【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电子，尤其涉及一种mems继电器、控制电路及功率设备。
技术介绍
1、继电器是一种能够控制被控电路导通或断开的可控开关，继电器的开关一般是机械触点开关，随着技术的进步，继电器的体积越来越小，比如，目前常见的mems(microelectrical mechanical system)继电器则是利用mems工艺在晶圆上集成形成继电器。然而，目前的mems继电器中，用于导通和断开的悬梁臂的一端大多通过锚固定在晶圆上，另一端则可以以锚为支点进行旋转，从而完成导通和断开的动作。此种方式中，以锚为悬梁臂的旋转支点，在长时间使用后，锚固定的一端容易松动。
技术实现思路
1、本申请提出一种mems继电器、控制电路及功率设备，旨在解决
技术介绍
中提到的以锚为悬梁臂支点的旋转方式中，在长时间使用后锚容易松动的问题。
2、在本申请实施例中，提出一种mems继电器，包括：
3、基片；
4、螺旋线圈和磁条，所述螺旋线圈的两端用于连接控制电源，所述控制电源用于控制所述螺旋线圈中电流的方向，所述螺旋线圈设于所述基片上，所述螺旋线圈的轴向与所述基片承载所述螺旋线圈的表面平行，所述螺旋线圈在所述磁条的长度方向绕所述磁条的外侧螺旋缠绕；
5、第一磁性结构，所述第一磁性结构设于所述基片上，且与所述磁条的其中一端对应设置，所述第一磁性结构和所述磁条的端部具有间隙，所述第一磁性结构和所述磁条用于控制受控电路。
6、在本申请实施例中，所述mems继电器还包
7、在本申请实施例中，所述螺旋线圈的螺旋路径通过硅通孔技术制得。
8、在本申请实施例中，所述螺旋线圈为三维立体状的螺旋结构；
9、所述螺旋线圈为多层结构，在每一层均形成多个方孔和条形孔；
10、每一层中的方孔堆叠后形成所述螺旋线圈的螺旋路径，每一层的条形孔堆叠后形成供所述磁条穿过的空间。
11、在本申请实施例中，所述多层结构包括第一层、第二层、第三层、第四层、第五层、第六层、第七层、第八层和第九层，其中，所述第一层和所述第九层、所述第二层和所述第八层、所述第三层和所述第七层、所述第四层和所述第六层分别关于所述第五层互为对称结构，且每一层均与所述螺旋线圈的轴向平行；
12、所述第一层包括第一条形孔以及设置于所述第一条形孔两侧的多个第一方孔；
13、所述第二层包括第二条形孔以及设置于所述第二条形孔两侧的多个第二方孔；
14、所述第三层包括第三条形孔以及设置于所述第三条形孔两侧的多个交错排布的第三方孔；
15、所述第四层包括多个第四方孔和第五方孔，第四方孔和第五方孔一一对应，且第四方孔和第五方孔在所述第四层的中轴线两侧交错排布，临近的第四方孔和第五方孔通过第四条形孔连通；所述第四层的第四方孔、第五方孔和第四条形孔的截面形成折线形，各个转折点为第四方孔或第五方孔；
16、所述第五层包括多个第六方孔，临近的第六方孔通过第五条形孔连通；所述第五层的第六方孔和第五条形孔的截面形成波浪形，波浪的波峰或波谷为第六方孔；
17、第一层、第二层和第三层的条形孔的长度方向均与所述螺旋线圈的轴向平行；第一层、第二层、第四层、第三层和第五层的方孔的开口大小依次增大；第一层、第二层、第三层、第四层和第五层的方孔与所在层的中心轴线的距离依次减小。
18、在本申请实施例中，所述磁条的四周与所述螺旋线圈之间填充有软胶。
19、在本申请实施例中，所述第一磁性结构和所述第二磁性结构均包括：
20、第一矩形环状支撑结构，所述第一矩形环状支撑结构远离所述磁条的一侧设有至少一个静触点，靠近所述磁条的一侧设有一个动触点，所述动触点与所述磁条的端部相对。
21、在本申请实施例中，所述第一磁性结构和所述第二磁性结构均还包括：
22、第二矩形环状支撑结构，所述第二矩形环状支撑结构通过至少一个中间触点与所述第一矩形环状支撑结构靠近所述磁条的一侧连接，所述动触点设于所述第二矩形环状支撑结构靠近所述磁条的一侧。
23、在本申请实施例中，所述静触点和所述中间触点均包括三个，三个静触点和三个中间触点一一对应设置。
24、在本申请实施例中，所述静触点和所述中间触点均包括三个，位于中间的中间触点和位于中间的静触点对应设置，位于两侧的中间触点分别在位于两侧的两个静触点的外侧。
25、在本申请实施例中，所述第一磁性结构和所述第二磁性结构互为对称结构，所述第一磁性结构和所述第二磁性结构的磁性大小相同，靠近所述磁条的一端的磁极性相同，距离磁条的距离相同。
26、本申请还提出一种控制电路，运用于上述任一项所述的mems继电器，该控制电路包括：降压模块、磁感应模块、放大模块、运算放大模块、寄存模块、拉升模块、滤波模块和控制信号输出模块；
27、所述降压模块的输入端用于连接工作电源，所述降压模块的电压输出端用于连接所述磁感应模块的电源输入端；
