【技术实现步骤摘要】
本申请涉及射频识别，特别是涉及一种带隙基准电压的输出判断电路、装置以及电子设备。
技术介绍
1、在模拟电路工作中，通常需要将外部输入的电源电压转换为可供回路工作的基准电压，由基准电压通过电阻比例分压供各个负载模块使用，但是现有技术中时常出现负载模块无法正常工作的情况。
技术实现思路
1、基于此，有必要提供一种可以保证接入负载模块均正常工作的带隙基准电压的输出判断电路、装置以及电子设备。
2、第一方面，提供一种带隙基准电压的输出判断电路，所述输出判断电路包括：
3、基准电压生成电路，用于根据上电时的电源电压，产生带隙基准电压；
4、判断信号比较电路，与所述基准电压生成电路连接，包括至少一个开关管，用于在所述电源电压大于各所述开关管的导通电压时，输出高电平的判断信号；所述高电平的判断信号作用于所述基准电压生成电路，控制所述带隙基准电压输出至负载模块，所述负载模块与所述基准电压生成电路连接。
5、在其中一个实施例中，所述判断信号比较电路，还用于在所述电源电压小于等于任一所述开关管的导通电压时，输出低电平的判断信号；所述低电平的判断信号作用于所述基准电压生成电路，控制所述带隙基准电压不输出至所述负载模块。
6、在其中一个实施例中，所述基准电压生成电路包括：
7、启动电路，用于根据所述电源电压，产生电位控制电压；
8、核心电路，与所述启动电路连接，包括多个镜像开关管，用于接收所述电位控制电压，使各所述镜像开关
9、在其中一个实施例中，所述判断信号比较电路包括：
10、第一比较电路，与所述启动电路、所述核心电路连接，包括至少一个开关管，用于接收所述电位控制电压和所述带隙基准电压的分量信号，在所述电源电压大于各所述开关管的导通电压时，控制各所述开关管闭合导通，输出高电平的判断信号。
11、在其中一个实施例中，所述第一比较电路，还用于根据接收所述电位控制电压和所述带隙基准电压的分量信号，在所述电源电压小于至少一个所述开关管的导通电压时，控制至少一个所述开关管关断截止，输出低电平的判断信号。
12、在其中一个实施例中，所述判断信号比较电路还包括：
13、第二比较电路，与所述第一比较电路、所述启动电路连接，包括电流源，用于在所述第一比较电路输出所述低电平的判断信号且所述启动电路的正常工作时，控制所述电流源维持所述判断信号的低电平状态。
14、在其中一个实施例中，所述第一比较电路包括：pmos管m9、pmos管m11、pmos管m10、施密特触发器i2以及反相器i3，
15、所述pmos管m9的栅极连接核心电路，所述pmos管m9的源极连接所述pmos管m11的栅极，所述pmos管m9的漏极连接所述启动电路；所述pmos管m11的源极连接所述电源电压，所述pmos管m11的漏极连接所述施密特触发器i2的输入端；所述施密特触发器i2的输出端连接所述反相器i3的输入端，所述反相器i3的输出端输出所述判断信号；所述pmos管m10的栅极和源极连接所述电源电压，所述pmos管m10的漏极连接所述pmos管m11的栅极；
16、当所述pmos管m9的栅极接收到所述带隙基准电压的分量信号闭合导通时，所述pmos管m11闭合导通，所述反相器i3输出所述高电平的判断信号；
17、当所述pmos管m9的栅极接收到所述带隙基准电压的分量信号关断截止时，所述pmos管m11关断截止，所述反相器i3输出所述低电平的判断信号。
18、在其中一个实施例中，所述第二比较电路包括电流源i4、nmos管m13、施密特触发器i1、pmos管m8、nmos管m12、三极管q5，
19、所述pmos管m8的源极连接所述电源电压，所述pmos管m8的栅极连接所述启动电路，所述pmos管m8的漏极连接所述nmos管m12的漏极，所述nmos管m12的栅极连接所述启动电路，所述nmos管m12的源极连接所述三极管q5的发射极，所述三极管q5的基极和集电极连接公共地；所述施密特触发器i1的输入端连接所述nmos管m12的漏极，所述施密特触发器i1的输出端连接所述nmos管m13的栅极，所述nmos管m13的漏极连接第一比较电路中施密特触发器i2的输入端，所述nmos管m13的源极连接公共地；所述电流源i4连接在所述nmos管m13的源极与漏极之间；
20、当nmos管m12关断截止时，nmos管m13关断截止；所述电流源i4拉低所述nmos管m13的漏极，维持所述判断信号的低电平状态。
21、第二方面，提供一种带隙基准电压转换装置，包括如上述第一方面所述的带隙基准电压的输出判断电路。
22、第三方面，提供一种电子设备，包括如上述第一方面所述的带隙基准电压的输出判断电路以及负载模块，所述带隙基准电压的输出判断电路与所述负载模块连接。
23、上述带隙基准电压的输出判断电路、装置以及电子设备，通过判断信号比较电路中的开关管的导通状态，决定基准电压生成电路产生的带隙基准电压是否能够输出至负载模块，只有在判断信号比较电路输出高电平的判断信号时，将带隙基准电压输出至负载模块，实现了带隙基准电压的大小判定，保证带隙基准电压以负载模块的正常工作电压作用于负载模块，避免了负载模块的功能错误。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种带隙基准电压的输出判断电路，其特征在于，所述输出判断电路包括：
2.根据权利要求1所述的带隙基准电压的输出判断电路，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的带隙基准电压的输出判断电路，其特征在于，所述基准电压生成电路包括：
4.根据权利要求3所述的带隙基准电压的输出判断电路，其特征在于，所述判断信号比较电路包括：
5.根据权利要求4所述的带隙基准电压的输出判断电路，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的带隙基准电压的输出判断电路，其特征在于，所述判断信号比较电路还包括：
7.根据权利要求6所述的带隙基准电压的输出判断电路，其特征在于，所述第一比较电路包括：PMOS管M9、PMOS管M11、PMOS管M10、施密特触发器I2以及反相器I3，
8.根据权利要求7所述的带隙基准电压的输出判断电路，其特征在于，所述第二比较电路包括电流源I4、NMOS管M13、施密特触发器I1、PMOS管M8、NMOS管M12、三极管Q5，
9.一种带隙基准电压转换装置，其特征在于，所述装置包括如权利要求
10.一种电子设备，其特征在于，包括根据权利要求1至权利要求8中任一项所述的带隙基准电压的输出判断电路以及负载模块，所述带隙基准电压的输出判断电路与所述负载模块连接。
...【技术特征摘要】
1.一种带隙基准电压的输出判断电路，其特征在于，所述输出判断电路包括：
2.根据权利要求1所述的带隙基准电压的输出判断电路，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的带隙基准电压的输出判断电路，其特征在于，所述基准电压生成电路包括：
4.根据权利要求3所述的带隙基准电压的输出判断电路，其特征在于，所述判断信号比较电路包括：
5.根据权利要求4所述的带隙基准电压的输出判断电路，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的带隙基准电压的输出判断电路，其特征在于，所述判断信号比较电路还包括：
7.根据权利要求6所述的带隙基准电压的输出判断电路，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：傅彦民，王远卓，刘杰，
申请(专利权)人：杭州晶华微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。