所述刻蚀去除所述半导体结构的光刻胶层，包括：利用氧气，通过基于等离子体反应的薄膜刻蚀技术刻蚀去除所述半导体结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱才超，郑光前，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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