【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于轻掺单晶拉晶方法的，具体涉及一种改善硅片切割形貌的方法。
技术介绍
1、集成电路为追求低成本、立体化方向快速发展，对单晶硅片的质量、直径、厚度等指标提出更高的要求；半导体硅片现行切片加工采用多线砂浆磨料切割，切片机主要由加工仓、线仓、砂浆罐及其他电气控制部分组成；加工仓内安装有可高速旋转的主辊轴，主辊轴上环绕多圈钢线形成一面线网，晶锭在线网上方用夹具固定，加工过程夹具携带晶锭下降与高速旋转的线网接触逐渐切片，线网上附着有砂浆起磨削作用；对于切片而言，多以使用ntc切片机为主，ntc切片机线仓内安装有新线与旧线两个线轮及多个小导线轮，切割过程中钢线由新/旧线往复转动；砂浆罐中装有碳化硅颗粒与切削液的混合砂浆，当钢线高速运转时，砂浆利用切削液的悬浮性附着在线网上与晶锭接触进行磨削作用，当加工台带动夹持后的晶锭向下作进给运动时，可实现晶锭切割，如图1所示。
2、目前针对切割的硅片有相关参数要求，除了翘曲值（warp）的大小以外，下游用户更为注重硅片微观形貌的相对平坦，因此需要探究一种改善硅片切割形貌的方法。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供一种改善硅片切割形貌的方法。
2、本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：
3、一种改善硅片切割形貌的方法，其特征在于，在切割晶锭的过程中，缩短钢线单个往复运动周期及根据晶锭的切割深度更换砂浆液，以降低线痕深度，缩短线痕间距，增强硅片表面平坦度，使得硅片切割形貌相对平坦。
4、
5、优选地，所述缩短钢线单个往复运动周期为缩短至原钢线单个往复运动周期的0.45倍以上。
6、优选地，所述根据晶锭的切割深度每次更换1/4-1/3砂浆液总量的新砂浆液。
7、优选地，所述根据晶锭的切割深度每次更换1/4-1/3砂浆液总量的新砂浆液，具体为根据晶锭的切割深度更换3次砂浆液。
8、优选地，所述根据晶锭的切割深度更换3次砂浆液的时期为：
9、晶锭从上至下切割深度从0切割至30%-40%时；
10、晶锭从上至下切割深度从30%-40%切割至45%-55%时；
11、晶锭从上至下切割深度从45%-55%切割至70%-80%时。
12、与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于：
13、本专利技术提供的一种改善硅片切割形貌的方法，在切割晶锭的过程中，缩短钢线单个往复运动周期，且根据晶锭的切割深度更换砂浆液，使钢线切割能力稳定，缩短钢线在硅片表面的停留时间，降低线痕深度，缩短线痕间距，使得硅片表面各个位置处厚度差值减小，翘曲越小，增强硅片表面平坦度，使得硅片切割形貌相对平坦。
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1.一种改善硅片切割形貌的方法，其特征在于，在切割晶锭的过程中，缩短钢线单个往复运动周期及根据晶锭的切割深度更换砂浆液，以降低线痕深度，缩短线痕间距，增强硅片表面平坦度，使得硅片切割形貌相对平坦。
2.如权利要求1改善硅片切割形貌的方法，其特征在于，所述缩短钢线单个往复运动周期指切割一个晶锭的总加工时间不变，晶锭向下运动的速度不变，缩短钢线单个往复运动周期。
3.如权利要求2所述的改善硅片切割形貌的方法，其特征在于，所述缩短钢线单个往复运动周期为缩短至原钢线单个往复运动周期的0.45倍以上。
4.如权利要求1-3任意一项所述的改善硅片切割形貌的方法，其特征在于，所述根据晶锭的切割深度每次更换1/4-1/3砂浆液总量的新砂浆液。
5.如权利要求4所述的改善硅片切割形貌的方法，其特征在于，所述根据晶锭的切割深度每次更换1/4-1/3砂浆液总量的新砂浆液，具体为根据晶锭的切割深度更换3次砂浆液。
6.如权利要求5所述的改善硅片切割形貌的方法，其特征在于，所述根据晶锭的切割深度更换3次砂浆液的时期为：
【技术特征摘要】
1.一种改善硅片切割形貌的方法，其特征在于，在切割晶锭的过程中，缩短钢线单个往复运动周期及根据晶锭的切割深度更换砂浆液，以降低线痕深度，缩短线痕间距，增强硅片表面平坦度，使得硅片切割形貌相对平坦。
2.如权利要求1改善硅片切割形貌的方法，其特征在于，所述缩短钢线单个往复运动周期指切割一个晶锭的总加工时间不变，晶锭向下运动的速度不变，缩短钢线单个往复运动周期。
3.如权利要求2所述的改善硅片切割形貌的方法，其特征在于，所述缩短钢线单个往复运动周期为缩短至原钢...
【专利技术属性】
技术研发人员：史小锋，赵延祥，芮阳，王黎光，程博，白玉，张民，白园，
申请(专利权)人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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