【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于模拟电路，涉及基准电压电路，具体涉及一种新型带隙基准电压源。
技术介绍
1、基准电压源是向电路或者芯片提供基准电压和基准电流的模块，在集成电路中基本所有芯片都会用到基准源电路，广泛应用于振荡器，放大器，锁相环等模块中，是集成电路的一个关键单元，基准电压源的精度对电路的性能至关重要。
2、以往传统的电压源一般是带隙基准电压源，采用双极型也就是三极管实现，输出电压恒定在1.25v左右；工作原理是通过负温度系数的vbe和正温度系数的δvbe相互抵消，从而得到一个零温度系数电压。但是此种结构的带隙间隙电压源在coms工艺中中会存在如下问题：
3、如图2所示给出一个典型的传统带隙基准电压源电路，传统的带隙基准源中往往会需要运算放大器amp来钳位三极管所处的两条支路的电压，从而产生正温度系数的δvbe电压，但是引入运算放大器会使电路结构更为复杂，使电路在小范围内同时有正反馈和负反馈两条环路，电路稳定性会存在风险，且运放的失调电压直流增益对电路性能影响较大，精度不高；
4、由于三极管的物理参数，输出基准电压基本在1.25v左右，如果系统电源电压小于1.25v则图2所示的电路结构无法使用，如果系统需要1.25v以下的基准电压，该电路结构也无法使用，应用受到局限。
技术实现思路
1、针对上述现有技术存在的缺陷，本专利技术公开了一种新型带隙基准电压源。
2、本专利技术所述新型带隙基准电压源，包括第一pnp管和第二pnp管，两个pnp管的基极
3、所述负反馈电路包括源极连接电源的第一p管和第二p管，第一p管和第二p管的栅极相接并连接第二p管的漏极，第一p管和第二p管的漏极分别连接第三p管和第四p管的源极，第三p管和第四p管的栅极相接并连接第四p管的漏极，第三p管和第四p管的漏极分别连接第一n管和第二n管的漏极，第一n管和第二n管的栅极相接并连接第一n管的漏极，第一n管和第二n管的源极分别连接第三n管和第四n管的漏极，第三n管和第四n管的栅极相接并连接第三n管的漏极，第三n管的源极连接第一pnp管的发射极，第四n管的源极第二电阻和第三电阻，第二电阻和第三电阻另一端分别连接第二pnp管的发射极和地；
4、其中第一p管和第二p管的宽长比相等；第一pnp管和第二pnp管的发射极面积不等；
5、所述负反馈电路还连接有启动电路和电压电流输出电路，所述启动电路用于为三极管提供启动电流；
6、所述电压电流输出电路包括第八p管和第九p管，所述第八p管和第九p管的源极连接电源，栅极均连接第一p管的栅极，第八p管的漏极通过第五电阻接地，第九p管的漏极输出电流。
7、优选的，所述启动电路包括源极接电源的第七p管，所述第七p管的漏极连接第一电阻，第一电阻的另一端连接第六p管的源极，所述第六p管的漏极和栅极接地，第七p管的栅极连接第一p管的栅极，第七p管的漏极还连接有第五p管的栅极，所述第五p管的源极和漏极分别连接电源和第一n管的漏极。
8、优选的，所述第六p管的栅极通过电阻接地。
9、优选的，所述第六p管为长大于宽的倒比管。
10、优选的，所述第九p管的漏极还连接有电流复制电路，所述电流复制电路包括第五n管和第六n管，其中第五n管和第六n管栅极相接并连接第五n管的漏极，第五n管的漏极还连接第九p管的漏极；第五n管和第六n管的源极分别连接第七n管和第八n管的漏极，第七n管和第八n管的栅极相接并连接第七n管的漏极，第七n管和第八n管的源极均接地，第六n管的漏极还连接有第十p管的栅极和漏极，第十p管的源极连接电源，栅极还连接第十一p管，第十一p管的源极连接电源。
11、优选的，所述第二电阻、第三电阻和第五电阻均为多晶电阻。
12、本专利技术所述新型带隙基准电压源，相对现有技术，具备如下优点：
13、1.电路中无需钳位用运算放大器，直接用四个mos管代替运放实现钳位电压作用，并且在输出端不需要三极管，可以在前端得到不受温度影响的电流，将电流镜像到输出端，可以得到不受温度影响的基准电压。
14、2.由于没有运算放大器，电路更加简单，不存在运算放大器带来的稳定性问题，由于运算放大器固有的失调电压和有限增益造成的理论误差也被消除，精度较高。
15、3.由于输出级无三极管，输出值不是传统的1.25v，不需要电源电压一定要大于1.25v，而且可以通过调整电阻值和输入电流值调节基准电压的电压值，适用范围更广，使用条件更灵活。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种新型带隙基准电压源，其特征在于,包括第一PNP管和第二PNP管，两个PNP管的基极和集电极均接地，发射极连接负反馈电路；
2.如权利要求1所述的新型带隙基准电压源，其特征在于，所述启动电路包括源极接电源的第七P管，所述第七P管的漏极连接第一电阻，第一电阻的另一端连接第六P管的源极，所述第六P管的漏极和栅极接地，第七P管的栅极连接第一P管的栅极，第七P管的漏极还连接有第五P管的栅极，所述第五P管的源极和漏极分别连接电源和第一N管的漏极。
3.如权利要求2所述的新型带隙基准电压源，其特征在于，所述第六P管的栅极通过电阻接地。
4.如权利要求2所述的新型带隙基准电压源，其特征在于，所述第六P管为长大于宽的倒比管。
5.如权利要求1所述的新型带隙基准电压源，其特征在于，所述第九P管的漏极还连接有电流复制电路，所述电流复制电路包括第五N管和第六N管，其中第五N管和第六N管栅极相接并连接第五N管的漏极，第五N管的漏极还连接第九P管的漏极；第五N管和第六N管的源极分别连接第七N管和第八N管的漏极，第七N管和第八N管的栅极相接并连接第七N管
6.如权利要求1所述的新型带隙基准电压源，其特征在于，所述第二电阻、第三电阻和第五电阻均为多晶电阻。
...【技术特征摘要】
1.一种新型带隙基准电压源，其特征在于,包括第一pnp管和第二pnp管，两个pnp管的基极和集电极均接地，发射极连接负反馈电路；
2.如权利要求1所述的新型带隙基准电压源，其特征在于，所述启动电路包括源极接电源的第七p管，所述第七p管的漏极连接第一电阻，第一电阻的另一端连接第六p管的源极，所述第六p管的漏极和栅极接地，第七p管的栅极连接第一p管的栅极，第七p管的漏极还连接有第五p管的栅极，所述第五p管的源极和漏极分别连接电源和第一n管的漏极。
3.如权利要求2所述的新型带隙基准电压源，其特征在于，所述第六p管的栅极通过电阻接地。
4.如权利要求2所述的新型带隙基准电压源，其特征在于，所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：王霖，胡兴微，蒋玉东，雷婷婷，
申请(专利权)人：四川锦龙微电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。