【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种real rgb oledos的制备方法。
技术介绍
1、硅基oled(oledos)微显示器目前的主流技术方案为白光oled(woled)发光，通过滤光片(cf)产生rgb三色实现全彩显示，该技术的主要问题是效率低及子像素间串扰问题严重。real rgb结构为r/g/b三色oled分别在对应的子像素上，具体结构示意图如图1所示，该结构由于不使用cf，故效率远高于传统的woled+cf方案。另外合理的real rgb结构还能有效地减少子像素间地串扰问题。
2、现有real rgb技术的主流工艺之一为光刻图形化技术，其通过在带有阳极结构的cmos背板上通过在所有子像素区域沉积某一特定颜色的oled膜层，再通过光刻刻蚀工艺去除非该颜色的子像素区域的oled膜层，重复三次从而实现r、g、b oled在对应颜色的子像素区域，实现全彩显示。该工艺会导致部分子像素阳极经受多次刻蚀工艺造成表面损伤。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种real rgb oledos的制备方法，能够实现在real rgb光刻图形化工艺中的阳极表面的保护。
2、为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供以下技术方案：
3、本专利技术提供了一种real rgb oledos的制备方法，包括以下步骤：
4、提供半成品，所述半成品包括硅基背板100和阳极结构110，依次覆盖在硅基背板100和阳极结构110上表面的第一介电材
5、对所述第一介电材料层材料、导体材料层材料和第二介电材料层材料进行第一底部内切，裸露出第一子像素区的阳极结构110，然后依次进行第一沉积第一子像素区oled功能材料层500、阴极层600和薄膜封装层700，形成第一子像素区，对非第一子像素区的第一子像素区oled功能材料层500、阴极层600和薄膜封装层700进行第一刻蚀；
6、对所述第一介电材料层材料、导体材料层材料和第二介电材料层材料进行第二底部内切，裸露出第二子像素区的阳极结构110，然后依次进行第二沉积第二子像素区oled功能材料层800、阴极层600和薄膜封装层700，形成第二子像素区，对非第二子像素区的第二子像素区oled功能材料层800、阴极层600和薄膜封装层700进行第二刻蚀；
7、对所述第一介电材料层材料、导体材料层材料和第二介电材料层材料进行第三底部内切，裸露出第三子像素区的阳极结构110，然后依次进行第三沉积第一子像素区oled功能材料层900、阴极层600和薄膜封装层700，形成第三子像素区，对非第三子像素区的第三子像素区oled功能材料层900、阴极层600和薄膜封装层700进行第三刻蚀，得到第一介电材料层200、导体材料层300和第二介电材料层400，得到所述real rgb oledos。
8、优选地，所述第一介电材料层材料和第二介电材料材料独立地包括氧化硅材料、氮化硅材料、氮氧化硅材料和al2o3中的一种或多种。
9、优选地，所述导体材料层材料包括导电金属氧化物和/或导电金属；所述导电金属氧化物包括氧化铟锡和/或铟锌氧化物；所述导电金属包括ag、al、mo、w、cu和au中的一种或多种。
10、优选地，所述第一子像素区oled功能材料层500、第二子像素区oled功能材料层800和第三子像素区oled功能材料层900均包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。
11、优选地，所述第一子像素区oled功能材料层500、第二子像素区oled功能材料层800和第三子像素区oled功能材料层900的材质独立地包括磷光材料、荧光材料和高荧光oled材料中的一种或多种。
12、优选地，所述第一子像素区oled功能材料层500、第二子像素区oled功能材料层800和第三子像素区oled功能材料层900的颜色为rgb任一颜色发光且均不相同。
13、优选地，所述阴极层600为单层薄膜或多层复合薄膜，所述阴极层600的材质包括mg、ag、al、铟锌氧化物和氧化锌铝中的一种或多种。
14、优选地，所述薄膜封装层700为单层薄膜或多层复合薄膜，所述薄膜封装层700的材质包括al2o3、tio2、氧化硅材料、氮化硅材料和氮氧化硅材料中的一种或多种。
15、优选地，所述阳极结构110为单层薄膜或多层复合薄膜，所述阳极结构110的材质包括al、ag、tin和氧化铟锡中的一种或多种。
16、优选地，所述硅基背板100为裸硅衬底、含电路硅衬底或含cmos电路硅衬底。
17、本专利技术提供了一种real rgb oledos的制备方法，包括以下步骤：提供半成品，所述半成品包括硅基背板100和阳极结构110，依次覆盖在硅基背板100和阳极结构110上表面的第一介电材料层材料、导体材料层材料和第二介电材料层材料，所述阳极结构110间隔内嵌在所述硅基背板100的上表面；对所述第一介电材料层材料、导体材料层材料和第二介电材料层材料进行第一底部内切，裸露出第一子像素区的阳极结构110，然后依次进行第一沉积第一子像素区oled功能材料层500、阴极层600和薄膜封装层700，形成第一子像素区，对非第一子像素区的第一子像素区oled功能材料层500、阴极层600和薄膜封装层700进行第一刻蚀；对所述第一介电材料层材料、导体材料层材料和第二介电材料层材料进行第二底部内切，裸露出第二子像素区的阳极结构110，然后依次进行第二沉积第二子像素区oled功能材料层800、阴极层600和薄膜封装层700，形成第二子像素区，对非第二子像素区的第二子像素区oled功能材料层800、阴极层600和薄膜封装层700进行第二刻蚀；对所述第一介电材料层材料、导体材料层材料和第二介电材料层材料进行第三底部内切，裸露出第三子像素区的阳极结构110，然后依次进行第三沉积第一子像素区oled功能材料层900、阴极层600和薄膜封装层700，形成第三子像素区，对非第三子像素区的第三子像素区oled功能材料层900、阴极层600和薄膜封装层700进行第三刻蚀，得到第一介电材料层200、导体材料层300和第二介电材料层400，得到所述real rgb oledos。
