【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电池领域，特别是涉及一种钝化接触结构、太阳能电池及其制备方法与用电装置。
技术介绍
1、随着光伏技术的快速发展，晶体硅太阳能电池的转换效率逐年提高。目前，topcon电池已经近乎取代p型双面perc电池成为太阳能电池制造工业的主流产品。同时，各个厂家也开始了相较于topcon电池更加高效的下一代电池的研发布局。其中，tbc电池凭借转换效率高及与topcon电池产线兼容性高等诸多优点脱颖而出。在tbc电池钝化层的制备过程中，先制备隧穿氧化层和本征poly层，再通过硼扩散的方式去进行杂质的掺杂以形成p-poly（硼掺杂的多晶硅层）。传统方法制备的tbc电池钝化层的钝化效果较差。
2、因此，有必要对传统技术进行改进。
技术实现思路
1、基于此，本申请提供了一种钝化效果较好的钝化接触结构、太阳能电池及其制备方法与用电装置。
2、本申请解决上述技术问题的技术方案如下。
3、本申请第一方面提供了一种钝化接触结构的制备方法，包括以下步骤：
4、以sih4为反应气体，或者以体积比为2~3:1的h2和sih4为反应气体，在遂穿氧化层的表面进行第一沉积处理，以在所述遂穿氧化层的表面形成本征多晶硅膜层；
5、以h2和sih4为反应气体，在所述本征多晶硅膜层远离所述遂穿氧化层的表面依次进行第二沉积处理和第三沉积处理，以在所述本征多晶硅膜层远离所述遂穿氧化层的表面依次形成过渡硅膜层和微晶硅膜层；所述第二沉积处理中h2与sih4的体积比为3
6、将所述本征多晶硅膜层、所述过渡硅膜层和所述微晶硅膜层进行硼掺杂，分别形成硼掺杂本征多晶硅膜层、硼掺杂过渡硅膜层和硼掺杂微晶硅膜层。
7、在其中一些实施例中，钝化接触结构的制备方法中，以体积比为2~3:1的h2和sih4为反应气体，所述第一沉积处理中，h2的流量为7000 sccm ~ 8000 sccm，sih4的流量为3000sccm ~ 3500 sccm。
8、在其中一些实施例中，钝化接触结构的制备方法中，所述第二沉积处理中，h2的流量为7000 sccm ~ 8000 sccm，sih4的流量为500 sccm ~ 2000 sccm。
9、在其中一些实施例中，钝化接触结构的制备方法中，所述第三沉积处理中，h2的流量为7000 sccm ~ 8000 sccm，sih4的流量为200 sccm ~ 400 sccm。
10、在其中一些实施例中，钝化接触结构的制备方法中，所述第一沉积处理的沉积方式包括pecvd和lpcvd中的至少一种，所述第二沉积处理和第三沉积处理的沉积方式为pecvd。
11、在其中一些实施例中，钝化接触结构的制备方法中，所述pecvd的温度为400℃~500℃，所述lpcvd的温度为500℃~650℃。
12、在其中一些实施例中，钝化接触结构的制备方法中，所述制备方法满足如下特征中的至少一个：
13、（1）所述第一沉积处理的时间为120 s~1600 s；
14、（2）所述第二沉积处理的时间为600 s~3200 s；
15、（3）所述第三沉积处理的时间为2000 s~18000 s。
16、在其中一些实施例中，钝化接触结构的制备方法中，所述硼掺杂的条件为：硼掺杂的温度为840℃~990℃，硼源的流量为100 sccm~400 sccm。
17、本申请第二方面提供了一种钝化接触结构，采用上述制备方法制得。
18、本申请第三方面提供了一种钝化接触结构，包括依次设置的遂穿氧化层、硼掺杂本征多晶硅膜层、硼掺杂过渡硅膜层和硼掺杂微晶硅膜层。
19、在其中一些实施例中，钝化接触结构中，所述钝化接触结构满足如下特征中的至少一个：
20、（1）所述硼掺杂本征多晶硅膜层的厚度为20 nm~100 nm；
21、（2）所述硼掺杂过渡硅膜层的厚度为50 nm~200 nm；
22、（3）所述硼掺杂微晶硅膜层的厚度为50 nm~200 nm。
23、本申请第四方面提供了一种太阳能电池，包括依次设置的硅片、上述钝化接触结构及电极，所述钝化接触结构中的遂穿氧化层设于所述硅片的背表面与所述硼掺杂本征多晶硅膜层之间。
24、在其中一些实施例中，太阳能电池中，所述太阳能电池还包括alox膜层和sinx膜层，所述alox膜层设于所述硅片的正表面及所述硼掺杂微晶硅膜层远离所述硼掺杂过渡硅膜层的表面，所述sinx膜层设于所述alox膜层远离所述硅片的表面。
25、本申请第五方面提供了一种太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
26、在硅片的背面制备隧穿氧化层；
27、以sih4为反应气体，或者以体积比为2~3:1的h2和sih4为反应气体，在遂穿氧化层的表面进行第一沉积处理，以在所述遂穿氧化层的表面形成本征多晶硅膜层；
28、以h2和sih4为反应气体，在所述本征多晶硅膜层远离所述遂穿氧化层的表面依次进行第二沉积处理和第三沉积处理，以在所述本征多晶硅膜层远离所述遂穿氧化层的表面依次形成过渡硅膜层和微晶硅膜层；所述第二沉积处理中h2与sih4的体积比为3.5~16:1，所述第三沉积处理中h2与sih4的体积比为17~40:1；
29、将所述本征多晶硅膜层、所述过渡硅膜层和所述微晶硅膜层进行硼掺杂，分别形成硼掺杂本征多晶硅膜层、硼掺杂过渡硅膜层和硼掺杂微晶硅膜层；
30、在所述硼掺杂微晶硅膜层远离硼掺杂过渡硅膜层的表面制备电极。
31、本申请第六方面提供了一种用电装置，包括上述太阳能电池或上述制备方法制得的太阳能电池。
32、与现有技术相比较，本申请的钝化接触结构的制备方法具有如下有益效果：
