【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池，特别是涉及太阳能半片电池及其制备方法和应用。
技术介绍
1、太阳能半片电池由于能够减小电流、降低阻耗、提高组件电压等，采用太阳能半片电池进行组件封装已成为行业主流，然而，太阳能电池切片也引发了一些新的问题：(1)半片或多片太阳能电池切割后会产生新的边缘，切割会破坏太阳能半片电池边缘表面的界面特性；(2)切割面附近可能产生缺陷并引入杂质，缺陷和杂质形成载流子复合中心使得少子寿命降低；(3)若裸露的新边缘没有被钝化，会造成效率损失和可靠性下降，从而导致电池电性能降低。因此，亟需一种能够修复太阳能半片电池边缘的界面缺陷，并能提升电池效率和组件功率的方法。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述问题，提供一种太阳能半片电池及其制备方法和应用。本专利技术提供的制备方法有效修复了切片后电池边缘表面的界面缺陷，同时增强了太阳能半片电池边缘的化学钝化效应和场钝化效应，大幅提升了太阳能半片电池及其组件的功率，并提高了太阳能半片电池及其组件的稳定性和可靠性，具有广泛的应用前景。
2、一种太阳能半片电池的制备方法，包括如下步骤：
3、将太阳能电池切片的切割面进行紫外激光氧化处理，所述紫外激光氧化处理的功率为40w～80w，激光加工速度为40m/s～60m/s；
4、将紫外激光氧化处理后的太阳能电池切片进行表面预处理，并在所述切割面上沉积氧化铝薄膜，随后进行退火处理，得到太阳能半片电池。
5、在其中一个实施例中，在所述紫外激光氧化
6、在其中一个实施例中，在所述预处理的步骤中，依次通入水蒸气和保护气体进行吹扫。
7、在其中一个实施例中，通入水蒸气进行吹扫的时间和通入保护气体进行吹扫的时间各自独立地选自10s～30s；
8、及/或，以依次通入水蒸气及保护气体为一次循环，循环的次数为5次～30次。
9、在其中一个实施例中，在所述沉积氧化铝薄膜的步骤中，采用原子层沉积方法，依次通入三甲基铝和水蒸气进行沉积，且在通入三甲基铝的步骤和通入水蒸气的步骤后，均通入保护气体进行吹扫。
10、在其中一个实施例中，通入三甲基铝进行沉积的时间和通入水蒸气进行沉积的时间各自独立地选自2s～15s，所述通入保护气体进行吹扫的时间为10s～30s；
11、及/或，以依次通入三甲基铝、保护气体、水蒸气及保护气体为一次循环，循环的次数为20次～50次。
12、在其中一个实施例中，在所述沉积氧化铝薄膜的步骤中，沉积温度为200℃～350℃。
13、在其中一个实施例中，所述退火处理采用光注入退火工艺，所述光注入退火工艺的温度为600℃～700℃，网带速度10000mm/min～16000mm/min。
14、一种由如上所述的太阳能半片电池的制备方法制得的太阳能半片电池。
15、一种光伏组件，包括如上所述的太阳能半片电池。
16、上述制备方法，首先通过特定功率和加工速度的紫外激光对太阳能电池切片的切割面进行激光氧化修复，修补了切片后电池边缘表面的界面缺陷；随后通过预处理工艺和氧化铝薄膜沉积工艺对切割面进行钝化处理，提高钝化膜的平整度和连续性，增强了电池边缘的化学钝化和场钝化效应，减少电池边缘的电学复合和漏电现象，显著提升了太阳能半片电池及其组件的功率，并提高了太阳能半片电池及其组件的稳定性和可靠性，具有广泛的应用前景。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种太阳能半片电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的太阳能半片电池的制备方法，其特征在于，在所述紫外激光氧化处理的步骤中，激光选自紫外纳秒激光或者紫外皮秒激光。
3.根据权利要求1所述的太阳能半片电池的制备方法，其特征在于，在所述预处理的步骤中，依次通入水蒸气和保护气体进行吹扫。
4.根据权利要求3所述的太阳能半片电池的制备方法，其特征在于，通入水蒸气进行吹扫的时间和通入保护气体进行吹扫的时间各自独立地选自10s～30s；
5.根据权利要求1所述的太阳能半片电池的制备方法，其特征在于，在所述沉积氧化铝薄膜的步骤中，采用原子层沉积方法，依次通入三甲基铝和水蒸气进行沉积，且在通入三甲基铝的步骤和通入水蒸气的步骤后，均通入保护气体进行吹扫。
6.根据权利要求5所述的太阳能半片电池的制备方法，其特征在于，通入三甲基铝进行沉积的时间和通入水蒸气进行沉积的时间各自独立地选自2s～15s，所述通入保护气体进行吹扫的时间为10s～30s；
7.根据权利要求5所述的太阳能半片电池的
8.根据权利要求1所述的太阳能半片电池的制备方法，其特征在于，所述退火处理采用光注入退火工艺，所述光注入退火工艺的温度为600℃～700℃，网带速度10000mm/min～16000mm/min。
9.一种由如权利要求1～8任一项所述的太阳能半片电池的制备方法制得的太阳能半片电池。
10.一种光伏组件，其特征在于，包括如权利要求9所述的太阳能半片电池。
...【技术特征摘要】
1.一种太阳能半片电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的太阳能半片电池的制备方法，其特征在于，在所述紫外激光氧化处理的步骤中，激光选自紫外纳秒激光或者紫外皮秒激光。
3.根据权利要求1所述的太阳能半片电池的制备方法，其特征在于，在所述预处理的步骤中，依次通入水蒸气和保护气体进行吹扫。
4.根据权利要求3所述的太阳能半片电池的制备方法，其特征在于，通入水蒸气进行吹扫的时间和通入保护气体进行吹扫的时间各自独立地选自10s～30s；
5.根据权利要求1所述的太阳能半片电池的制备方法，其特征在于，在所述沉积氧化铝薄膜的步骤中，采用原子层沉积方法，依次通入三甲基铝和水蒸气进行沉积，且在通入三甲基铝的步骤和通入水蒸气的步骤后，均通入保护气体进行吹扫...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱响彬，陈德爽，任勇，
申请(专利权)人：横店集团东磁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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