【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本披露内容总体上涉及半导体加工技术，并且在具体实施例中涉及一种用于等离子体加工的设备。
技术介绍
1、在半导体行业中，等离子体加工广泛用于高密度微观电路的制造和生产。
2、在等离子体加工系统中，辐射到等离子体室中的电磁波在该室内生成电磁场。所生成的电磁场加热该室中的电子。加热后的电子点燃等离子体，从而在比如用于刻蚀、沉积、氧化、溅射等的工艺中对衬底进行处理。
3、由于用不同密度的等离子体处理衬底的不同部分，因此等离子体加工室内的不均匀电磁场导致衬底的处理不均匀。需要一种能够控制电磁场的空间分布并因此改善等离子体的均匀性的设备和系统。
技术实现思路
1、根据实施例，一种用于等离子体加工的设备包括：第一谐振结构，该第一谐振结构通过第一匹配电路耦合到第一rf发生器；以及第二谐振结构，该第二谐振结构围绕该第一谐振结构，该第二谐振结构通过第二匹配电路耦合到第二rf发生器。
2、根据另一个实施例，一种用于等离子体加工的设备包括：第一谐振结构，该第一谐振结构为受该第一谐振结构影响的第一等离子体创建第一区域；以及第二谐振结构，该第二谐振结构为受该第二谐振结构影响的第二等离子体创建第二区域，其中，该第二区域围绕该第一区域。
3、根据又一个实施例，一种用于等离子体加工的设备包括：第一空腔，该第一空腔具有第一谐振频率，该第一空腔通过第一电容器耦合到导电平面；以及第二空腔，该第二空腔具有第二谐振频率，该第二空腔被该第一空腔围绕，该第二空腔通过第二电容器耦合到
4、应当理解，前面的一般性描述和以下详细描述均仅为示例性和说明性的，并且不限制所要求保护的本披露内容。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种用于等离子体加工的设备，该设备包括：
2.如权利要求1所述的设备，其中，该第一RF发生器和该第二RF发生器是相同的RF发生器。
3.如权利要求1所述的设备，其中，该第一谐振结构具有圆柱形形状。
4.如权利要求1所述的设备，进一步包括第三谐振结构，该第三谐振结构围绕该第二谐振结构。
5.如权利要求1所述的设备，其中，该第一谐振结构通过第一电容器耦合到接地平面，并且该第二谐振结构通过第二电容器耦合到该接地平面。
6.如权利要求5所述的设备，其中，该第一电容器和该第二电容器是相同的。
7.如权利要求1所述的设备，进一步包括该第一谐振结构与该第二谐振结构之间的屏蔽件。
8.如权利要求7所述的设备，其中，该屏蔽件是接地的。
9.如权利要求7所述的设备，其中，该屏蔽件是CLC电路的浮置部分。
10.一种用于等离子体加工的设备，该设备包括：
11.如权利要求10所述的设备，其中，该第二谐振结构通过第一感应线圈以第一频率驱动，该第一感应线圈处于该第二谐振结构中。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于等离子体加工的设备，该设备包括：
2.如权利要求1所述的设备，其中，该第一rf发生器和该第二rf发生器是相同的rf发生器。
3.如权利要求1所述的设备，其中，该第一谐振结构具有圆柱形形状。
4.如权利要求1所述的设备，进一步包括第三谐振结构，该第三谐振结构围绕该第二谐振结构。
5.如权利要求1所述的设备，其中，该第一谐振结构通过第一电容器耦合到接地平面，并且该第二谐振结构通过第二电容器耦合到该接地平面。
6.如权利要求5所述的设备，其中，该第一电容器和该第二电容器是相同的。
7.如权利要求1所述的设备，进一步包括该第一谐振结构与该第二谐振结构之间的屏蔽件。
8.如权利要求7所述的设备，其中，该屏蔽件是接地的。
9.如权利要求7所述的设备，其中，该屏蔽件是clc电路的浮置部分。
10.一种用于等离子体加工的设备，该设备包括：
11.如权利要求10所述的设备，其中，该第二谐振结构通过第一感应线圈以第一频率驱动，该第一感应线圈处于该第二谐振...
【专利技术属性】
技术研发人员：麦里特·法克，巴顿·莱恩，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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