【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及光刻，尤其涉及一种极紫外光刻胶轮廓的预测方法、预测装置和电子设备。
技术介绍
1、化学放大胶(chemically amplified resists,car)是光刻技术常用的一种光刻胶，主要成分由光酸发生剂(photoacid generator,pag)、聚合物树脂、碱淬灭剂以及溶剂组成。当光刻胶进行曝光时，pag将产生一种酸性产物，在随后进行的烘烤(post-exposurebake,peb)中，pag产生的光酸作为催化剂催化聚合物树脂发生脱保护反应(聚合物上的保护基团被消耗)，影响聚合物的溶解度，最后，使用液态显影液(如水性碱溶液)可以将光刻胶中的可溶部分去除，进而形成三维图形轮廓。
2、相关技术中，可以通过对光刻胶进行peb随机模拟，预测显影后的轮廓；极深紫外线(euv，extreme ultraviolet lithography)光刻技术是一种利用波长为13.4nm的极紫外光作为光源的纳米级光刻技术；现有技术中关于极紫外光刻胶的peb随机模拟方法，为解决求解主方程的低效问题，采用了一种基于对数分类的gillespie算法加速随机模拟；但该算法会出现类表跨越的问题，需要频繁地对类列表进行增删操作，对于体积较大的极紫外光刻胶系统来说，这也会耗费大量时间，影响了模拟效率。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供了一种极紫外光刻胶轮廓的预测方法、预测装置和电子设备，以提升后烘模拟效率，加快对极紫外光刻胶轮廓的预测速度。
2、根据本专
3、将目标光刻胶划分为预设数量个体积相同的元胞单元，并对预设数量个元胞单元进行逐级分组；其中，每级分组包括多个计算组；
4、根据所述目标光刻胶的初始状态信息，确定对所述目标光刻胶曝光后每一元胞单元中各粒子的初始分布数据；
5、根据每一元胞单元中各粒子的初始分布数据，计算每级分组中每一计算组的倾向函数值；
6、倾向函数值更新步骤，根据每级分组中每一计算组的当前倾向函数值，通过最小过程法对所述目标光刻胶进行随机模拟，更新当前选中的细胞单元的倾向函数值以及包含该细胞单元的计算组的倾向函数值；
7、多次重复所述倾向函数值更新步骤，直至当前时刻的下一时刻为所述目标光刻胶的后烘结束时刻，获得后烘后所述目标光刻胶中各粒子的分布数据；
8、根据后烘后所述目标光刻胶中各粒子的分布数据，预测所述目标光刻胶显影后的轮廓。
9、可选的，所述对预设数量个元胞单元进行逐级分组，包括：
10、设定分组的级数以及每次分组的数量；其中，不同级数下的分组数量相同，或者，不同级数下的分组数量不同，或者，不同级数下的分组数量部分不同；
11、根据分组的级数以及每级分组的数量对预设数量个元胞单元进行逐级分组，并记录每个元胞单元在每次分组后的位置索引。
12、可选的，根据分组的级数以及每级分组的数量对预设数量个元胞单元进行逐级分组，并记录每个元胞单元在每次分组后的位置索引，包括：
13、将预设数量n的元胞单元根据第一级分组的数量n1进行第一次的平均分组，并对n1个第一级计算组按照顺序依次编号，将每一第一级计算组的编号记录为对应的第一级计算组的位置索引n1；其中，1≤n1≤n1；
14、将每一第一级计算组中的m1个元胞单元根据第二级分组的数量n2进行第二次的平均分组，并对每一第一级计算组中的n2个第二级计算组按照顺序依次编号，将每一第二级计算组的编号以及所属的第一级计算组的编号形成的组合记录为对应的第二级计算组的位置索引(n1，n2)；其中，1≤n2≤n2；
15、将每一第二级计算组中的m2个元胞单元根据第三级分组的数量n3进行第三次的平均分组，并对每一第二级计算组中的n3个第三级计算组按照顺序依次编号，将每一第三级计算组的编号以及所属的第二级计算组和第一级计算小组的编号形成的组合记录为对应的第三级计算组的位置索引(n1，n2，n3)；其中，1≤n3≤n3；
16、依次类推，直至分组的级数满足设定级数t，并对每一第t-1级计算组中的nt个第t级计算组按照顺序依次编号，将每一第t级计算组的编号以及所属的每一级计算组的编号形成的组合记录为对应的第t级计算组的位置索引(n1，n2，…，nt)；其中，1≤nt≤nt；
17、对每一所述第t级计算组的mt个元胞单元按照顺序依次编号，获得并记录每一元胞单元的位置索引(n1，n2，…，nt，nt+1)；其中，1≤nt+1≤mt。
18、可选的，根据所述初始状态信息，确定对所述目标光刻胶曝光后每一元胞单元中各粒子的初始分布数据，包括：
