【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电阻率测量方法，更详细而言，涉及将利用c-v法测量的硅外延层的电阻率换算成可追溯nist等国际标准的四探针电阻率的电阻率测量方法。
技术介绍
1、以往，作为对单晶硅晶圆的主表面进行抛光加工后的抛光晶圆（pw）（以下有时简单记载为pw）、或者在该pw晶圆的主表面气相生长有硅外延层（以下有时简单记载为外延层）的硅外延晶圆（以下有时简单记载为epw）的电阻率进行测量的方法，已知有c-v（capacitance-voltage，电容-电压）法。
2、例如，如专利文献1所记载的，为了测量单晶硅晶圆的c-v特性，在作为试样的单晶硅晶圆的主表面（第一主表面）上，使用金属电极形成肖特基结，将所述试样固定于c-v测量装置的晶圆台，一边使反向偏压连续地变化一边对电极施加反向偏压，由此，在单晶硅晶圆的内部扩大耗尽层，使其容量变化。
3、然后，根据偏压与耗尽层的容量的关系，计算距单晶硅晶圆的主表面规定深度处的杂质浓度和电阻率。
4、为了得到精度高的c-v特性，需要将试样的主背面（第二主表面）与晶圆台的接触保持得较小。
5、在专利文献1中公开了一种方法，其在所述晶圆台上载置导电性垫，使在主背面涂覆有导电性膏的单晶硅晶圆密接在该导电性垫上，测量c-v特性。
6、作为导电性垫，优选使用掺入有银、碳、电阻率0.01ω·cm以下、厚度0.2mm以上0.75mm以下的硅橡胶。
7、从c-v特性向电阻率的换算使用semi mf723-0307或irvin曲线。基于四探针法的电阻率测
8、基于c-v法的电阻率测量值也优选具有对nist等国际标准的可追溯性。因此，提出了例如通过利用c-v法测量具有对所述电阻率标准物质srm的可追溯性的标准晶圆，来确保可追溯性。
9、例如，在专利文献2中，在使用所述srm2541~srm2547的电阻率标准物质作为一次标准样品进行校正的四探针法的测量装置中，对具有p/n结的硅外延晶圆的外延层电阻率进行赋值而作为二次标准样品，并且通过利用表面电极的c-v法测量装置测量该外延层，校正该表面电极的c-v法测量装置。
10、并且，提出了使用由所述二次标准样品校正后的表面电极的c-v法测量装置，测量p/p型或n/n型硅外延晶圆的外延层电阻率作为三次标准样品，使用该三次标准样品校正背面电极的c-v法测量装置。
11、现有技术文献
12、专利文献
13、专利文献1：日本特开2016-76662号公报
14、专利文献2：日本特开2018-32771号公报
技术实现思路
1、（一）要解决的技术问题
2、在使用专利文献2提出的方法的情况下，需要使用具有p/n结的硅外延晶圆（epw）校正电阻率。另外，需要表面电极的c-v法测量装置和背面电极的c-v法测量装置双方。
3、本专利技术是针对上述技术问题而完成的，其目的在于提供一种电阻率测量方法，其具有在使用pw晶圆追溯nist等国际标准时进行c-v法的新颖的电阻率换算。
4、（二）技术方案
5、为了解决上述技术问题，在本专利技术中，提供一种电阻率测量方法，其利用c-v法对形成于硅外延晶圆的作为测量对象的硅外延层的电阻率进行测量，其中，所述硅外延晶圆使用具有0.02ω·cm以下的电阻率的低电阻率基板制造，所述电阻率测量方法的特征在于，
6、对于利用c-v法对作为所述测量对象的硅外延层的电阻率进行测量而得到的semi换算电阻率、或对于对该semi换算电阻率实施了规定的换算的电阻率，进行基于第一换算式的换算和基于第二换算式的换算，得到作为所述测量对象的硅外延层的四探针电阻率，其中，
7、所述第一换算式通过对利用c-v法测量已进行四探针标准电阻率赋值的标准抛光晶圆而得到的c-v电阻率和所述四探针标准电阻率进行比较而求出，其中，所述第二换算式通过对高电阻率基板硅外延晶圆的硅外延层和低电阻率基板硅外延晶圆的硅外延层比较c-v电阻率而求出，
8、所述高电阻率基板硅外延晶圆使用具有能够利用c-v法测量的电阻率的高电阻率基板制作，所述低电阻率基板硅外延晶圆使用具有0.02ω·cm以下的电阻率的低电阻率基板制作。
9、在此，具有可利用c-v法测量的电阻率的高电阻率基板的电阻率例如为0.1ω·cm以上1000ω·cm以下。
