【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体器件的导电特征及其形成方法。
技术介绍
1、半导体器件用于各种电子应用，例如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。半导体器件通常通过以下方式制造：在半导体衬底之上按顺序地沉积绝缘层或电介质层、导电层和半导体材料层，并且使用光刻对各种材料层进行图案化以在其上形成电路组件和元件。
2、半导体工业通过不断减小最小特征尺寸来不断提高各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许将更多组件集成到给定区域中。
技术实现思路
1、根据本公开的一个实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在第一电介质层之上形成导电层；在所述导电层中蚀刻出凹部，其中，所述凹部暴露所述第一电介质层的顶表面；在所述凹部内的导电层的暴露侧壁上选择性地沉积帽盖层；在所述帽盖层上沉积内衬；在所述凹部中形成牺牲材料；在所述牺牲材料上和所述凹部的侧壁上形成第二电介质层；以及在形成所述第二电介质层之后，执行热处理以去除所述牺牲材料。
2、根据本公开的一个实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底之上沉积第一电介质材料；在所述第一电介质材料之上沉积第一阻挡层；在所述第一阻挡层之上沉积导电材料；蚀刻出多个凹部，所述多个凹部延伸穿过所述导电材料和所述第一阻挡层；选择性地在所述导电材料和所述第一阻挡层的暴露表面上沉积保护材料，其中，所述第一电介质材料没有所述保护材料；以及在所述保护材料和所述第一电介质材料上沉积内衬层。
3、根据本公开的一个实施
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1.一种形成半导体器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述导电层和所述第一电介质层之间形成第一阻挡层。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述导电层的顶表面上形成第二阻挡层。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述牺牲材料包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述内衬实体接触所述第一电介质层的顶表面。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述热处理以去除所述牺牲材料在所述第二电介质层下方形成气隙。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括：在执行所述热处理之后在所述第二电介质层上形成第三电介质层，其中，所述第二电介质层下方的区域保持没有所述第三电介质层。
8.根据权利要求1所述的方法，还包括：执行平坦化工艺以去除所述第二电介质层、所述帽盖层和所述内衬的上部部分。
9.一种形成半导体器件的方法，包括：
10.一种半导体结构，包括：
【技术特征摘要】
1.一种形成半导体器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述导电层和所述第一电介质层之间形成第一阻挡层。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述导电层的顶表面上形成第二阻挡层。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述牺牲材料包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述内衬实体接触所述第一电介质层的顶表面。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，执...
【专利技术属性】
技术研发人员：江明洲，张志毅，黄鸿仪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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