19、获取所述目标光刻胶的初始状态信息；其中，所述初始状态信息包括所述目标光刻胶的光酸发生剂的浓度分布信息、碱淬灭剂的浓度分布信息及保护基团的浓度分布信息；
20、根据所述目标光刻胶的初始状态信息以及每一元胞单元的体积，计算对所述目标光刻胶曝光后每一元胞单元中的酸分子初始数量，碱淬灭剂的初始数量和保护基团的初始数量。
21、可选的，根据每一元胞单元中各粒子的初始分布数据，计算每级分组中每一计算组的倾向函数值，包括：
22、根据每一元胞单元中各粒子的初始分布数据，计算每一元胞单元中发生的各个反应的反应倾向函数值和分子扩散倾向函数值；
23、根据每一元胞单元中发生的各个反应的反应倾向函数值和分子扩散倾向函数值的和，确定对应的元胞单元的倾向函数值；
24、根据每级分组中每一计算组包括的全部元胞单元的倾向函数值的和，确定每级分组中每一计算组的倾向函数值。
25、可选的，所述倾向函数值更新步骤中，根据每级分组中每一计算组的当前倾向函数值，通过最小过程法对所述目标光刻胶进行随机模拟，更新当前选中的细胞单元的倾向函数值以及包含该细胞单元的计算组的倾向函数值，包括：
26、根据所述目标光刻胶中全部的细胞单元的当前倾向函数值的总和，确定所述目标光刻胶的当前总倾向函数值；
27、获取第一随机数，根据所述第一随机数和所述目标光刻胶的当前总倾向函数值计算时间间隔；
28、判断上次更新后的累计时间与所述时间间隔的和是否超过后烘总时间；若未超过，
29、则获取第二随机数，根据所述第二随机数和所述当前总倾向函数值计算第一级选定值，并根据所述第一级选定值从全部的第一级计算组中选定目标第一级计算组；
30、根据编号位于所述目标第一级计算组之前的第一级计算组的倾向函数值之和，以及所述第一级选定值，计算第二级选定值，并根据所述第二级选定值从所述目标第一级计算组下的全部第二级计算组中选定目标第二级计算组；
31、根据编号位于所述目标第二级计算组之前的第二级计算组的倾向函数值之和，以及所述第二级选定值，计算第三级选定值，并根据所述第三级选定值从所述目标第二级计算组本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种极紫外光刻胶轮廓的预测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的极紫外光刻胶轮廓的预测方法，其特征在于，所述对预设数量个元胞单元进行逐级分组，包括：
3.根据权利要求2所述的极紫外光刻胶轮廓的预测方法，其特征在于，根据分组的级数以及每级分组的数量对预设数量个元胞单元进行逐级分组，并记录每个元胞单元在每次分组后的位置索引，包括：
4.根据权利要求1所述的极紫外光刻胶轮廓的预测方法，其特征在于，根据所述初始状态信息，确定对所述目标光刻胶曝光后每一元胞单元中各粒子的初始分布数据，包括：
5.根据权利要求4所述的极紫外光刻胶轮廓的预测方法，其特征在于，根据每一元胞单元中各粒子的初始分布数据，计算每级分组中每一计算组的倾向函数值，包括：
6.根据权利要求5所述的极紫外光刻胶轮廓的预测方法，其特征在于，所述倾向函数值更新步骤中，根据每级分组中每一计算组的当前倾向函数值，通过最小过程法对所述目标光刻胶进行随机模拟，更新当前选中的细胞单元的倾向函数值以及包含该细胞单元的计算组的倾向函数值，包括：
7.根据权利
8.根据权利要求1所述的极紫外光刻胶轮廓的预测方法，其特征在于，根据后烘后所述目标光刻胶中各粒子的分布数据，预测所述目标光刻显影后的轮廓，包括：
9.一种极紫外光刻胶轮廓的预测装置，其特征在于，包括：
10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：
...【技术特征摘要】
1.一种极紫外光刻胶轮廓的预测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的极紫外光刻胶轮廓的预测方法，其特征在于，所述对预设数量个元胞单元进行逐级分组，包括：
3.根据权利要求2所述的极紫外光刻胶轮廓的预测方法，其特征在于，根据分组的级数以及每级分组的数量对预设数量个元胞单元进行逐级分组，并记录每个元胞单元在每次分组后的位置索引，包括：
4.根据权利要求1所述的极紫外光刻胶轮廓的预测方法，其特征在于，根据所述初始状态信息，确定对所述目标光刻胶曝光后每一元胞单元中各粒子的初始分布数据，包括：
5.根据权利要求4所述的极紫外光刻胶轮廓的预测方法，其特征在于，根据每一元胞单元中各粒子的初始分布数据，计算每级分组中...
【专利技术属性】
技术研发人员：何广剑，韦亚一，范泰安，王云，
申请(专利权)人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。