【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体工程用反应副产物捕获装置，其通过在高温区域中的热分解以及在低温区域中的氧化反应诱导，尤其涉及一种在为了实现半导体电路的微细化而利用高介电常数(high k)物质沉积半导体绝缘膜的氧化工程中，当供应到制程腔体的高介电常数(high k)沉积用前驱体包含于沉积工程之后的排出气体中得到排出时，通过热分解以及氧化反应对前驱体中所包含的高介电常数(high k)物质进行捕获的反应副产物捕获装置。
技术介绍
1、通常来讲，半导体制造工程大体上包括前工程(制造(fabrication)工程)以及后工程(装配(assembly)工程)。前工程是指通过在各种制程腔体(chamber)内重复执行在晶圆(wafer)上沉积形成薄膜之后对沉积形成的薄膜进行选择性蚀刻的过程而加工出特定图案并借此制造出半导体芯片(chip)的工程，而后工程是指通过将在所述前工程中制造出的芯片单独分离之后与引线框架进行结合而组装出成品的工程。
2、此时，在所述晶圆上沉积形成薄膜或对在晶圆上沉积形成的薄膜进行蚀刻的工程是通过气体注入系统向制程腔体的内部注入各种半导体沉积以及时可用前驱体以及反应气体之后在高温条件下执行。而在执行所述工程的期间内，在制程腔体的内部将生成大量的含有各种易燃气体、腐蚀性异物以及有毒成分的有害气体等。
3、为了可以在对如上所述的有害气体进行净化之后排出，在用于将半导体制造用制程腔体转换成真空状态的真空泵的后端配备有用于在对从所述制程腔体排出的排出气体进行净化之后再排出到大气中的洗涤器(scrubber)。
4、但是，因为洗涤器主要是对气体状态的反应产生副产物进行净化处理，因此在反应副产物排出到制程腔体的外部之后发生固化的情况下，会导致如因为固定附着在排气管路中而导致排气压力上升的问题，或者在流入到真空泵时还可能会导致诱发泵的故障以及因为有害气体逆流到制程腔体而对晶圆造成污染等问题。
5、因此，大部分半导体制造装置都会在制程腔体与真空泵之间安装对排出气体进行凝聚而以粉末或固形物状态进行捕获的反应副产物捕获装置。
6、此外，最近为了解决因为半导体集成度的提高以及半导体电路的微细化而导致的在半导体绝缘膜上的电流泄露问题，供应到制程腔体的门氧化膜或电容器(capacitor)氧化膜沉积工程用前驱体正在呈现出从目前的sio2沉积用前驱体逐渐变更为介电常数较高的高介电常数(high k)物质(例如：al2o3、hfo2、zro2)沉积用前驱体的趋势。
7、因此，只有在对以包含如上所述的前驱体的状态排出的排出气体中所包含的固态物质即高介电常数(high k)物质进行捕获之后排出，才可以防止真空泵发生故障。
8、但是，在目前的对固态物质进行捕获的一般的捕获装置中，主要采用为了防止排出气体在流入口处被捕获并因此发生堵塞而利用加热器对排出气体的温度进行加热，或对于没有堵塞危险的排出气体，在不执行加热器加热的状态下流入之后在内部捕获装置的捕获用板的表面对固态反应副产物进行凝聚和捕获而执行捕获工程的结构，具有难以对排出气体中所包含的高介电常数(high k)沉积用前驱体中所包含的如al、hf以及ze等固态的高介电常数(high k)物质进行捕获的结构性问题。
9、即，在氧化铝沉积用前驱体即三甲基铝(tma，trimethylaluminum)、氧化铪沉积用前驱体即四(乙基甲基氨基)铪(temahf，tetrakis(ethylmethylamido)hafnium)以及氧化锆沉积用前驱体即环戊二烯基三(二甲氨基)锆(cp-zr，cyclopentadienyl tris(dimethylamino)zirconium)被包含于排出气体中得到排出的情况下，将难以有效地对因为氧化反应而沉积的高介电常数(high k)物质进行捕获，从而导致其排出到捕获装置外部的结构性问题。
10、但是，目前为止并没有出现可以高效地对高介电常数(high k)沉积用前驱体中所包含的高介电常数(high k)物质进行捕获的捕获装置，因此急需开发出对应的解决方案。
11、先行技术文献
12、专利文献
13、(专利文献1)韩国注册专利公报注册编号第10-1806480号(2017.12.01.)
14、(专利文献2)韩国注册专利公报注册编号第10-2154196号(2020.09.03.)
