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参考电极制造技术

技术编号:43794069 阅读:3 留言:0更新日期:2024-12-24 16:25
本公开涉及参考电极。公开了用于参考电极的系统和方法。在一个方面,一种测量系统包括:伪参考电极,所述伪参考电极被配置为提供参考电势;和依赖性电极,所述依赖性电极被配置为当暴露于样品时产生依赖性电势。所述参考电势和所述依赖性电势两者基于所述样品的性质而变化。电化学传感器包括伪参考电极和依赖性电极。

【技术实现步骤摘要】

本公开一般涉及电化学传感器,尤其涉及电化学传感器的参考电极


技术介绍

1、电化学传感器是一类化学传感器,其中电极在存在分析物的情况下用作换能器元件。电化学传感器可以将与电化学反应(例如,电极和分析物之间的反应)相关的信息转换为适用的定性或定量信号。电化学传感器可以产生数字信号的电子输出,用于进一步分析。参考电极用于测量系统,例如电化学传感器,以测量溶液的参数。测量系统的精度可以部分取决于参考电极电势的一致性和稳定性。


技术实现思路

1、所描述的技术的方法和装置每个都具有多个方面,其中没有一个单独负责其期望的属性。

2、在一个方面,提供了一种测量系统,包括:伪参考电极,所述伪参考电极被配置为提供参考电势;和依赖性电极,所述依赖性电极被配置为当暴露于样品时产生依赖性电势,其中所述参考电势和所述依赖性电势两者基于所述样品的性质而变化,并且其中电化学传感器包括伪参考电极和依赖性电极。

3、在一些实施例中,测量系统还包括处理电路,所述处理电路被配置为基于所述依赖性电势来补偿所述参考电势中的依赖性。

4、在一些实施例中,所述处理电路还被配置为控制工作电极和所述伪参考电极之间的偏置电势。

5、在一些实施例中,测量系统还包括反电极;和至少一个工作电极,其中所述测量系统被配置为基于(i)所述工作电极和所述伪参考电极之间的测量电势、(ii)所述工作电极和所述反电极之间的电流测量值、(iii)所述工作电极和所述反电极之间的电荷测量值、或(iv)所述工作电极和所述反电极之间的阻抗测量值中的至少一个来测量所述样品的参数。

6、在一些实施例中,所述至少一个工作电极包括多个工作电极,并且其中所述多个工作电极、所述对电极、所述伪参考电极和所述依赖性电极排列成一列。

7、在一些实施例中,所述伪参考电极具有氯离子依赖性,并且其中所述依赖性电极对氯离子敏感。

8、在一些实施例中,所述伪参考电极依赖性于以下一种或多种:氯离子、溴离子、碘离子、碳酸氢根离子、乙酸根离子、乳酸根离子、硫酸根离子、硝酸根离子、钾离子、钠离子、温度或ph。

9、在一些实施例中,所述伪参考电极包括ag、au、agcl、pt、c和/或agbr中的一种或多种。

10、在一些实施例中,测量系统还包括在所述伪参考电极上形成的膜。

11、在一些实施例中,所述膜是氯化物扩散限制膜,其中依赖性传感器是氯化物电极,并且其中所述性质是氯化物浓度。

12、在一些实施例中,测量系统还包括在所述依赖性电极上形成的膜。

13、在一些实施例中,所述伪参考电极存储在校准溶液中。

14、在一些实施例中,所述依赖性电极存储在所述校准溶液中。

15、在一些实施例中,测量系统还包括第二依赖性电极,所述第二依赖性电极被配置为当暴露于所述样品时产生第二依赖性电势,其中所述参考电势和所述第二依赖性电势两者基于所述样品的第二性质而变化。

16、在另一个方面,提供了一种测量方法,包括:从暴露于样品的依赖性电极获得测量值;以及基于所述测量来补偿由伪参考电极产生的参考电势的依赖性,其中电化学传感器包括所述依赖性电极和所述伪参考电极。

17、在一些实施例中,该方法还包括至少部分地基于由所述补偿产生的补偿参考电势来产生所述样品的性质的测量。

18、在一些实施例中,该方法还包括基于(i)所述工作电极和所述伪参考电极之间的测量电势、(ii)所述工作电极和所述反电极之间的电流测量值、(iii)所述工作电极和所述反电极之间的电荷测量值、或(iv)所述工作电极和所述反电极之间的阻抗测量值中的至少一个来测量所述样品的参数。

