【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，具体而言，涉及一种芯片封装方法、芯片封装结构及电子设备。
技术介绍
1、在现有的芯片封装埋入工艺中，通常会通过永久键合胶和/或焊点将中介层和基板进行电连接，并通过研磨处理去除键合胶和/或焊点，以暴露中介层上的导电引线，并制作与上述导电引线电气连接的重布线层。但在上述过程中，在通过研磨处理去除键合胶和/或焊点的过程中，可能会出现机械应力损伤、研磨微粒污染或研磨不均匀等不良情况，产品可靠性不高。
技术实现思路
1、为了至少克服现有技术中的上述不足，本申请的目的在于提供一种芯片封装方法、芯片封装结构及电子设备。
2、第一方面，本申请实施例提供一种芯片封装方法、芯片封装结构及电子设备，所述芯片封装方法包括：
3、提供第一载板，在所述第一载板的一侧制作第一临时键合层；
4、在所述第一临时键合层远离所述第一载板的一侧制作中介层，其中，所述中介层包括贯穿所述中介层的导电引线，所述导电引线的延伸方向垂直于所述中介层所在的平面；
5、在所述中介层远离所述第一载板的一侧制作第一重布线层，所述第一重布线层远离所述第一载板的一侧设置有第一导电凸块，所述第一重布线层与所述导电引线电连接；
6、在所述第一重布线层远离所述第一载板的一侧制作芯片层，所述芯片层包括至少一个功能芯片，所述功能芯片的电极侧朝向所述第一重布线层设置，所述功能芯片的电极侧通过所述第一导电凸块与所述第一重布线层电连接。
7、在一种可能的实现方式中，
8、提供一第二载板，在所述第二载板的一侧制作第一导电引线，其中，所述第一导电引线的延伸方向垂直于所述第二载板所在的平面；
9、对制作好所述第一导电引线的第二载板进行塑封处理，形成包埋所述第一导电引线的第一互联层，并对所述第一互联层进行研磨处理，直至暴露全部所述第一导电引线；
10、对研磨处理后的第一互联层进行图案化处理，形成第一互联结构，其中，所述第一互联结构包括围合而成的空腔，所述空腔贯穿所述第一互联结构。
11、在一种可能的实现方式中，所述在所述第一临时键合层远离所述第一载板的一侧制作中介层的步骤，包括：
12、在所述第一临时键合层远离所述第一载板的一侧放置至少一个所述第一互联结构，其中，所述第一互联结构包括贯穿所述第一互联结构的空腔和第一导电引线；
13、将所述第二互联结构放置于所述空腔内，并对位于所述空腔内的第二互联结构进行塑封处理，形成第一塑封层，其中，所述第一塑封层用于将所述第二互联结构限位固定在所述空腔内，所述第二互联结构包括贯穿所述第二互联结构的第二导电引线；
14、对形成的所述第一塑封层进行研磨，直至暴露所述第一导电引线与所述第二导电引线，得到所述中介层。
15、在一种可能的实现方式中，所述在所述第一重布线层远离所述第一载板的一侧制作芯片层的步骤，包括：
16、将至少一个功能芯片放置于所述第一重布线层远离所述第一载板的一侧，并将所述功能芯片的电极与所述第一导电凸块进行焊接；
17、对焊接好所述功能芯片的第一重布线层进行塑封，在所述第一重布线层设置所述功能芯片的一侧形成包裹所述功能芯片的第二塑封层；
18、对所述第二塑封层进行研磨，直至暴露所述功能芯片，得到所述芯片层。
19、在一种可能的实现方式中，所述在所述第一重布线层远离所述第一载板的一侧制作芯片层的步骤之后，所述方法还包括制作第二重布线层的步骤，该步骤包括：
20、去除所述第一临时键合层，将制作好所述芯片层的中介层与所述第一载板分离；
21、提供第三载板，将制作好所述芯片层的中介转移至所述第三载板，所述芯片层远离所述第一重布线层的一侧与所述第三载板接触；
22、在所述中介层远离所述第三载板的一侧制作第二重布线层，所述第二重布线层远离所述第三载板的一侧设置有第二导电凸块；
23、在所述第二重布线层远离所述第三载板的一侧进行置球处理，得到与所述第二重布线层电连接的导电球，所述导电球通过所述重布线层中的走线以及所述导电引线与所述第一重布线层电连接。
24、在一种可能的实现方式中，所述在所述第二重布线层远离所述第三载板的一侧进行置球处理，得到与所述第二重布线层电连接的导电球之后，所述方法还包括：
25、去除所述第三载板，将制作好所述导电球的芯片层与所述第三载板分离，得到包括至少一个所述第一互联结构的封装结构；
26、在所述第一互联结构的数量为多个时，在去除所述第三载板，将制作好所述导电球的芯片层与所述第三载板分离，得到包括至少一个所述第一互联结构的封装结构的步骤之后，所述方法还包括：
27、对包括多个所述第一互联结构的封装结构进行切割，得到芯片封装结构，所述芯片封装结构包括一个所述第一互联结构以及位于所述第一互联结构中空腔内的至少一个第二互联结构。
