一种理想二极管电路制造技术

本技术属于电源电路技术领域，涉及一种理想二极管电路，包括：PNP型三极管Q1、PMOS型场效应管Q2、PNP型三极管Q3、电阻R1、电阻R2及电阻R3；电阻R1的一端分别与PNP型三极管Q1的集电极、PNP型三极管Q1的基极、PNP型三极管Q3的基极连接，PNP型三极管Q1的发射极与PMOS型场效应管Q2的漏极连接，PMOS型场效应管Q2的源极分别与电阻R3的一端、PNP型三极管Q3的发射极连接，PMOS型场效应管Q2的栅极分别与电阻R3的另一端、PNP型三极管Q3的集电极、电阻R2的一端连接。通过使用一个PMOS管和两个PNP三极管，电路简单，成本低，可靠性高，具有低损耗防倒灌的功能。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电源电路，更具体地说，涉及一种理想二极管电路。

技术介绍

1、在多电源系统冗余供电系统中，通常需要设计反极性保护，以防止输出端电源倒灌或者现场输入电源接线错误，导致电路板烧坏。

2、现有设计有通过肖特基二极管的单向导电性来实现防倒灌功能，但是二极管具有较大的压降，在大电流电源系统中存在发热量大，功率损耗高的问题，具有限制性。有些电路使用专用的理想二极管控制芯片，如ti的lm5051等，但是成本较高。也有使用分立器件搭建的方案，但是电路设计较为复杂。

技术实现思路

1、本技术要解决的技术问题在于现有多电源系统冗余供电系统中，通过肖特基二极管的单向导电性来实现防倒灌功能，但是二极管在大电流电源系统中发热量大，功率损耗高，针对现有技术的上述的缺陷，提供一种理想二极管电路，包括：

2、pnp型三极管q1、pmos型场效应管q2、pnp型三极管q3、电阻r1、电阻r2及电阻r3；

3、电阻r1的一端分别与pnp型三极管q1的集电极、pnp型三极管q1的基极、pnp型三极管q3的基极连接，pnp型三极管q1的发射极与pmos型场效应管q2的漏极连接，pmos型场效应管q2的源极分别与电阻r3的一端、pnp型三极管q3的发射极连接，pmos型场效应管q2的栅极分别与电阻r3的另一端、pnp型三极管q3的集电极、电阻r2的一端连接。

4、优选地，所述电阻r1的另一端接地。

5、优选地，所述电阻r2的另一端接地。

6、优选地，pnp型三极管q1与pnp型三极管q3型号相同。

7、优选地，所述pmos型场效应管q2型号为wpm3407-3、wpm3401-3、ao3401中的任何一种。

8、优选地，pnp型三极管q1与pnp型三极管q3型号均为9012、9015、mmbt3906中的任何一种。

9、实施本技术的理想二极管电路，具有以下有益效果：通过使用一个pmos管和两个pnp三极管，电路简单，成本低，可靠性高，具有低损耗防倒灌的功能。

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【技术保护点】

1.一种理想二极管电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的理想二极管电路，其特征在于，所述电阻R1的另一端接地。

3.根据权利要求1所述的理想二极管电路，其特征在于，所述电阻R2的另一端接地。

4.根据权利要求1所述的理想二极管电路，其特征在于，PNP型三极管Q1与PNP型三极管Q3型号相同。

5.根据权利要求1所述的理想二极管电路，其特征在于，所述PMOS型场效应管Q2型号为WPM3407-3、WPM3401-3、AO3401中的任何一种。

6.根据权利要求4所述的理想二极管电路，其特征在于，PNP型三极管Q1与PNP型三极管Q3型号均为9012、9015、MMBT3906中的任何一种。

【技术特征摘要】

1.一种理想二极管电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的理想二极管电路，其特征在于，所述电阻r1的另一端接地。

3.根据权利要求1所述的理想二极管电路，其特征在于，所述电阻r2的另一端接地。

4.根据权利要求1所述的理想二极管电路，其特征在于，pnp型三极管q1与pnp型三极管q3型号...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡海洲，
申请(专利权)人：深圳市加糖电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：