33、本申请的钝化接触结构的制备方法，分别控制反应气体h2与sih4的体积比，在遂穿氧化层的表面依次进行第一沉积处理、第二沉积处理和第三沉积处理，以在遂穿氧化层的表面依次形成本征多晶硅膜层、过渡硅膜层和微晶硅膜层，且本征多晶硅膜层、过渡硅膜层和微晶硅膜层的质量和密度较高，使得进一步将该本征多晶硅膜层、过渡硅膜层和微晶硅膜层进行硼掺杂后，所得的硼掺杂本征多晶硅膜层、硼掺杂过渡硅膜层和硼掺杂微晶硅膜层的质量和密度较高，能够穿透该结构和隧穿氧化层的杂质元素更少，从而有效提升钝化接触结构的钝化效果。
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1.一种钝化接触结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一沉积处理中，以体积比为2~3:1的H2和SiH4为反应气体，H2的流量为7000 sccm ~ 8000 sccm，SiH4的流量为3000 sccm ~3500 sccm。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二沉积处理中，H2的流量为7000sccm ~ 8000 sccm，SiH4的流量为500 sccm ~ 2000 sccm。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第三沉积处理中，H2的流量为7000sccm ~ 8000 sccm，SiH4的流量为200 sccm ~ 400 sccm。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一沉积处理的沉积方式包括PECVD和LPCVD中的至少一种，所述第二沉积处理和第三沉积处理的沉积方式为PECVD。
6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述PECVD的温度为400℃~500℃，所述LPCVD的温度为500℃~650℃
7.如权利要求1~5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法满足如下特征中的至少一个：
8.如权利要求1~5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述硼掺杂的条件为：硼掺杂的温度为840℃~990℃，硼源的流量为100 sccm~400 sccm。
9.一种钝化接触结构，其特征在于，采用如权利要求1~8任一项所述的制备方法制得。
10.一种钝化接触结构，其特征在于，包括依次设置的遂穿氧化层、硼掺杂本征多晶硅膜层、硼掺杂过渡硅膜层和硼掺杂微晶硅膜层。
11.如权利要求10所述的钝化接触结构，其特征在于，所述钝化接触结构满足如下特征中的至少一个：
12.一种太阳能电池，其特征在于，包括依次设置的硅片、如权利要求9~11任一项所述的钝化接触结构及电极，所述钝化接触结构中的遂穿氧化层设于所述硅片的背表面与所述硼掺杂本征多晶硅膜层之间。
13.如权利要求12所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括AlOx膜层和SiNx膜层，所述AlOx膜层设于所述硅片的正表面及所述硼掺杂微晶硅膜层远离所述硼掺杂过渡硅膜层的表面，所述SiNx膜层设于所述AlOx膜层远离所述硅片的表面。
14.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
15.一种用电装置，其特征在于，包括如权利要求12或13所述的太阳能电池或如权利要求14所述的制备方法制得的太阳能电池。
...【技术特征摘要】
1.一种钝化接触结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一沉积处理中，以体积比为2~3:1的h2和sih4为反应气体，h2的流量为7000 sccm ~ 8000 sccm，sih4的流量为3000 sccm ~3500 sccm。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二沉积处理中，h2的流量为7000sccm ~ 8000 sccm，sih4的流量为500 sccm ~ 2000 sccm。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第三沉积处理中，h2的流量为7000sccm ~ 8000 sccm，sih4的流量为200 sccm ~ 400 sccm。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一沉积处理的沉积方式包括pecvd和lpcvd中的至少一种，所述第二沉积处理和第三沉积处理的沉积方式为pecvd。
6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述pecvd的温度为400℃~500℃，所述lpcvd的温度为500℃~650℃。
7.如权利要求1~5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法满足如下特征中的至少一个：
8.如权利要求1~5...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨睿，赵康，柳伟，宗建鹏，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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