【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示领域，尤其涉及一种发光器件及显示装置。
技术介绍
1、发光器件通过电子与空穴复合释放能量发光，在照明领域应用广泛。近年来，量子点(qds)因具有荧光量子产率高、单色性佳、发射光谱随尺寸连续可调、光化学稳定性和热稳定性强的优点引起了产学研界的广泛关注。以量子点作为发光层所构筑的量子点发光器件(quantum dot light emitting diodes，qled)因其具有低成本、高亮度、广色域、优异的可溶液加工等诸多优点已成为了最活跃的科学研究主题之一，在下一代平板显示和固态照明应用中表现出极具竞争潜力。
2、虽然说，qled显示技术是从oled(organic light-emitting diode)继承并发展而来的，可以通过借鉴oled中已有的理论应用到qled中，来提升器件的性能。但由于量子点是纳米材料，在与其他功能层相搭配时，材料的种类、自身的结构设计和成膜质量、量子点材料与其他功能层间的膜层界面注入势垒、材料自身老化衰减等方面都表现出巨大差异，导致实际加工过程中，当采用不同量子点时，器件内会出现截然不同的载流子传输情况，加剧了qled器件优化的难度，导致qled器件的发光效率和寿命难以同时得到提升，极大地限制了其发展。因此，针对差异性较大的量子点材料，亟需开发出更具有针对性的高性能发光器件。
技术实现思路
1、鉴于此，本申请提供一种发光器件及显示装置，旨在同时提升发光器件的发光效率和使用寿命。
2、本申请实施例是这样实现的：p>
3、第一方面，本申请提供一种发光器件，包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、发光层、阴极，其中，所述发光层的材料包括核壳量子点，所述核壳量子点包括多个壳层，所述多个壳层包括相邻的第一壳层、第二壳层和第三壳层，其中，所述第二壳层的材料的带隙小于所述第一壳层的材料的带隙，且小于所述第三壳层的材料的带隙，所述发光层的厚度为所述核壳量子点的平均粒径的1.6～2.3倍；
4、所述空穴传输层的材料的迁移率大于10×10-3cm2/vs，且小于100×10-3cm2/vs。
5、可选的，在本申请的一些实施例中，所述核壳量子点的荧光量子产率大于等于70％；和/或，
6、所述核壳量子点的平均粒径大于8，且小于11nm；和/或，
7、所述第一壳层的材料包括zns，所述第二壳层的材料包括cdzns，且所述第三壳层的材料包括zns；和/或，
8、所述核壳量子点具有核，所述多个壳层还包括位于所述第一壳层和所述核之间的内壳层，所述内壳层的材料包括znse。
9、可选的，在本申请的一些实施例中，所述内壳层的厚度与所述核壳量子点的核的半径的比值为0.5～2:1；和/或，
10、所述第一壳层的厚度与所述核壳量子点的核的半径的比值为0.02～0.5:1；和/或，
11、所述第二壳层的厚度与所述核壳量子点的核的半径的比值为0.4～2:1；和/或，
12、所述第三壳层的厚度与所述核壳量子点的核的半径的比值为0.02～0.5:1。
13、可选的，在本申请的一些实施例中，所述空穴传输层的材料的homo能级为-5ev～-6ev。
14、可选的，在本申请的一些实施例中，所述空穴传输层的材料的迁移率为20×10-3～40×10-3cm2/vs。
15、可选的，在本申请的一些实施例中，所述空穴传输层的材料包括t5dp2,7、tbpys中的至少一种，t5dp2,7的结构如式(ⅰ)所示，tbpys的结构式如式(ⅱ)所示。
16、
17、可选的，在本申请的一些实施例中，所述发光器件还包括设于阴极和发光层之间的电子传输层；
18、所述电子传输层的材料的迁移率大于0.5×10-3cm2/vs，且小于1×10-3cm2/vs。
19、可选的，在本申请的一些实施例中，所述电子传输层的材料包括金属氧化物、掺杂金属氧化物中的一种或多种；所述金属氧化物包括zno、tio2、sno2、zro、al2o3、wo3、hfo3、ta2o3、zrsio4、batio3、bazro3中的一种或多种；所述掺杂金属氧化物中的金属氧化物包括zno、tio2、sno2、zro、al2o3、wo3、hfo3、ta2o3、zrsio4、batio3、bazro3中的多种，掺杂元素包括al、mg、li、in、ga、cd、cs、cu中的一种或多种；和/或，
20、所述电子传输层的材料的平均粒径为2～12nm。
21、可选的，在本申请的一些实施例中，所述核壳量子点的核材料选自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种；所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一种；所述iv-vi族化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbste中的至少一种；所述iii-v族化合物选自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas及inalpsb中的至少一种；所述i-iii-vi族化合物选自cuins2、cuinse2及agins2中的至少一种；和/或，
22、所述阳极和所述阴极各自独立的选自掺杂金属氧化物颗粒电极、金属与金属氧化物的复合电极、石墨烯电极、碳纳米管电极、金属电极或合金电极，所述掺杂金属氧化物颗粒电极的材料选自铟掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锑掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌及铝掺杂氧化镁中的一种或多种，所述金属与金属氧化物的复合电极选自azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种发光器件，其特征在于，包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、发光层、阴极，其中，所述发光层的材料包括核壳量子点，所述核壳量子点包括多个壳层，所述多个壳层包括相邻的第一壳层、第二壳层和第三壳层，其中，所述第二壳层的材料的带隙小于所述第一壳层的材料的带隙，且小于所述第三壳层的材料的带隙，所述发光层的厚度为所述核壳量子点的平均粒径的1.6～2.3倍；
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述核壳量子点的荧光量子产率大于等于70％；和/或，
3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述内壳层的厚度与所述核壳量子点的核的半径的比值为0.5～2:1；和/或，
4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料的HOMO能级为-5eV～-6eV。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料的迁移率为20×10-3～40×10-3cm2/Vs。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料包括T5DP2,7、TBPyS中的至少一种，T5DP2,7的结构如
7.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括设于阴极和发光层之间的电子传输层；
8.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述核壳量子点的核材料选自II-VI族化合物、IV-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种；所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe及HgZnSTe中的至少一种；所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe中的至少一种；所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs及InAlPSb中的至少一种；所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种；和/或，
9.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述阳极的厚度为20～200nm；和/或，
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1至9任一项所述的发光器件。
...【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、发光层、阴极，其中，所述发光层的材料包括核壳量子点，所述核壳量子点包括多个壳层，所述多个壳层包括相邻的第一壳层、第二壳层和第三壳层，其中，所述第二壳层的材料的带隙小于所述第一壳层的材料的带隙，且小于所述第三壳层的材料的带隙，所述发光层的厚度为所述核壳量子点的平均粒径的1.6～2.3倍；
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述核壳量子点的荧光量子产率大于等于70％；和/或，
3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述内壳层的厚度与所述核壳量子点的核的半径的比值为0.5～2:1；和/或，
4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料的homo能级为-5ev～-6ev。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料的迁移率为20×10-3～40×10-3cm2/vs。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料包括t5dp2,7、tbpys中的至少一种，t5dp2,7的结构如式(ⅰ)所示，tbpys的结构式如式(ⅱ)所示。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括设于阴极和发光层之间的电子传输层；
8.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述核壳量子点的核材料选自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种；所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、...
【专利技术属性】
技术研发人员：聂志文，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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