28、第二方面，本申请实施例还提供一种芯片封装结构，所述芯片封装结构根据上述第一方面中任意一项所述的芯片封装方法制成，所述芯片封装结构包括：
29、中介层，所述中介层包括贯穿所述中介层的导电引线，所述导电引线的延伸方向垂直于所述中介层所在的平面；
30、第一重布线层，所述第一重布线层位于所述中介层的一侧，所述第一重布线层远离所述中介层的一侧设置有第一导电凸块，所述第一重布线层与所述导电引线连接；
31、芯片层，所述芯片层位于所述第一重布线层远离所述中介层的一侧，所述芯片层包括至少一个功能芯片，所述功能芯片的电极侧朝向所述第一重布线层设置，所述功能芯片的电极侧通过所述第一导电凸块与所述第一重布线层电连接。
32、在一种可能的实现方式中，所述中介层包括第一互联结构、第二互联结构和第一塑封层；
33、所述第一互联结构还包括至少一个围合而成的空腔，所述第二互联结构位于所述空腔内，所述塑封层用于将所述第二互联结构固定限位于所述空腔内；
34、所述第一互联结构包括贯穿所述第一互联结构的第一导电引线，所述第二互联结构包括第二导电引线，所述第二导电引线贯穿所述第二互联结构及所述第一塑封层，所述第二互联结构用于所述第一互联结构进行重构。
35、在一种可能的实现方式中，所述芯片封装结构还包括第二重布线层及导电球；
36、所述第二重布线层位于所述中介层远离所述第一重布线层的一侧，所述第二重布线层与所述导电引线电连接；
37、所述第二重布线层远离所述中介层的一侧设置有第二导电凸块，所述导电球与所述第二导电凸块连接，所述导电球通过所述第二重布线层与所述导电引线电连接。
38、第三方面，本申请实施例还提供一种电子设备，包括根据本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种芯片封装方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述中介层包括第一互联结构和第二互联结构，所述在所述第一临时键合层远离所述第一载板的一侧制作中介层的步骤之前，所述方法还包括制作第一互联结构的步骤，该步骤包括：
3.根据权利要求2所述的芯片封装方法，其特征在于，所述在所述第一临时键合层远离所述第一载板的一侧制作中介层的步骤，包括：
4.根据权利要求3所述的芯片封装方法，其特征在于，所述在所述第一重布线层远离所述第一载板的一侧制作芯片层的步骤，包括：
5.根据权利要求3所述的芯片封装方法，其特征在于，所述在所述第一重布线层远离所述第一载板的一侧制作芯片层的步骤之后，所述方法还包括制作第二重布线层的步骤，该步骤包括：
6.根据权利要求5所述的芯片封装方法，其特征在于，所述在所述第二重布线层远离所述第三载板的一侧进行置球处理，得到与所述第二重布线层电连接的导电球之后，所述方法还包括：
7.一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构根据上述权利要求1-6中任意一项
8.根据权利要求7所述的芯片封装结构，其特征在于，所述中介层包括第一互联结构、第二互联结构和第一塑封层；
9.根据权利要求7所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构还包括第二重布线层及导电球；
10.一种电子设备，其特征在于，包括根据权利要求1-6中任意一项所述的芯片封装方法制成的芯片封装结构。
...【技术特征摘要】
1.一种芯片封装方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述中介层包括第一互联结构和第二互联结构，所述在所述第一临时键合层远离所述第一载板的一侧制作中介层的步骤之前，所述方法还包括制作第一互联结构的步骤，该步骤包括：
3.根据权利要求2所述的芯片封装方法，其特征在于，所述在所述第一临时键合层远离所述第一载板的一侧制作中介层的步骤，包括：
4.根据权利要求3所述的芯片封装方法，其特征在于，所述在所述第一重布线层远离所述第一载板的一侧制作芯片层的步骤，包括：
5.根据权利要求3所述的芯片封装方法，其特征在于，所述在所述第一重布线层远离所述第一载板的一侧制作芯片层的步骤之后，所述方法还包括制作第二重...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨磊，何迪，黄辰会，钱孝伟，
申请(专利权)人：成都奕成集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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