【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及高性能驱动电路，具体是一种大功率满占空比的高速驱动电路。
技术介绍
1、在现代电子设备中，高速驱动电路的需求日益增长，特别是在数字信号处理、通信系统、功率电子等领域。然而，传统的驱动电路在实现高频率、高性能时常常面临着占空比限制的问题，这限制了其在某些应用中的使用效果。
2、传统的驱动电路设计常常受限于占空比的范围，即在一定的频率下，难以实现满占空比输出。占空比是指一个周期内信号高电平的占据时间与周期总时间的比例，通常以百分比表示。而满占空比则表示信号高电平占据了整个周期时间，这在某些高性能应用中尤为重要。
3、在这种背景下，本专利提出了一种创新的满占空比高速驱动电路设计。该设计采用了先进的电路拓扑结构和器件配置，通过精心的电路设计和信号处理技术，实现了在高频率下输出满占空比的驱动信号。具体而言，该设计利用了高性能功率开关器件和精密控制电路相结合的方式，以确保驱动信号的高速、稳定和满占空比输出。
技术实现思路
1、本专利技术提出的一种满占空比的高速驱动电路可至少解决
技术介绍
中的技术问题之一。
2、为实现上述目的，本专利技术采用了以下技术方案：
3、一种满占空比的高速驱动电路，包括驱动电路模块，所述驱动电路模块包括第一驱动电路、第二驱动电路、输入信号in1和输入信号in2，所述第一驱动电路和第二驱动电路均通过输入信号in1和输入信号in2驱动，且输入信号in1、输入信号in2同时与第一驱动电路和第二驱动电路控制连接；>
4、所述输入信号in1、输入信号in2的高低电平变化状态下，用于控制第一驱动电路、第二驱动电路实现满占空比输出的驱动电路。
5、进一步地，本专利技术所述第一驱动电路包括驱动芯片g1、驱动芯片g2，高端mos管q1，低端mos管q2，滤波电容c1、滤波电容c2、滤波电容c4、滤波电容c5，自举电容c3，稳压二极管d4，二极管d1、二极管d2、二极管d3、二极管d5，电阻r1、电阻r2、电阻r3、电阻r4、电阻r5、电阻r19；其中，驱动芯片六个端口具体为两个输入端分别为anode端、cathode端；两个输出端分别为outh端、outl端；电源端vcc、负电压供电端vee；
6、所述驱动芯片g1电源端vcc连接二极管d1和二极管d2的负极，其中二极管d1的正极接电阻r19，电阻r19另一端接+15v电压源；所述滤波电容c1、滤波电容c2并联在+15v电压源和gnd之间，滤波电容c1、滤波电容c2与+15v电压源相连接端同时连接电阻r19；其中二极管d2的正极接电阻r1，电阻r1另一端接电压源vb；所述稳压二极管d4负极接二极管d2正极，稳压二极管d4正极接负电压供电端vee；
7、所述自举电容并联在电源端vcc、负电压供电端vee之间，一端连接稳压二极管d4正极，另一端连接二极管d2负极；
8、所述驱动芯片g1输出端outh接电阻r2，输出端outl接电阻r3，电阻r2、r3均连接高端mos管q1的栅极；
9、所述高端mos管的源极接负电压供电端vee，漏极接电压源vs，所述二极管d3负极接高端mos管漏极，二极管d3正极接高端mos管源极；
10、所述驱动芯片g2电源端vcc接+15v电压源，同时连接滤波电容c5，滤波电容c5另一端和gnd相连接；输出端outh接电阻r4，输出端outl接电阻r5，电阻r4、r5均连接低端mos管q2的栅极；负电压供电端vee接gnd；
11、所述低端mos管的源极接gnd，漏极接驱动芯片g1的负电压供电端vee作为第一驱动电路的输出；二极管d5负极接低端mos管的源极，二极管d5正极与低端mos管的源极共地；所述滤波电容c4一端接vs，另一端接gnd。
12、进一步地，本专利技术所述的第一驱动电路、第二驱动电路的控制方法具体如下：
13、当输入信号in1为高电平，输入信号in2为低电平时，mos管q1和q4导通，使驱动芯片g1、驱动芯片g4处于活跃状态，控制第一驱动电路、第二驱动电路同时工作，当输入信号in1为低电平，输入信号in2为高电平时，mos管q2和q3导通，使驱动芯片g2、驱动芯片g3处于活跃状态，控制第一驱动电路、第二驱动电路同时工作。
14、进一步地，本专利技术所述一种满占空比的高速驱动电路还包括自举升压电路模块、稳压电路模块，所述自举升压电路模块连接稳压电路模块，稳压电路模块与驱动电路相连接；自举升压电路将+8v电压升压到+15v电压,并将+15v电压输入到稳压电路模块，由稳压电路模块对不稳定的+15v电压进行处理，并将处理后的+15v电压传输至驱动电路模块。
15、进一步地，本专利技术所述自举升压电路模块包括555定时器芯片u2、钳位二极管d15、滤波电容c16、滤波电容c21、耦合电容c22、电阻r16、电阻r17、电阻r18和升压单元；
