System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 封装结构及其制备方法及封装基板的制备方法技术_技高网

封装结构及其制备方法及封装基板的制备方法技术

技术编号:43791671 阅读:12 留言:0更新日期:2024-12-24 16:23
本申请公开了一种封装结构及其制备方法及封装基板的制备方法,涉及芯片封装技术领域,封装结构包括:封装基板,封装基板包括依次层叠的第一连接层、核心层以及第二连接层;贯穿核心层的通孔,通孔内具有层叠设置的第一集成无源器件和第二集成无源器件;其中,第一集成无源器件的连接面朝向第一连接层设置,以与第一连接层中的第一连接电路连接;第二集成无源器件的连接面朝向第二连接层设置,以与第二连接层中的第二连接电路连接。本申请可以利用核心层中通孔的空间层叠设置第一集成无源器件和第二集成无源器件,不会增大封装结构的厚度,且两集成无源器件的布局方式不会占据封装基板外侧的表面空间,可以避免集成无源器件增大封装结构的面积。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及芯片封装,尤其涉及一种封装结构及其制备方法及封装基板的制备方法


技术介绍

1、电子设备实现各种功能的核心部件是芯片。为了保证芯片的安全可靠运行,需要采用封装基板对芯片进行封装。

2、为了滤除高频噪声,使得输出电压稳定,保证芯片的正常工作,需要在芯片的封装结构中集成去耦合电容。随着芯片集成度、复杂度的提升,对芯片电源分配网络(powerdelivery network,简称pdn)的设计提出了更高的要求,因此对电容的稳定性和容值等需求也随之提升。集成无源器件(integrated passive device,简称ipd)因其具有高稳定性、高容值以及低等效电阻(esr)、低等效串联电感(esl)以及可调厚度(厚度≤70μm)等优势,逐渐收到业内青睐。

3、目前,对于具有多个集成无源器件的芯片封装结构,集成无源器件的布局方式通常是将多个集成无源器件铺平固定在封装基板背离芯片的同一侧表面上,会导致封装结构的面积较大。


技术实现思路

1、鉴于上述问题,本申请提供了一种封装结构及其制备方法及封装基板的制备方法。具体方案如下:

2、本申请第一方面提供一种封装结构,包括:

3、封装基板,封装基板包括依次层叠的第一连接层、核心层以及第二连接层;

4、贯穿核心层的通孔,通孔内具有层叠设置的第一集成无源器件和第二集成无源器件;

5、其中,第一集成无源器件的连接面朝向第一连接层设置,以与第一连接层中的第一连接电路连接;第二集成无源器件的连接面朝向第二连接层设置,以与第二连接层中的第二连接电路连接。

6、优选地,在上述封装结构中,第一集成无源器件与第二集成无源器件之间通过粘接胶膜相对贴合固定。

7、优选地,在上述封装结构中,第一集成无源器件与核心层朝向第一连接层的一侧表满足齐平条件;

8、第二集成无源器件与核心层朝向第二连接层的一侧表满足齐平条件。

9、优选地,在上述封装结构中,第一集成无源器件与第二集成无源器件的侧壁满足齐平条件,且第一集成无源器件和第二集成无源器件的侧壁与通孔的侧壁之间均具有间隙;

10、其中,间隙内具有介质填充材料。

11、优选地,在上述封装结构中,还包括芯片,芯片固定在第一连接层背离核心层的一侧表面上,与第一连接电路连接;

12、第二连接电路包括多层依次层叠的布线层;第二集成无源器件与相邻的布线层连接,通过相邻的布线层与核心层电连接,以电连接芯片。

13、优选地,在上述封装结构中,第一集成无源器件的侧壁与通孔的侧壁具有第一距离,第二集成无源器件与通孔具有第二距离,第一距离与第二距离的差值绝对值小于对齐阈值。

14、优选地,在上述封装结构中,第一连接电路和第二连接电路均包括多个导电孔;

15、第一连接层中的至少部分导电孔位于第一连接层与通孔相对的区域内;