28、所述磁感应模块用于感应所述第一磁性结构和/或所述第二磁性结构的磁性改变，以产生第一差分信号和/或第二差分信号；所述磁感应模块的差分信号输出端与所述放大模块的信号输入端连接；
29、所述放大模块用于对接收到的差分信号进行放大；
30、所述放大模块的信号输出端与所述运算放大模块的信号输入端连接，所述运算放大模块用于对接收到的信号进行运算对比，选取符合第一预设条件的信号输出；
31、所述运算放大模块的信号输出端与所述寄存模块的信号输入端连接，所述寄存模块用于对所接收到的信号进行识，并输出满足第二预设条件的信号；
32、所述寄存模块的信号输出端与所述拉升模块的输入端连接，所述拉升模块用于将接收到的信号进行电压拉升；
33、所述拉升模块的输出端与所述滤波模块的输入端连接，所述滤波模块用于将所接收到的信号进行相位变换及滤波；
34、所述滤波模块的输出端与所述控制信号输出模块的输入端连接，所述控制信号输出模块的输出端用于输出控制信号。
35、在本申请实施例中，所述降压模块包括降压器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容和第二电容；
36、所述第一电阻的一端连接所述降压器的电压输入引脚，所述第一电阻的另一端用于连接高压工作电源；
37、所述降压器的接地引脚与所述第一电容、所述第二电阻串联后接地，所述第一电容远离所述降压器的一端还用于连接低压工作电源；
38、所述第三电阻串联于所述第一电阻和所述降压器的使能控制引脚之间；
【技术保护点】
1.一种MEMS继电器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的MEMS继电器，其特征在于，所述MEMS继电器还包括第二磁性结构，所述第二磁性结构设于所述基片上，且与所述磁条的另一端对应设置，所述第二磁性结构和所述磁条的端部具有间隙，所述第二磁性结构和所述磁条用于控制所述受控电路，且所述第二磁性结构和所述磁条对所述受控电路的控制信号与所述第一磁性结构和所述磁条对所述受控电路的控制信号不同。
3.如权利要求1或2所述的MEMS继电器，其特征在于，所述螺旋线圈的螺旋路径通过硅通孔技术制得。
4.如权利要求3所述的MEMS继电器，其特征在于，所述螺旋线圈为三维立体状的螺旋结构；
5.如权利要求4所述的MEMS继电器，其特征在于，所述多层结构包括第一层、第二层、第三层、第四层、第五层、第六层、第七层、第八层和第九层，其中，所述第一层和所述第九层、所述第二层和所述第八层、所述第三层和所述第七层、所述第四层和所述第六层分别关于所述第五层互为对称结构，且每一层均与所述螺旋线圈的轴向平行；
6.如权利要求1或2所述的MEMS继电器，其
7.如权利要求2所述的MEMS继电器，其特征在于，所述第一磁性结构和所述第二磁性结构均包括：
8.如权利要求7所述的MEMS继电器，其特征在于，所述第一磁性结构和所述第二磁性结构均还包括：
9.一种控制电路，运用于如权利要求1-8任一项所述的MEMS继电器，其特征在于，包括：降压模块、磁感应模块、放大模块、运算放大模块、寄存模块、拉升模块、滤波模块和控制信号输出模块；
10.一种功率设备，其特征在于，所述功率设备包括电路板和至少一个如权利要求1-8所述的MEMS继电器，所述至少一个MEMS继电器设置于所述电路板上，所述至少一个MEMS继电器通过如权利要求9所述的控制电路连接，所述至少一个MEMS继电器用于控制受控电路。
...【技术特征摘要】
1.一种mems继电器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的mems继电器，其特征在于，所述mems继电器还包括第二磁性结构，所述第二磁性结构设于所述基片上，且与所述磁条的另一端对应设置，所述第二磁性结构和所述磁条的端部具有间隙，所述第二磁性结构和所述磁条用于控制所述受控电路，且所述第二磁性结构和所述磁条对所述受控电路的控制信号与所述第一磁性结构和所述磁条对所述受控电路的控制信号不同。
3.如权利要求1或2所述的mems继电器，其特征在于，所述螺旋线圈的螺旋路径通过硅通孔技术制得。
4.如权利要求3所述的mems继电器，其特征在于，所述螺旋线圈为三维立体状的螺旋结构；
5.如权利要求4所述的mems继电器，其特征在于，所述多层结构包括第一层、第二层、第三层、第四层、第五层、第六层、第七层、第八层和第九层，其中，所述第一层和所述第九层、所述第二层和所述第八层、所述第三层和所述第七层、所述第四层和所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘惠山，刘伟民，
申请(专利权)人：北京昶星科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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