16、所述555定时器芯片u2包括8个端口具体为gnd端、触发器输入端trig、输出端out、复位端reset、电源端vcc、控制端dis、阀值输入端thr、控制电压端con；
17、所述复位端reset与电源端vcc连接，电源端vcc接电阻r16，电阻r16另一端稳压电路提供的8v电压源起限流保护作用；
18、所述触发器输入端trig与阀值输入端thr相连接，连接后接入电阻r18与耦合电容c22连接处；耦合电容c22接电阻r18，电阻r18另一端接电阻r17，电阻r17与于电阻r16相连接，滤波电容c16并联在耦合电容c22和电阻r17两端；
19、所述控制端dis与电阻r17、电阻r18连接处相连接；
20、所述控制电压端con接滤波电容c21，滤波电容c21另一端接钳位二极管d15正极，同时接地；
21、所述输出端out接钳位二极管d15正极和升压单元。
22、进一步地，本专利技术所述升压单元包括自举升压电容c17、自举升压电容c18、自举升压电容c19、自举升压电容c20、自举升压二极管d11、自举升压二极管d12、自举升压二极管d13、自举升压二极管d14；
23、所述升压单元中自举升压二极管d11、自举升压二极管d12、自举升压二极管d13、自举升压二极管d14顺序连接，自举升压二极管d14正极接电源vs端；自举升压电容c17与电容c19连接后，并联到自举升压二极管d11、自举升压二极管d12两端；自举升压电容c18与电容c20连接后，并联到自举升压二极管d12、自举升压二极管d13两端，其中自举升压电容的一端连接钳位二极管d15负极。
24、由上述技术方案可知，本专利技术的一种满占空比的高速驱动电路与传统的驱动电路相比，该专利设计具有以下优点：
25、1)高性能：采用先进的器件和电路拓扑结构，实现了高速、高性能的驱动信号输出。
26、2)满占空比输出：通过精密的电路设计和控制技术，实现了在高频率下本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种满占空比的高速驱动电路，包括驱动电路模块，其特征在于，所述驱动电路模块包括第一驱动电路、第二驱动电路、输入信号IN1和输入信号IN2，所述第一驱动电路和第二驱动电路均通过输入信号IN1和输入信号IN2驱动，且输入信号IN1、输入信号IN2同时与第一驱动电路和第二驱动电路控制连接；
2.根据权利要求1所述的一种满占空比的高速驱动电路，其特征在于，所述第一驱动电路包括驱动芯片G1、驱动芯片G2，高端MOS管Q1，低端MOS管Q2，滤波电容C1、滤波电容C2、滤波电容C4、滤波电容C5，自举电容C3，稳压二极管D4，二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D5，电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R19；其中，驱动芯片六个端口具体为两个输入端分别为ANODE端、CATHODE端；两个输出端分别为OUTH端、OUTL端；电源端VCC、负电压供电端VEE；
3.根据权利要求1所述的一种满占空比的高速驱动电路，其特征在于，第一驱动电路、第二驱动电路的控制方法具体如下：
4.根据权利要求1所述的一种满占空比的高速驱动电路，其特征在
5.根据权利要求4所述的一种满占空比的高速驱动电路，其特征在于：
6.根据权利要求5所述的一种满占空比的高速驱动电路，其特征在于：所述升压单元包括自举升压电容C17、自举升压电容C18、自举升压电容C19、自举升压电容C20、自举升压二极管D11、自举升压二极管D12、自举升压二极管D13、自举升压二极管D14；
...【技术特征摘要】
1.一种满占空比的高速驱动电路，包括驱动电路模块，其特征在于，所述驱动电路模块包括第一驱动电路、第二驱动电路、输入信号in1和输入信号in2，所述第一驱动电路和第二驱动电路均通过输入信号in1和输入信号in2驱动，且输入信号in1、输入信号in2同时与第一驱动电路和第二驱动电路控制连接；
2.根据权利要求1所述的一种满占空比的高速驱动电路，其特征在于，所述第一驱动电路包括驱动芯片g1、驱动芯片g2，高端mos管q1，低端mos管q2，滤波电容c1、滤波电容c2、滤波电容c4、滤波电容c5，自举电容c3，稳压二极管d4，二极管d1、二极管d2、二极管d3、二极管d5，电阻r1、电阻r2、电阻r3、电阻r4、电阻r5、电阻r19；其中，驱动芯片六个端口具体为两个输入端分别为anode端、cathode端；两个输出端分别为outh端、outl端；电源端vcc、负电压供电端vee；
【专利技术属性】
技术研发人员：刘青源，陈徐州，闵小辉，
申请(专利权)人：华东光电集成器件研究所，
类型：发明
国别省市：
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