10、使用本专利技术，除了基于第一换算式的换算，还进行基于第二换算式的换算，由此，能够将形成于低电阻率基板上的硅外延层的c-v电阻率换算为可追溯nist等国际标准的四探针电阻率，其中，第一换算式通过对标准抛光晶圆的c-v电阻率和四探针标准电阻率进行比较而求出，第二换算式通过对形成于高电阻率基板硅外延晶圆的硅外延层的c-v电阻率和形成于低电阻率基板硅外延晶圆的硅外延层的c-v电阻率进行比较而求出。
11、即，根据本专利技术，能够提供一种电阻率测量方法，其具有在使用pw晶圆追溯nist等国际标准时进行c-v法的新颖的电阻率换算。
12、优选地，对所述标准抛光晶圆进行四探针标准电阻率赋值具有：
13、四探针电阻率测量装置校正工序，使用可追溯国际标准的标准晶圆，校正四探针电阻率测量装置；以及
14、抛光晶圆标准电阻率赋值工序，使用在所述四探针电阻率测量装置校正工序中校正后的四探针电阻率测量装置，对抛光晶圆进行所述四探针标准电阻率赋值。
15、使用这样得到的标准抛光晶圆求出第一换算式，通过进行基于该第一换算式的换算，能够以更高的精度将形成于高电阻率基板上的硅外延层的c-v电阻率换算为可追溯nist等国际标准的四探针电阻率。
16、在该情况下，在所述抛光晶圆标准电阻率赋值工序中，也可以利用所述四探针电阻率测量装置测量所述抛光晶圆的主表面。
17、或者，也可以对所述抛光晶圆进行磨削而作为磨削面，利用所述四探针电阻率测量装置测量该磨削面。优选地，作为所述磨削，进行平面磨削。
18、这样，可以对抛光晶圆的主表面（pw面）进行使用四探针电阻率测量装置的测量，或者，也可以对磨削面进行使用四探针电阻率测量装置的测量。在使用四探针电阻率测量装置测量磨削面时，与测量pw面的情况相比，四探针电阻率的测量精度得到改善。
19、优选地，作为所述抛光晶圆，使用实施了消除氧供体的热处理的晶圆。
20、通过这样，能够更高精度地进行四探针标准电阻率的赋值。
21、或者，优选地，作为已进行所述四探针标本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种电阻率测量方法，其利用C-V法对形成于硅外延晶圆的作为测量对象的硅外延层的电阻率进行测量，其中，所述硅外延晶圆使用具有0.02Ω·cm以下的电阻率的低电阻率基板制造，所述电阻率测量方法的特征在于，
2.根据权利要求1所述的电阻率测量方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的电阻率测量方法，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的电阻率测量方法，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的电阻率测量方法，其特征在于，
6.根据权利要求2~4中任一项所述的电阻率测量方法，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的电阻率测量方法，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的电阻率测量方法，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的电阻率测量方法，其特征在于，
10.根据权利要求1所述的电阻率测量方法，其特征在于，
11.根据权利要求1所述的电阻率测量方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种电阻率测量方法，其利用c-v法对形成于硅外延晶圆的作为测量对象的硅外延层的电阻率进行测量，其中，所述硅外延晶圆使用具有0.02ω·cm以下的电阻率的低电阻率基板制造，所述电阻率测量方法的特征在于，
2.根据权利要求1所述的电阻率测量方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的电阻率测量方法，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的电阻率测量方法，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的...
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