半导体晶圆处理工具制造技术

本公开提供一种半导体晶圆处理工具，包括导电夹持环和多个抓取顶针，其中半导体晶圆处理工具配置成在打开配置和关闭配置之间变化，在打开配置时的抓取顶针的顶表面分隔于导电夹持环的上表面上方以承接半导体晶圆，在关闭配置时的抓取顶针的顶表面没有分隔于导电夹持环的上表面上方以将半导体晶圆放置在导电夹持环上。半导体晶圆处理工具还包括连接至导电夹持环的接地件，以及配置成绕着轴旋转导电夹持环和导电夹持环上承接的半导体晶圆的马达。

【技术实现步骤摘要】

本公开是关于半导体晶圆处理工具。

技术介绍

1、半导体装置用于多种电子应用上，例如个人计算机、手机、数字相机和其他电子设备。半导体产业通过不断缩减最小特征尺寸来持续改善多个电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的整合密度，因此可以让更多组件整合在给定面积内。在一些制品中，这些更小的电子组件也需要使用相比以往的封装更小面积的小封装。

2、在制造半导体装置期间，使用多种处理步骤来制造半导体晶圆上的集成电路。一般而言，处理包括平坦化半导体晶圆的化学机械研磨(chemical mechanical polishing，cmp)工艺。化学机械研磨是一种广泛应用的处理，其中化学机械研磨使用化学力和机械力两者来全面平坦化半导体晶圆。平坦化可使晶圆准备好形成之后的层。经典的化学机械研磨工具包括被研磨衬垫覆盖的旋转平台。浆料分布系统配置成向研磨衬垫提供具有化学成分和磨料(abrasive)成分的研磨混合物。接着，让工件接触旋转中的研磨衬垫以平坦化工件。由于化学机械研磨可以横跨整体晶圆表面做全面平坦化，使化学机械研磨是一种受到青睐的处理。化学机械研磨工艺从晶圆研磨和移除材料，并且可作用于多材料表面。此外，化学机械研磨工艺避免使用危险气体，及/或通常是低成本工艺。

3、很多处理的难处在于如何在化学机械研磨工艺之后产生干净的基板表面。在研磨之后，希望高效且完全移除研磨浆料以及其他研磨残留物和微粒，以避免在被研磨产物中造成缺陷。理想上，化学机械研磨后的清洗应以快速且可重复方式移除所有研磨浆料、研磨残留物和微粒，免于对基板表面造成额外的缺陷或损坏。

技术实现思路

1、根据本公开的一实施例，一种半导体晶圆处理工具包括导电夹持环、多个抓取顶针，其中半导体晶圆处理工具配置成在打开配置和关闭配置之间变化。在打开配置时，抓取顶针的多个顶表面分隔于导电夹持环的上表面上方以承接半导体晶圆。在关闭配置时，抓取顶针的顶表面没有分隔于上表面上方以将半导体晶圆放置在导电夹持环上。半导体晶圆处理工具还包括连接至导电夹持环的接地件，以及配置成绕着轴旋转导电夹持环和导电夹持环上承接的半导体晶圆的马达。

2、根据本公开的一实施例，一种半导体晶圆处理工具包括接地导电件、多个抓取顶针以及马达。接地导电件包括导电夹持环以及连接至导电夹持环的接地件。半导体晶圆处理工具配置成在打开配置和关闭配置之间变化，其中在打开配置时，抓取顶针的多个顶表面分隔于导电夹持环的上表面上方以承接半导体晶圆。在关闭配置时，抓取顶针的顶表面没有分隔于导电夹持环的上表面上方以使导电夹持环接触半导体晶圆。马达配置成绕着轴旋转接地导电件和接地导电件所接触的半导体晶圆，以使电子从半导体晶圆的周边移动至接地导电件而消散在旋转期间感应产生的表面电荷。

3、根据本公开的一实施例，一种半导体晶圆处理工具包括导电夹持环、多个抓取顶针、连接至导电夹持环的接地件以及马达，其中抓取顶针配置成在打开配置和关闭配置之间变化。在打开配置时，抓取顶针分隔于导电夹持环上方以放置半导体晶圆。在关闭配置时，半导体晶圆接触导电夹持环且导电夹持环从半导体晶圆径向朝外延伸。马达配置成绕着轴旋转导电夹持环和导电夹持环所接触的半导体晶圆。

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【技术保护点】

1.一种半导体晶圆处理工具，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体晶圆处理工具，其特征在于，其中所述多个抓取顶针是导电的，以及其中所述多个抓取顶针和该导电夹持环包括相同的材料。

3.如权利要求1所述的半导体晶圆处理工具，其特征在于，其中该导电夹持环包括导电金属膜、石墨烯、铟锡氧化物及/或本征导电聚合物。

4.如权利要求1所述的半导体晶圆处理工具，其特征在于，其中该导电夹持环具有从一顶表面至相对的一底表面的一厚度，以及其中该厚度介于0.5厘米至20厘米。

5.如权利要求1所述的半导体晶圆处理工具，其特征在于，其中该导电夹持环具有一顶表面，该顶表面具有从一内边缘径向延伸至一外边缘的一径向宽度，以及其中该径向宽度介于1毫米至200毫米。

6.如权利要求1所述的半导体晶圆处理工具，其特征在于，其中该导电夹持环具有一内直径和一外直径，其中该内直径介于300毫米至500毫米，以及其中该外直径介于301毫米至501毫米。

7.一种半导体晶圆处理工具，其特征在于，包括：

8.如权利要求7所述的半导体晶圆处理工具，其特征在于，其中所述多个抓取顶针穿过该接地导电件。

9.如权利要求8所述的半导体晶圆处理工具，其特征在于，其中在该关闭配置时，该导电夹持环和所述多个抓取顶针连续沿着该半导体晶圆的该周边支撑该半导体晶圆。

10.一种半导体晶圆处理工具，其特征在于，包括：

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【技术特征摘要】

1.一种半导体晶圆处理工具，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体晶圆处理工具，其特征在于，其中所述多个抓取顶针是导电的，以及其中所述多个抓取顶针和该导电夹持环包括相同的材料。

3.如权利要求1所述的半导体晶圆处理工具，其特征在于，其中该导电夹持环包括导电金属膜、石墨烯、铟锡氧化物及/或本征导电聚合物。

4.如权利要求1所述的半导体晶圆处理工具，其特征在于，其中该导电夹持环具有从一顶表面至相对的一底表面的一厚度，以及其中该厚度介于0.5厘米至20厘米。

5.如权利要求1所述的半导体晶圆处理工具，其特征在于，其中该导电夹持环具有一顶表面，该顶表面具有从一内边缘径向延伸至一外边缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈稘翔，林政锜，侯德谦，涂哲豪，张棠贵，陈科维，黄惠琪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：