19、在一些实施例中,该方法还包括从暴露于所述样品的第二依赖性电极获得第二测量值;以及基于第二测量值来补偿由伪参考电极产生的参考电势的第二依赖性。

20、在又一个方面,提供了一种测量系统,包括:用于提供参考电势的构件;和用于在暴露于样品时产生依赖性电势的构件,其中所述参考电势和所述依赖性电势两者基于所述样品的性质而变化,并且其中电化学传感器包括用于提供参考电势的构件和用于产生依赖性电势的构件。

21、在一些实施例中,测量系统还包括用于基于所述依赖性电势补偿所述参考电势中的依赖性的构件。

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【技术保护点】

1.一种测量系统,包括:

2.根据权利要求1所述的测量系统,还包括处理电路,所述处理电路被配置为基于所述依赖性电势来补偿所述参考电势中的依赖性。

3.根据权利要求2所述的测量系统,其中所述处理电路还被配置为控制工作电极和所述伪参考电极之间的偏置电势。

4.根据权利要求1所述的测量系统,还包括:

5.根据权利要求4所述的测量系统,其中所述至少一个工作电极包括多个工作电极,并且其中所述多个工作极、所述反电极、所述伪参考电极和所述依赖性电极排列成一列。

6.根据权利要求1所述的测量系统,其中所述伪参考电极具有氯离子依赖性,并且其中所述依赖性电极对氯离子敏感。

7.根据权利要求1所述的测量系统,其中所述伪参考电极依赖性于以下一种或多种:氯离子、溴离子、碘离子、碳酸氢根离子、乙酸根离子、乳酸根离子、硫酸根离子、硝酸根离子、钾离子、钠离子、温度或pH。

8.根据权利要求1所述的测量系统,其中所述伪参考电极包括Ag、Au、AgCl、Pt、C和/或AgBr中的一种或多种。

9.根据权利要求1所述的测量系统,还包括在所述伪参考电极上形成的膜。

10.根据权利要求9所述的测量系统,其中所述膜是氯化物扩散限制膜,其中依赖性传感器是氯化物电极,并且其中所述性质是氯化物浓度。

11.根据权利要求1所述的测量系统,还包括在所述依赖性电极上形成的膜。

12.根据权利要求1所述的测量系统,其中所述伪参考电极存储在校准溶液中。

13.根据权利要求12所述的测量系统,其中所述依赖性电极存储在所述校准溶液中。

14.根据权利要求1所述的测量系统,还包括第二依赖性电极,所述第二依赖性电极被配置为当暴露于所述样品时产生第二依赖性电势,其中所述参考电势和所述第二依赖性电势两者基于所述样品的第二性质而变化。

15.一种测量方法,包括:

16.根据权利要求15所述的测量方法,还包括至少部分地基于由所述补偿产生的补偿参考电势来产生所述样品的性质的测量。

17.根据权利要求15所述的测量方法,还包括:

18.根据权利要求15所述的测量方法,还包括:

19.一种测量系统,包括:

20.根据权利要求19所述的测量系统,还包括:

...

【技术特征摘要】

1.一种测量系统,包括:

2.根据权利要求1所述的测量系统,还包括处理电路,所述处理电路被配置为基于所述依赖性电势来补偿所述参考电势中的依赖性。

3.根据权利要求2所述的测量系统,其中所述处理电路还被配置为控制工作电极和所述伪参考电极之间的偏置电势。

4.根据权利要求1所述的测量系统,还包括:

5.根据权利要求4所述的测量系统,其中所述至少一个工作电极包括多个工作电极,并且其中所述多个工作极、所述反电极、所述伪参考电极和所述依赖性电极排列成一列。

6.根据权利要求1所述的测量系统,其中所述伪参考电极具有氯离子依赖性,并且其中所述依赖性电极对氯离子敏感。

7.根据权利要求1所述的测量系统,其中所述伪参考电极依赖性于以下一种或多种:氯离子、溴离子、碘离子、碳酸氢根离子、乙酸根离子、乳酸根离子、硫酸根离子、硝酸根离子、钾离子、钠离子、温度或ph。

8.根据权利要求1所述的测量系统,其中所述伪参考电极包括ag、au、agcl、pt、c和/或agbr中的一种或多种。

9.根据权利要求1所述的测量系统,还包括在所述伪参...

【专利技术属性】
技术研发人员:A·伯杜克N·阿鲁尔莫智L·麦格拉思R·道尔
申请(专利权)人:亚德诺半导体国际无限责任公司
类型:发明
国别省市:

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