【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及具有多个再分布层的半导体封装件及其制造同样的方法。更具体地说，本专利技术涉及一种具有增加的芯片表面与封装件表面比率的半导体封装件。
技术介绍
1、在提高或保持散热能力、可靠性性能、效率和功率密度的同时减小半导体封装的尺寸是具有挑战性的。为了保持热性能和效率，不能减小常规单片四平面无引线(qfn)封装的尺寸。
2、本专利技术的优点包括提高效率、减小封装尺寸、降低成本、更紧凑的占地面积和改进的热性能。芯片表面与封装表面的比率至少为67％。
技术实现思路
1、本专利技术公开了一种半导体封装，包括两个或多个芯片、第一模制层、第二模制层、第三模制层、第四模制层、底部再分布层(rdl)、中间rdl和顶部rd l。所述两个或更多个芯片包括第一芯片和第二芯片。顶部rdl包括第一铜板和第二铜板。多个通孔将第二铜板电连接到第二芯片。
2、本专利技术还公开了一种用于制造半导体封装的方法。该方法包括制备两个或多个芯片的步骤；形成芯片级模制层；形成中间rdl；形成下层模制层；形成底部rdl；形成最低级别的模制层；形成顶部rdl；以及形成顶层模制层。
【技术保护点】
1.一种半导体封装，包括：
2.权利要求1所述的半导体封装，其中第一芯片和第二芯片中的至少一个包括电连接到接地引脚的第一前表面电极和电连接到开关引脚的后表面电极。
3.权利要求1所述的半导体封装，其中所述顶部RDL包括大致覆盖所述第一芯片和所述第二芯片中的至少一个的整个后表面的铜板，所述铜板包括电连接到开关引脚的后表面电极，其中所述铜板连接到多个通孔，这些通孔连接到所述的开关引脚。
4.权利要求3所述的半导体封装，所述两个或多个芯片进一步包括第三芯片，所述第三芯片包括连接到所述中间RDL的多个前表面电极。
5.权利要求1所述的半导体封装，其中第一芯片包括
6.权利要求5所述的半导体封装，
7.权利要求6所述的半导体封装，
8.权利要求6所述的半导体封装，其中
9.权利要求5所述的半导体封装，其中所述两个或更多个芯片进一步包括第三芯片；其中，所述第一芯片的前表面积、所述第二芯片的前表面面积和所述第三芯片的前面积之和为所述半导体封装的顶表面积的至少67％。
10.权利要求5所述
11.权利要求5所述的半导体封装，其中所述半导体封装是四平面无引线(QFN)封装。
12.一种制造半导体封装的方法，该方法包括以下步骤：制备两个或多个芯片，包括：
13.权利要求12所述的方法，其中底部RDL包括：
14.权利要求13所述的方法，其中所述顶部RDL包括大致覆盖所述第一芯片和所述第二芯片中的所述至少一个的整个后表面的铜板，所述铜板包括电连接到所述开关引脚的所述后表面电极；并且其中所述铜板连接到多个通孔，这些通孔连接到所述开关引脚。
15.权利要求13所述的方法，其中所述两个或多个芯片进一步包括第三芯片；并且其中所述第三芯片的多个前表面电极连接到所述中间RDL。
16.权利要求15所述的方法，
17.权利要求16所述的方法，
18.权利要求15所述的方法，其中半导体封装是DC-DC降压转换器。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，包括：
2.权利要求1所述的半导体封装，其中第一芯片和第二芯片中的至少一个包括电连接到接地引脚的第一前表面电极和电连接到开关引脚的后表面电极。
3.权利要求1所述的半导体封装，其中所述顶部rdl包括大致覆盖所述第一芯片和所述第二芯片中的至少一个的整个后表面的铜板，所述铜板包括电连接到开关引脚的后表面电极，其中所述铜板连接到多个通孔，这些通孔连接到所述的开关引脚。
4.权利要求3所述的半导体封装，所述两个或多个芯片进一步包括第三芯片，所述第三芯片包括连接到所述中间rdl的多个前表面电极。
5.权利要求1所述的半导体封装，其中第一芯片包括
6.权利要求5所述的半导体封装，
7.权利要求6所述的半导体封装，
8.权利要求6所述的半导体封装，其中
9.权利要求5所述的半导体封装，其中所述两个或更多个芯片进一步包括第三芯片；其中，所述第一芯片的前表面积、所述第二芯片的前表面面积和所述第三芯片的前面积之和为所述半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：牛志强，里斯·菲尔布里克，王隆庆，温淳雅，薛彦迅，
申请(专利权)人：万国半导体国际有限合伙公司，
类型：发明
国别省市：
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