【技术实现步骤摘要】
本揭示内容提供一种半导体装置及其形成方法。
技术介绍
1、电子产业对更小、更快的电子装置的需求不断增加，且这些装置同时能够支援更多日益复杂和精密的功能。因此，半导体产业制造低成本、高性能和低耗功率的集成电路(integrated circuit,ic)的趋势持续存在。到目前为止，这些目标在很大程度上是通过缩小半导体的集成电路的尺寸(例如，最小特征尺寸)来实现，从而提高生产效率并降低相关成本。然而，这种发展也增加了半导体制造工艺的复杂性。因此，半导体的集成电路和装置的持续进步需要类似的半导体制造工艺和技术的进步。
技术实现思路
1、本揭示内容提供一种形成半导体装置的方法。方法包括以下操作。形成多个结构在基板上。形成一层在这些结构之间。执行第一蚀刻工艺以将此层凹陷至具有锯齿状轮廓的表面。可选地形成一个或多个薄膜在此表面上，其中薄膜保有锯齿状轮廓。沉积一材料在基板上。执行第二蚀刻工艺以蚀刻此材料的一部分并形成具有一侧壁的此材料，其中第二蚀刻工艺使锯齿状轮廓被暴露，以及其中在第二蚀刻工艺中多个离子被锯齿轮廓反射。
2、本揭示内容也提供一种形成半导体装置的方法。方法包括以下操作。形成第一鳍结构及第二鳍结构。形成隔离区域在第一鳍结构及第二鳍结构之间。使隔离区域凹陷，以提供具有波形的凹陷表面的隔离区域。沉积牺牲栅极材料在隔离区域上。蚀刻牺牲栅极材料的一部分，以形成牺牲栅极。
3、本揭示内容又提供一种半导体装置。半导体装置包括：在纵向的方向y上与第二介电区域相距的第一介电区
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1.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中：
3.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，包括：
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，其中该波形包括：
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，其中该波形还包括：
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，其中该第一鳍结构及该第二鳍结构中的每一个包括一第一半导体材料的一台面部分及一第二半导体材料的一第二层，其中该台面部分具有一最上表面，以及其中：
7.如权利要求3所述的方法，其特征在于，其中使该隔离区域凹陷以提供具有该波形的该凹陷表面的该隔离区域包括执行一蚀刻工艺，该蚀刻工艺使用选自由NH3、NF3、HBr及H2的一蚀刻气体；使用选自由N2及O2的一钝化气体；以及使用选自由He、Ar及N2的一稀释气体，以及该蚀刻工艺是以10瓦特至4000瓦特的一功率；10mTorr至3Torr的一压力；以及20sccm至3000sccm的一气体流量来执行。
8.一种半导体装置，其特征在于，包括：
9.如
10.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，还包括在该纵向的方向Y上与一第二浅隔离区域相距的一第一浅隔离区域；其中：
...【技术特征摘要】
1.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中：
3.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，包括：
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，其中该波形包括：
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，其中该波形还包括：
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，其中该第一鳍结构及该第二鳍结构中的每一个包括一第一半导体材料的一台面部分及一第二半导体材料的一第二层，其中该台面部分具有一最上表面，以及其中：
7.如权利要求3所述的方法，其特征在于，其中使该隔离区域凹陷以提供具有该波形的该凹陷表面的该隔离区域包括执行一蚀刻工艺，该蚀刻工艺使...
【专利技术属性】
技术研发人员：高魁佑，卓琼玉，张铭庆，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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