15、(专利文献3)韩国注册专利公报注册编号第10-2311930号(2021.10.06.)
16、(专利文献4)韩国注册专利公报注册编号第10-2228180好(2021.03.10.)
技术实现思路
1、要解决的问题
2、为了解决如上所述的问题，本专利技术的目的在于提供一种在为了实现半导体电路的微细化而利用介电常数较高的高介电常数(high k)物质进行沉积半导体介电薄膜的氧化工程时，如果供应到制程腔体中的高介电常数(high k)沉积用前驱体与排出气体一起排出，则将其在捕获装置的流入口处利用加热器的高温对高介电常数(high k)物质进行热分解之后再借助于冷却板部在形成有低温区域的箱型捕获部中诱导氧化反应并借此使其生长为粉末状态的氧化物进行捕获的反应副产物捕获装置。
3、本专利技术的另一目的在于提供一种通过配备两个以上的由内部的捕获板部以及对其进行围绕的外部的捕获箱构成的箱型捕获部并在将其相隔一定间距水平配置之后在与各个箱型捕获部外廓相隔的间隔空间中配置四边形面状的冷却板部并循环供应冷却水，可以最大限度地扩大低温区域并借此在收纳到内部的捕获板部中均匀地形成与箱型捕获部的捕获箱进行热传导的低温区域，从而高效地进行氧化反应并使得高介电常数(high k)物质在发生沉积和捕获之后堆积在捕获箱内部的反应副产物捕获装置。
4、本专利技术的另一目的在于提供一种为了在分离成两个的各个箱型捕获部中形成均匀的低温区域而通过连接管连接三个冷却水储藏板，从而使得所流入的冷却水依次循环排出并借此使得各个冷却水储藏板维持均匀的低温区域，进而通过在各个冷却水储藏板的内部安装水平挡板以及多个垂直挡板而形成流路并借此使得冷却水的流动均匀地发生循环，而且通过使得挡板的两侧面部的一部分向冷却水储藏板的外部凸出而在对挡板的位置进行固定的同时在沿着冷却水储藏板流动的排出气体的流动中形成涡流并使其发生迟滞，从而提升其冷却效率的配备有冷却板部的反应副产物捕获装置。
5、本专利技术的另一目的在于提供一种通过将构成安装在箱型捕获部的捕获箱内部的捕获板部的各个捕获板以垂直多段构成并将在各个段的捕获板中形成的孔以不同的大小以及形状构成，可以防止所捕获到的粉末氧化物形态的反应副产物直接排出到下部，而是可以使其在通过各个段的捕获板的过程中发生流路的变更并多段捕获和堆积到捕获箱的内部，进而通过在外壳的下部排出口的上部形成向外壳内部凸出的网格型过滤器排出口，可以最大限度地减少反应副产物直接外流(outflow)的现象，从而本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体工程用反应副产物捕获装置，其通过在高温区域中的热分解以及在低温区域中的氧化反应诱导，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的半导体工程用反应副产物捕获装置，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的半导体工程用反应副产物捕获装置，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的半导体工程用反应副产物捕获装置，其特征在于：
5.根据权利要求1或2所述的半导体工程用反应副产物捕获装置，其特征在于：
6.根据权利要求5所述的半导体工程用反应副产物捕获装置，其特征在于：
7.根据权利要求1所述的半导体工程用反应副产物捕获装置，其特征在于：
8.根据权利要求1所述的半导体工程用反应副产物捕获装置，其特征在于：
9.根据权利要求1所述的半导体工程用反应副产物捕获装置，其特征在于：
10.根据权利要求1所述的半导体工程用反应副产物捕获装置，其特征在于：
11.根据权利要求1所述的半导体工程用反应副产物捕获装置，其特征在于：
12.根据权利要求11所述的半导体工程用反
13.根据权利要求11所述的半导体工程用反应副产物捕获装置，其特征在于：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体工程用反应副产物捕获装置，其通过在高温区域中的热分解以及在低温区域中的氧化反应诱导，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的半导体工程用反应副产物捕获装置，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的半导体工程用反应副产物捕获装置，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的半导体工程用反应副产物捕获装置，其特征在于：
5.根据权利要求1或2所述的半导体工程用反应副产物捕获装置，其特征在于：
6.根据权利要求5所述的半导体工程用反应副产物捕获装置，其特征在于：
7.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵宰孝，李妍周，韩智银，尹性圆，
申请(专利权)人：未来宝株式会社，
类型：发明
国别省市：
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