【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体，尤其涉及一种用于环形工件的测量装置。
技术介绍
1、化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)是一种材料表面处理技术，广泛应用于半导体、光伏、涂层和纳米技术等领域。化学气相沉积主要用于在基材表面沉积薄膜，通过控制反应过程，在高温和低压条件下，形成均匀、致密和纯净的薄膜材料。
2、在化学气相沉积过程中，基材由支撑件支撑在反应腔室内。使用专用的支撑件对基材进行支撑具有重要的作用。支撑件不仅能确保基材被稳定地支撑在反应腔室中的正确位置，还能提高沉积过程的均匀性和效率。例如，支撑件可以采用环形结构，以对基材提供均匀支撑的同时利用支撑件的中心通孔改善气流流动，提高沉积均匀性。
3、支撑件的尺寸需要与基材的尺寸相匹配。以环形的支撑件为例，如果支撑件的直径过大或者过小，都会导致基材无法被稳定支撑，从而影响沉积的均匀性和质量；支撑件的厚度则直接影响其机械强度和热传导性能。此外，支撑件的尺寸还会直接影响其制造成本。
4、为了确保化学气相沉积反应的质量和一致性以及控制制造成本，需要根据尺寸对支撑件进行筛选。因此，如何以高效的方式测量支撑件的几个关键尺寸从而提高整体生产效率一直是本领域亟需解决的问题。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本技术实施例期望提供一种用于环形工件的测量装置，通过使用该测量装置可以一次性测得环形工件的多个尺寸，显著提升了测量效率并且提高了测量结果的准确性。
2、本技术实施例的技术
3、本技术实施例提供了一种用于环形工件的测量装置，所述测量装置包括：
4、承载部，用于将所述环形工件承载在预定平面上；
5、定位部，所述定位部用于将所述环形工件的圆心定位至所述预定平面上的预定点处；
6、第一测量部，所述第一测量部配置成指示在所述预定平面上经过所述预定点的第一方向上的尺寸；以及
7、第二测量部，所述第二测量部配置成指示垂直于所述预定平面的第二方向上的尺寸。
8、在一些可选的示例中，所述承载部包括与所述预定平面平行的用于承载所述环形工件的承载平面，其中，所述第一测量部包括形成在所述承载平面上的第一长度刻度，并且所述第一长度刻度在所述第一方向上的延长线经过所述预定点。
9、在一些可选的示例中，所述第二测量部包括刻度件，其中，所述刻度件沿所述第二方向延伸，并且所述刻度件上设置有第二长度刻度。
10、在一些可选的示例中，所述刻度件设置成能够沿所述第一方向移动成抵靠所述环形工件的周向边缘。
11、在一些可选的示例中，所述承载部包括与所述预定平面平行的用于承载所述环形工件的承载平面，其中，所述承载平面上形成有沿所述第一方向延伸的滑槽，并且所述刻度件设置成能够沿所述滑槽滑动。
12、在一些可选的示例中，所述第二测量部还包括连接至所述刻度件的指示件，其中，所述指示件设置成垂直于所述刻度件延伸并且能够沿所述第二方向移动成抵靠所述环形工件。
13、在一些可选的示例中，所述定位部设置在所述预定点处，以通过与所述环形工件的中心孔配合将所述环形工件的所述圆心定位至所述预定点处。
14、在一些可选的示例中，所述测量装置包括围绕所述预定点设置的至少三个所述定位部，每个定位部设置成能够沿所述第一方向移动成抵靠所述环形工件。
15、在一些可选的示例中，所述第二测量部为所述至少三个定位部中的至少一个定位部。
16、在一些可选的示例中，所述测量装置包括以预定的角度间隔开的多个第一测量部。
17、本技术实施例提供了一种用于环形工件的测量装置。该测量装置包括定位部和两个测量部，其中，通过所述两个测量部，可以在定位部将环形工件的圆心定位在预定平面上的预定点处的情况下，一次性获得环形工件的厚度尺寸和一个或更多个径向尺寸。相比于现有技术中多次逐一测量各个尺寸的测量方案，本技术实施例提供的测量装置简化了测量操作流程，并减少了重复测量和定位的时间，从而显著提高了测量效率。另外，利用定位部可以确保环形工件的圆心与承载部上的预定点对齐，使得能够确保在测量环形工件的径向尺寸时测量点位于环形工件的圆心点处，以减少因人为操作不当导致的中心偏差，从而提高测量精度。
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1.一种用于环形工件的测量装置，其特征在于，所述测量装置包括：
2.根据权利要求1所述的用于环形工件的测量装置，其特征在于，所述承载部包括与所述预定平面平行的用于承载所述环形工件的承载平面，其中，所述第一测量部包括形成在所述承载平面上的第一长度刻度，并且所述第一长度刻度在所述第一方向上的延长线经过所述预定点。
3.根据权利要求1所述的用于环形工件的测量装置，其特征在于，所述第二测量部包括刻度件，其中，所述刻度件沿所述第二方向延伸，并且所述刻度件上设置有第二长度刻度。
4.根据权利要求3所述的用于环形工件的测量装置，其特征在于，所述刻度件设置成能够沿所述第一方向移动成抵靠所述环形工件的周向边缘。
5.根据权利要求4所述的用于环形工件的测量装置，其特征在于，所述承载部包括与所述预定平面平行的用于承载所述环形工件的承载平面，其中，所述承载平面上形成有沿所述第一方向延伸的滑槽，并且所述刻度件设置成能够沿所述滑槽滑动。
6.根据权利要求3至5中的任一项所述的用于环形工件的测量装置，其特征在于，所述第二测量部还包括连接至所述刻度件的
7.根据权利要求1至5中的任一项所述的用于环形工件的测量装置，其特征在于，所述定位部设置在所述预定点处，以通过与所述环形工件的中心孔配合将所述环形工件的所述圆心定位至所述预定点处。
8.根据权利要求1至5中的任一项所述的用于环形工件的测量装置，其特征在于，所述测量装置包括围绕所述预定点设置的至少三个所述定位部，每个定位部设置成能够沿所述第一方向移动成抵靠所述环形工件。
9.根据权利要求8所述的用于环形工件的测量装置，其特征在于，所述第二测量部为所述至少三个定位部中的至少一个定位部。
10.根据权利要求1至5中的任一项所述的用于环形工件的测量装置，其特征在于，所述测量装置包括以预定的角度间隔开的多个第一测量部。
...【技术特征摘要】
1.一种用于环形工件的测量装置，其特征在于，所述测量装置包括：
2.根据权利要求1所述的用于环形工件的测量装置，其特征在于，所述承载部包括与所述预定平面平行的用于承载所述环形工件的承载平面，其中，所述第一测量部包括形成在所述承载平面上的第一长度刻度，并且所述第一长度刻度在所述第一方向上的延长线经过所述预定点。
3.根据权利要求1所述的用于环形工件的测量装置，其特征在于，所述第二测量部包括刻度件，其中，所述刻度件沿所述第二方向延伸，并且所述刻度件上设置有第二长度刻度。
4.根据权利要求3所述的用于环形工件的测量装置，其特征在于，所述刻度件设置成能够沿所述第一方向移动成抵靠所述环形工件的周向边缘。
5.根据权利要求4所述的用于环形工件的测量装置，其特征在于，所述承载部包括与所述预定平面平行的用于承载所述环形工件的承载平面，其中，所述承载平面上形成有沿所述第一方向延伸的滑槽，并且所述刻度件设置成能够沿所述滑槽滑动。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：秦双亮，刘进，
申请(专利权)人：重庆欣晖材料技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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