【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微电子、半导体及通信，尤其涉及一种移相电路及移相器。
技术介绍
1、如今正处在一个信息化的社会，人们追求高传输速率、低延迟和大容量的无线通讯系统，而相控阵天线能够实现多波束控制，精度高且寿命长，是实现信息传递与感知的重要技术之一。传统天线体型较大，辐射特性单一，而相控阵天线可以通过控制每个阵元实现信号的同相叠加，大大提高了信号接收的信噪比和数据传输速率。另外，多波束控制的特点可以大大提高频率资源的利用率，同时减少发射功率的浪费，降低系统功耗。相控阵在军工、航天航空、车载雷达、无线通信等领域应用极其广泛。
2、移相器作为控制相位的器件是相控阵系统中重要的组成部分，其所在位置决定了相控阵系统的架构类型，一般将信号移相放在射频域完成的相控阵系统称为射频移相架构的相控阵系统，它较其它架构的相控阵系统具有更低的功耗和体积，因此是目前应用最广泛的类型之一。相控阵一般阵元数量庞大，因此需要大量的移相器模块，同时它们也决定了整个系统的移相精度、损耗、稳定性和尺寸等。因此研究小型化、高性能的移相器是高性能相控阵研发面临的挑战。
3、移相器通常是两端口网络，一般通过开关器件和移相网络共同实现，开关器件控制信号的传输路径是参考路径或是延迟路径，理想开关在导通和截至状态下的插入损耗是相同，但实际中开关器件非理想器件，两种状态下的移相幅度发生变化，即具有一定的幅度波动，导致移相器性能下降。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对现有技术的移相器中的移相电路性能不佳的技术问
2、电阻r1的一端和电感l1的一端连接，电感l1的另一端与开关管m1的漏极连接，电阻r1的另一端与开关管m2的漏极连接；
3、电感l2的一端与开关管m1的源极连接，电感l2的另一端与开关管m2的漏极连接；
4、开关管m3的漏极与开关管m2的源极连接，开关管m3的源极接地，电感l3的一端与开关管m3的源极连接，电感l3的另一端与开关管m3的漏极连接；
5、开关晶体管m1的栅极连接第一个电阻rg的一端，第一个电阻rg的另一端接电源，开关晶体管m2的栅极连接第二个电阻rg的一端，第二个电阻rg的另一端接电源，开关晶体管m3的栅极连接第三个电阻rg的一端，第三个电阻rg的另一端接电源。
6、一实施例中，所述电感l2与所述电感l1电感值相同。
7、一实施例中，本专利技术还提供一种移相器，所述移相器包括如上所述的移相电路。
8、本专利技术提出了一种移相电路，移相电路包括：包含开关晶体管m1、开关晶体管m2、开关晶体管m3、三个电阻rg、电阻r1、电感l1、电感l2、电感l3，其中，开关晶体管m1的源极连接射频信号输入端，开关晶体管m1的漏极连接射频信号输出端；电阻r1的一端和电感l1的一端连接，电感l1的另一端与开关管m1的漏极连接，电阻r1的另一端与开关管m2的漏极连接；电感l2的一端与开关管m1的源极连接，电感l2的另一端与开关管m2的漏极连接；开关管m3的漏极与开关管m2的源极连接，开关管m3的源极接地，电感l3的一端与开关管m3的源极连接，电感l3的另一端与开关管m3的漏极连接；开关晶体管m1的栅极连接第一个电阻rg的一端，第一个电阻rg的另一端接电源，开关晶体管m2的栅极连接第二个电阻rg的一端，第二个电阻rg的另一端接电源，开关晶体管m3的栅极连接第三个电阻rg的一端，第三个电阻rg的另一端接电源。本专利技术的移相电路的结构只有一个串联开关，插损更小，且开关截止态寄生电容为移相电路的一部分，能有效抑制寄生参量对整个移相电路性能的影响。采用本电路的移相电路结构能够实现高精度、低插入损耗，低幅度误差的效果。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种移相电路，其特征在于，所述移相电路包括：包含开关晶体管M1、开关晶体管M2、开关晶体管M3、三个电阻Rg、电阻R1、电感L1、电感L2、电感L3，其中，开关晶体管M1的源极连接射频信号输入端，开关晶体管M1的漏极连接射频信号输出端；
2.根据权利要求1所述的移相电路，其特征在于，所述电感L2与所述电感L1电感值相同。
3.一种移相器，其特征在于，所述移相器包括如权利要求1至2中任意一项所述的移相电路。
【技术特征摘要】
1.一种移相电路，其特征在于，所述移相电路包括：包含开关晶体管m1、开关晶体管m2、开关晶体管m3、三个电阻rg、电阻r1、电感l1、电感l2、电感l3，其中，开关晶体管m1的源极连接射频信号输入端，开关晶体管m1的漏...
【专利技术属性】
技术研发人员：王涛，吴奕蓬，刘凯，张博，张健鑫，
申请(专利权)人：博瑞集信西安电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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