18、与现有技术相比，本专利技术的有益效果如下：
19、本专利技术对所述第一介电材料层材料、导体材料层材料和第二介电材料层材料分别进行第一底部内切、第二底部内切和第三底部内切以及对非第一子像素区的第一子像素区oled功能材料层500、阴极层600和薄膜封装层700进行第一刻蚀、对非第二子像素区的第一子像素区oled功能材料层800、阴极层600和薄膜封装层700进行第二刻蚀、对非第三子像素区的第一子像素区oled功能材料层900、阴极层600和薄膜封装层700进行第三刻蚀，露出不同子本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种RealRGB OLEDoS的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一介电材料层材料和第二介电材料材料独立地包括氧化硅材料、氮化硅材料、氮氧化硅材料和Al2O3中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述导体材料层材料包括导电金属氧化物和/或导电金属；所述导电金属氧化物包括氧化铟锡和/或铟锌氧化物；所述导电金属包括Ag、Al、Mo、W、Cu和Au中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一子像素区OLED功能材料层(500)、第二子像素区OLED功能材料层(800)和第三子像素区OLED功能材料层(900)均包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一子像素区OLED功能材料层(500)、第二子像素区OLED功能材料层(800)和第三子像素区OLED功能材料层(900)的材质独立地包括磷光材料、荧光材料和高荧光OLED材料中的一
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一子像素区OLED功能材料层(500)、第二子像素区OLED功能材料层(800)和第三子像素区OLED功能材料层(900)的颜色为RGB任一颜色发光且均不相同。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述阴极层(600)为单层薄膜或多层复合薄膜，所述阴极层(600)的材质包括Mg、Ag、Al、铟锌氧化物和氧化锌铝中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述薄膜封装层(700)为单层薄膜或多层复合薄膜，所述薄膜封装层(700)的材质包括Al2O3、TiO2、氧化硅材料、氮化硅材料和氮氧化硅材料中的一种或多种。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述阳极结构(110)为单层薄膜或多层复合薄膜，所述阳极结构(110)的材质包括Al、Ag、TiN和氧化铟锡中的一种或多种。
10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅基背板(100)为裸硅衬底或含电路硅衬底。
...【技术特征摘要】
1.一种realrgb oledos的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一介电材料层材料和第二介电材料材料独立地包括氧化硅材料、氮化硅材料、氮氧化硅材料和al2o3中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述导体材料层材料包括导电金属氧化物和/或导电金属；所述导电金属氧化物包括氧化铟锡和/或铟锌氧化物；所述导电金属包括ag、al、mo、w、cu和au中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一子像素区oled功能材料层(500)、第二子像素区oled功能材料层(800)和第三子像素区oled功能材料层(900)均包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一子像素区oled功能材料层(500)、第二子像素区oled功能材料层(800)和第三子像素区oled功能材料层(900)的材质独立地包括磷光材料、荧光材...
【专利技术属性】
技术研发人员：李培丞，吴远武，吴迪，李阳，
申请(专利权)人：湖畔光芯半导体江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：
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