【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种具有有源装置区和电流传感器区的半导体装置。
技术介绍
1、一些功率装置包括电流和温度感测机构以监测过电流或超温操作条件。这种感测机构的输出能够被递交给其它控制和保护电路以用于控制一个或多个功率装置的操作。当过电流或超温操作条件被检测到时，这种控制和保护电路操作以禁用功率装置。功率装置应该被尽可能早地按照合适的方式关闭以避免短路或过电流情景。因此，存在如下需要：用于功率装置(比如例如，功率半导体装置)的可靠的电流和温度感测方案。
技术实现思路
1、根据半导体装置的示例，半导体装置包括：衬底；和有源装置区，包括形成在半导体衬底的第一主表面的多个栅极沟槽。半导体装置还包括：电流传感器区，包括形成在半导体衬底的第一主表面的多个栅极沟槽。半导体装置还包括布置在有源装置区和电流传感器区之间的过渡区。过渡区包括形成在半导体衬底的第一主表面的补充沟槽。补充沟槽将有源装置区的所述多个栅极沟槽与电流传感器区的所述多个栅极沟槽分离。形成在补充沟槽中的电极既不按照电气方式连接到形成在有源装置区的所述多个栅极沟槽中的栅电极，也不按照电气方式连接到形成在电流传感器区的所述多个栅极沟槽中的栅电极。
2、本领域技术人员将会在阅读下面的详细描述时并且在观看附图时意识到另外的特征和优点。
【技术保护点】
1.一种半导体装置(100，200，300，400，500，600，700)，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置(100，200，300，400，500，600，700)，还包括：
3.如权利要求2所述的半导体装置(100，200，300，400，500，600，700)，其中形成在所述补充沟槽(120，220，320，420，720)中的电极(130)按照电气方式连接到所述有源装置区(108，208，308，408，708)的所述源极区。
4.如权利要求2或3中任一项所述的半导体装置(500，600)，还包括：
5.如权利要求4所述的半导体装置(500，600)，其中当所述栅极焊盘(G)被切换到第一状态时，所述半导体装置(100，200，300，400，500，600，700)被配置为允许使用所述感测焊盘(S)来测量所述电流传感器区(112，212，312，412，612，712)中的电流，并且其中当所述栅极焊盘(G)被切换到第二状态时，所述半导体装置(100，200，300，400，500，600，700)还被配置为允许使
6.如权利要求5所述的半导体装置(500，600)，其中所述第一状态是接通状态，并且所述第二状态是断开状态。
7.如权利要求4至6中任一项所述的半导体装置(500，600)，其中所述温度传感器装置(556)的第二端子按照电气方式连接到所述发射极/源极焊盘(E)。
8.如权利要求4至7中任一项所述的半导体装置(500，600)，其中所述温度传感器装置(556)包括串联耦合的多个二极管。
9.如前面权利要求中任一项所述的半导体装置(300)，还包括：
10.如前面权利要求中任一项所述的半导体装置(400)，其中所述补充沟槽(420)至少部分地包围所述电流传感器区(412)。
11.如前面权利要求中任一项所述的半导体装置(100，200，300，400，500，600，700)，其中
12.如前面权利要求中任一项所述的半导体装置(100，200，300，400，500，600，700)，其中所述有源装置区(108，208，308，408，708)的所述多个栅极沟槽(110，210，710)具有与所述电流传感器区(112，212，312，412，612，712)的所述多个栅极沟槽(114，214，714)相同的宽度或相同的深度中的至少一个。
13.如前面权利要求中任一项所述的半导体装置(700)，其中
14.如权利要求13所述的半导体装置(700)，其中所述有源装置区(708)的所述多个发射极沟槽(776)具有与所述电流传感器区(712)的所述多个发射极沟槽(778)相同的宽度或相同的深度中的至少一个。
15.如权利要求13或14中任一项所述的半导体装置(700)，其中所述补充沟槽(720)具有与所述有源装置区(708)的所述多个发射极沟槽(776)或所述电流传感器区(712)的所述多个发射极沟槽(778)相同的宽度或相同的深度中的至少一个。
16.如权利要求13至15中任一项所述的半导体装置(700)，还包括：
17.如权利要求16所述的半导体装置(700)，其中所述相交栅极沟槽(780)具有与所述有源装置区(708)的所述多个栅极沟槽(710)或所述电流传感器区(712)的所述多个栅极沟槽(714)相同的宽度或相同的深度中的至少一个。
18.如权利要求16或17中任一项所述的半导体装置(700)，其中所述有源装置区(708)的所述多个栅极沟槽(710)中的至少一个栅极沟槽(782)被连接到所述相交栅极沟槽(780)。
19.如权利要求16或17中任一项所述的半导体装置(700)，其中通过形成在所述半导体衬底(702)之上的导电层(742)，所述有源装置区(708)的所述多个栅电极按照电气方式连接到所述电流传感器区(712)的所述多个栅电极。
20.如权利要求13至15中任一项所述的半导体装置(700)，其中通过形成在所述半导体衬底(702)之上的导电层，所述电流传感器区(712)的所述多个栅电极的至少一个子集按照电气方式彼此连接。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置(100，200，300，400，500，600，700)，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置(100，200，300，400，500，600，700)，还包括：
3.如权利要求2所述的半导体装置(100，200，300，400，500，600，700)，其中形成在所述补充沟槽(120，220，320，420，720)中的电极(130)按照电气方式连接到所述有源装置区(108，208，308，408，708)的所述源极区。
4.如权利要求2或3中任一项所述的半导体装置(500，600)，还包括：
5.如权利要求4所述的半导体装置(500，600)，其中当所述栅极焊盘(g)被切换到第一状态时，所述半导体装置(100，200，300，400，500，600，700)被配置为允许使用所述感测焊盘(s)来测量所述电流传感器区(112，212，312，412，612，712)中的电流，并且其中当所述栅极焊盘(g)被切换到第二状态时，所述半导体装置(100，200，300，400，500，600，700)还被配置为允许使用所述感测焊盘(s)来测量所述半导体装置(100，200，300，400，500，600，700)的温度。
6.如权利要求5所述的半导体装置(500，600)，其中所述第一状态是接通状态，并且所述第二状态是断开状态。
7.如权利要求4至6中任一项所述的半导体装置(500，600)，其中所述温度传感器装置(556)的第二端子按照电气方式连接到所述发射极/源极焊盘(e)。
8.如权利要求4至7中任一项所述的半导体装置(500，600)，其中所述温度传感器装置(556)包括串联耦合的多个二极管。
9.如前面权利要求中任一项所述的半导体装置(300)，还包括：
10.如前面权利要求中任一项所述的半导体装置(400)，其中所述补充沟槽(420)至少部分地包围所述电流传感器区(412)。
11.如前面权利要求中任一项所述的半导体装置(100，200，300，400，500，600，700)，其中
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【专利技术属性】
技术研发人员：A·卡穆斯，N·拉布伦兹，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：
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