16、第二连接层中的至少部分导电孔位于第二连接层与通孔相对的区域内;

17、对于第一连接层和第二连接层与通孔相对区域内的导电孔,导电孔内具有导热填充材料。

18、本申请第二方面提供一种封装基板的制备方法,包括:

19、制备核心层;

20、在核心层内形成通孔;

21、在通孔内层叠设置第一集成无源器件和第二集成无源器件;

22、在核心层相对的两侧表面上分别设置第一连接层和第二连接层;

23、其中,第一集成无源器件的连接面朝向第一连接层设置,以与第一连接层中的第一连接电路连接;第二集成无源器件的连接面朝向第二连接层设置,以与第二连接层中的第二连接电路连接。

24、可选地,在上述封装基板的制备方法中,第一集成无源器件与第二集成无源器件的连接面均具有焊盘;

25、设置有通孔的核心层临时键合于承载板上,在通孔内层叠设置第一集成无源器件和第二集成无源器件的方法包括:

26、将第二集成无源器件放置于通孔内;第一集成无源器件的连接面朝向承载板设置;

27、在第一集成无源器件背离自身连接面的一侧表面上敷设粘接胶膜之后,将第一集成无源器件放置于通孔内;粘接胶膜朝向第二集成无源器件,通过粘接胶膜贴合固定第二集成无源器件与第一集成无源器件。

28、本申请第三方面提供一种封装结构的制备方法,包括:

29、基于上述制备方法形成封装基板;

30、在封装基板的第一连接层上固定芯片,芯片与第一连接层中的第一连接电路连接。

31、借由上述技术方案,本申请提供的封装结构及其制备方法及封装基板的制备方法,封装基板具有贯穿核心层的通孔,基于核心层中的通孔,能够设置层叠设置的第一集成无源器件和第二集成无源器件,可以利用核心层中通孔的空间层叠设置第一集成无源器件和第二集成无源器件,利用核心层的厚度空间布局第一集成无源器件和第二集成无源器件。

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【技术保护点】

1.一种封装结构,包括:

2.根据权利要求1所述的封装结构,所述第一集成无源器件与所述第二集成无源器件之间通过粘接胶膜相对贴合固定。

3.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一集成无源器件与所述核心层朝向所述第一连接层的一侧表满足齐平条件;

4.根据权利要求1所述的封装结构,所述第一集成无源器件与所述第二集成无源器件的侧壁满足齐平条件,且所述第一集成无源器件和所述第二集成无源器件的侧壁与所述通孔的侧壁之间均具有间隙;

5.根据权利要求1所述的封装结构,还包括芯片,所述芯片固定在所述第一连接层背离所述核心层的一侧表面上,与所述第一连接电路连接;

6.根据权利要求1所述的封装结构,所述第一集成无源器件的侧壁与所述通孔的侧壁具有第一距离,所述第二集成无源器件与所述通孔具有第二距离,所述第一距离与所述第二距离的差值绝对值小于对齐阈值。

7.根据权利要求1所述的封装结构,所述第一连接电路和所述第二连接电路均包括多个导电孔;

8.一种封装基板的制备方法,包括:

9.根据权利要求8所述的制备方法,所述第一集成无源器件与所述第二集成无源器件的连接面均具有焊盘;

10.一种封装结构的制备方法,包括:

...

【技术特征摘要】

1.一种封装结构,包括:

2.根据权利要求1所述的封装结构,所述第一集成无源器件与所述第二集成无源器件之间通过粘接胶膜相对贴合固定。

3.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一集成无源器件与所述核心层朝向所述第一连接层的一侧表满足齐平条件;

4.根据权利要求1所述的封装结构,所述第一集成无源器件与所述第二集成无源器件的侧壁满足齐平条件,且所述第一集成无源器件和所述第二集成无源器件的侧壁与所述通孔的侧壁之间均具有间隙;

5.根据权利要求1所述的封装结构,还包括芯片,所述芯片固定在所述第一连接层背...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈丽萍
申请(专利权)人:鼎道智芯上海半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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