【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路领域。更具体地，但非限制性地，本专利技术涉及一种实现高压自举的结构。
技术介绍
1、图1示出了两款现有高压驱动芯片的应用图，其中fad6263是一种典型的单相高压驱动芯片、fan73892m是一种典型的三相高压驱动芯片。从应用图中可以看出，对于单相高压驱动芯片的应用，见图1(a)，需要外置1路自举电路，包括1颗外置的高压二极管(dboot)和1颗限流保护电阻(rboot)；对于三相高压驱动芯片，见图1(b)，需要外置3路自举电路，包括3颗外置的高压二极管(d1/d2/d3)和3颗限流保护电阻(r1/r2/r3)。上述这种外置自举电路的方式，会带来成本增加、系统板面积增加、系统走线复杂等问题。
2、图2(a)示出了另一款现有高压驱动芯片l6387e的内部电路结构图，其内部集成的bootstrap driver(自举电路)可通过参考专利(cn106712473b)中的方法实现。但是，在该实现方法中，如图2(b)所示，自举电路复杂，且自举电流大小受控于ldmos器件(ld1)，导致自举电阻较大，通常是百欧姆级别，如果刻意降低自举电阻，就需要增加ldmos器件的尺寸，则会导致成本急剧增加。
3、图3示出了又一款高压驱动芯片2ed2106s06f的内部电路结构图，其内部集成的自举二极管(bs diode)是通过soi(silicon-on-insulator)工艺实现。soi工艺因其良好的隔离特性，可内部直接集成高压二极管器件。与上述采用ldmos器件的方法相比，高压二极管属于双极型器件，导通
技术实现思路
1、本专利技术提出了一种实现高压自举的结构，该结构内部至少包含两类晶粒，分别为第一类型晶粒和第二类型晶粒，其中，第一类型晶粒包含低压区、一个或一个以上的高压区，及介于高压区与低压区之间的隔离环，低压区的信号通过高压电平移位电路传递到高压区；第二类型晶粒也包含低压区、一个或一个以上的高压区，及介于高压区与低压区之间的隔离环，高压区与低压区之间具有寄生高压二极管。
2、第一类型晶粒的低压区至少包括一个电源焊盘和一个地焊盘，高压区至少包括一个高侧参考电源焊盘、一个高侧参考地焊盘和一个高侧输出焊盘。
3、第二类型晶粒低压区至少包括一个地焊盘，高压区至少包括一个高侧参考电源焊盘、一个高侧参考地焊盘、一个高侧输入焊盘和一个高侧输出焊盘；此外，高压区与低压区之间可形成寄生高压二极管，该寄生高压二极管的阳极与低压区的参考地焊盘连接、阴极与高压区的高侧参考电源焊盘连接。
4、第二类型晶粒低压区的地焊盘与第一类型晶粒低压区的电源焊盘可通过封装打线直接或间接相连；其中，间接相连是指第二类型晶粒低压区的地焊盘与第一类型晶粒低压区的电源焊盘之间可以有电阻或起开关作用的晶体管电路。
5、第一类型晶粒高压区的高侧参考电源焊盘、高侧参考地焊盘、高侧输出焊盘分别与第二类型晶粒高压区的高侧参考电源焊盘、高侧参考地焊盘、高侧输入焊盘通过封装打线一一连接。
6、第一类型晶粒低压区电源焊盘和地焊盘可作为最终高压驱动芯片的电源和地，第二类型晶粒高压区高侧参考电源焊盘、高侧参考地焊盘和高侧输出焊盘可作为最终高压驱动芯片的高侧电源、高侧地和高侧输出。
7、本专利技术使用双类型晶粒实现高压自举，与现有结构相比，具有如下优点：
8、(1)可在芯片内部实现高压自举的集成，解决了传统外置自举二极管及限流电阻带来的成本增加、系统板面积增加、系统走线复杂等问题；
9、(2)高压自举的实现使用的是内部高压寄生二极管，不增加工艺成本，相比于传统多子器件，如用ldmos、jfet器件等，自举电阻显著降低，且无闩锁风险；
10、(3)该专利技术可使用体硅工艺，解决了soi工艺成本高、热阻大的问题。
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1.一种实现高压自举的结构，其特征在于，该结构内部至少包含两类晶粒，分别为第一类型晶粒和第二类型晶粒，其中，第一类型晶粒包含低压区、一个或一个以上的高压区，及介于高压区与低压区之间的隔离环，低压区的信号通过高压电平移位电路传递到高压区；第二类型晶粒也包含低压区、一个或一个以上的高压区，及介于高压区与低压区之间的隔离环，高压区与低压区之间具有寄生高压二极管。
2.根据权利要求1所述的实现高压自举的结构，其特征在于，所述的第一类型晶粒的低压区至少包括一个电源焊盘和一个地焊盘，高压区至少包括一个高侧参考电源焊盘、一个高侧参考地焊盘和一个高侧输出焊盘。
3.根据权利要求1所所述的实现高压自举的结构，其特征在于，所述的第二类型晶粒低压区至少包括一个地焊盘，高压区至少包括一个高侧参考电源焊盘、一个高侧参考地焊盘、一个高侧输入焊盘和一个高侧输出焊盘；此外，高压区与低压区之间可形成寄生高压二极管，该寄生高压二极管的阳极与低压区的参考地焊盘连接、阴极与高压区的高侧参考电源焊盘连接。
4.根据权利要求1所述的实现高压自举的结构，其特征在于，第二类型晶粒低压区的地焊
5.根据权利要求1所述的实现高压自举的结构，其特征在于，第一类型晶粒高压区的高侧参考电源焊盘、高侧参考地焊盘、高侧输出焊盘分别与第二类型晶粒高压区的高侧参考电源焊盘、高侧参考地焊盘、高侧输入焊盘通过封装打线一一连接。
6.根据权利要求1所述的实现高压自举的结构，其特征在于，第一类型晶粒低压区电源焊盘和地焊盘可作为最终高压驱动芯片的电源和地，第二类型晶粒高压区高侧参考电源焊盘、高侧参考地焊盘和高侧输出焊盘可作为最终高压驱动芯片的高侧电源、高侧地和高侧输出。
...【技术特征摘要】
1.一种实现高压自举的结构，其特征在于，该结构内部至少包含两类晶粒，分别为第一类型晶粒和第二类型晶粒，其中，第一类型晶粒包含低压区、一个或一个以上的高压区，及介于高压区与低压区之间的隔离环，低压区的信号通过高压电平移位电路传递到高压区；第二类型晶粒也包含低压区、一个或一个以上的高压区，及介于高压区与低压区之间的隔离环，高压区与低压区之间具有寄生高压二极管。
2.根据权利要求1所述的实现高压自举的结构，其特征在于，所述的第一类型晶粒的低压区至少包括一个电源焊盘和一个地焊盘，高压区至少包括一个高侧参考电源焊盘、一个高侧参考地焊盘和一个高侧输出焊盘。
3.根据权利要求1所所述的实现高压自举的结构，其特征在于，所述的第二类型晶粒低压区至少包括一个地焊盘，高压区至少包括一个高侧参考电源焊盘、一个高侧参考地焊盘、一个高侧输入焊盘和一个高侧输出焊盘；此外，高压区与低压区之间可形成寄生高压二极管，该寄生高压二...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴彩虹，张婉，
申请(专利权)人：无锡纳博微科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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