【技术实现步骤摘要】
本公开内容是关于存储器装置和其形成方法，且特别是关于具有单元接触件的存储器装置。
技术介绍
1、随着存储器装置中的特征临界尺寸(critical dimension，cd)变得越小，存储器装置的尺寸也相应减小，从而增加装置中的元件密度。然而，减小的特征尺寸造成制造上更高的难度，因此容易导致存储器装置中的缺陷。例如，在紧密元件之间均匀形成单元接触件变得更困难，可能造成单元接触件中的接缝且降低装置的可靠性。因此，存储器装置的形成需要形成具有完整结构的单元接触件的方法。
技术实现思路
1、根据本公开的一实施例，一种存储器装置包括基板上的栅极结构、基板中的源极/漏极区域、覆盖基板和栅极结构的介电层，以及邻近于栅极结构的单元接触件。单元接触件包括导电层、导电层的侧壁上的第一阻障层，以及导电层的底表面上的第二阻障层。第二阻障层直接接触第一阻障层和源极/漏极区域，且第二阻障层的第二电阻率低于第一阻障层的第一电阻率。
2、在一些实施例中，第一阻障层和第二阻障层共同环绕导电层，以分离导电层与介电层以及分离导电层与基板。
3、在一些实施例中，第一阻障层的第一致密性高于第二阻障层的第二致密性。
4、在一些实施例中，第一阻障层的第一厚度等于第二阻障层的第二厚度。
5、在一些实施例中，第一阻障层的第一厚度小于或等于20纳米。
6、在一些实施例中，第一阻障层和第二阻障层包括相同的成分。
7、在一些实施例中，第一阻障层包括tin、sin、s
8、在一些实施例中，存储器装置进一步包括介电层的顶表面上的第三阻障层。导电层延伸至第三阻障层上，且第三阻障层的第三电阻率低于第一阻障层的第一电阻率。
9、在一些实施例中，第三阻障层直接接触第一阻障层。
10、在一些实施例中，第三阻障层的侧表面共平面于第一阻障层的侧表面。
11、在一些实施例中，第三阻障层的第三电阻率等于第二阻障层的第二电阻率。
12、在一些实施例中，第一阻障层延伸进源极/漏极区域中，且第二阻障层低于基板的顶表面。
13、在一些实施例中，第一阻障层包括不同于介电层的材料。
14、根据本公开的一实施例，一种形成存储器装置的方法包括以下步骤。提供基板上的栅极结构和覆盖栅极结构的介电层。形成穿过介电层的开口，其中开口暴露基板中的源极/漏极区域。通过第一工艺在开口中和介电层上沉积第一阻障层。移除第一阻障层位于开口的底表面上的第一部分，且第一阻障层的第二部分保留在开口的侧表面上。通过第二工艺在开口的底表面上沉积第二阻障层，其中第二阻障层的第二电阻率不同于第一阻障层的第一电阻率。在开口中形成导电层。
15、在一些实施例中，第一工艺是连续性气流化学相沉积，且第二工艺是化学气相沉积。
16、在一些实施例中，第一工艺所沉积的第一阻障层沉具有第一致密性，第一致密性不同于第二工艺所沉积的第二阻障层的第二致密性。
17、在一些实施例中，移除第一阻障层进一步包括移除第一阻障层位于介电层的顶表面上的第三部分。
18、在一些实施例中，在开口的底表面上沉积第二阻障层包括在开口所暴露的源极/漏极区域上直接沉积第二阻障层。
19、在一些实施例中，在沉积第二阻障层之后，第一阻障层和第二阻障层共同覆盖开口的侧表面和底表面。
20、在一些实施例中，在沉积第二阻障层之后，第一阻障层暴露在开口中。
21、根据上述的实施例，存储器装置的单元接触件包括通过不同工艺所形成的第一阻障层和第二阻障层。第一阻障层和第二阻障层覆盖用于导电层的开口的表面，因此导电层填充开口时可降低在其中形成接缝(seam)。第二阻障层还减少单元接触件和源极/漏极区域之间的电阻率。
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1.一种存储器装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该第一阻障层和该第二阻障层共同环绕该导电层，以分离该导电层与该介电层以及分离该导电层与该基板。
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该第一阻障层的第一致密性高于该第二阻障层的第二致密性。
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该第一阻障层的第一厚度等于该第二阻障层的第二厚度。
5.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该第一阻障层的第一厚度小于或等于20纳米。
6.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该第一阻障层和该第二阻障层包括相同的成分。
7.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该第一阻障层包括TiN、SiN、SiO2或上述的组合。
8.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，进一步包括：
9.根据权利要求8所述的存储器装置，其特征在于，该第三阻障层直接接触该第一阻障层。
10.根据权利要求8所述的存储器装置，其特征在于，该第三阻障层的
11.根据权利要求8所述的存储器装置，其特征在于，该第三阻障层的该第三电阻率等于该第二阻障层的该第二电阻率。
12.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该第一阻障层延伸进该源极/漏极区域中，且该第二阻障层低于该基板的顶表面。
13.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该第一阻障层包括不同于该介电层的材料。
14.一种形成存储器装置的方法，其特征在于，包括：
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，该第一工艺是连续性气流化学相沉积，且该第二工艺是化学气相沉积。
16.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，通过该第一工艺所沉积的该第一阻障层具有第一致密性，该第一致密性不同于通过该第二工艺所沉积的该第二阻障层的第二致密性。
17.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，移除该第一阻障层进一步包括移除该第一阻障层位于该介电层的顶表面上的第三部分。
18.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，在该开口的该底表面上沉积该第二阻障层包括在该开口所暴露的该源极/漏极区域上直接沉积该第二阻障层。
19.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，在沉积该第二阻障层之后，该第一阻障层和该第二阻障层共同覆盖该开口的该侧表面和该底表面。
20.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，在沉积该第二阻障层之后，该第一阻障层暴露在该开口中。
...【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该第一阻障层和该第二阻障层共同环绕该导电层，以分离该导电层与该介电层以及分离该导电层与该基板。
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该第一阻障层的第一致密性高于该第二阻障层的第二致密性。
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该第一阻障层的第一厚度等于该第二阻障层的第二厚度。
5.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该第一阻障层的第一厚度小于或等于20纳米。
6.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该第一阻障层和该第二阻障层包括相同的成分。
7.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该第一阻障层包括tin、sin、sio2或上述的组合。
8.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，进一步包括：
9.根据权利要求8所述的存储器装置，其特征在于，该第三阻障层直接接触该第一阻障层。
10.根据权利要求8所述的存储器装置，其特征在于，该第三阻障层的侧表面共平面于该第一阻障层的侧表面。
11.根据权利要求8所述的存储器装置，其特征在于，该第三阻障层的该第三电阻率等于该第二阻障层的该第二电阻率。...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈昱频，黄崇勋，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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