【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件制造方法、系统、电子设备及存储介质。
技术介绍
1、在半导体制造中，在形成了晶体管等基本器件结构(如源极、漏极和栅极等)之后，需要在器件表面沉积介质层，并在介质层上形成导电互连结构。
2、然而，采用等离子体增强化学气相沉积工艺沉积介质层的过程中，会导致衬底表面产生可移动的界面态电荷。这些可移动的界面态电荷会影响半导体器件中的电场分布，增大器件漏电流，漏电流的增大会影响到栅极电压与沟道导通之间的关系，导致器件阈值电压降低，从而影响半导体器件的电学性能。
3、需要说明的是，上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、基于此，本申请实施例提供了一种半导体器件制造方法及半导体器件，可以显著减少可移动的界面态电荷数量，降低半导体器件漏电流，避免半导体器件的阈值电压降低，从而保障半导体器件的电学性能和使用可靠性。
2、根据一些实施例，本申请一方面提供了一种半导体器件制造方法，包括：
3、提供衬底，所述衬底包括器件区域；
4、于所述衬底的所述器件区域上形成未掺杂硅玻璃介质层；
5、于所述未掺杂硅玻璃介质层上形成硼磷硅玻璃介质层，所述硼磷硅玻璃介质层中硼元素与磷元素的掺杂浓度比例范围包括0.8～1.2；
6、于所述硼磷硅玻璃介质层上形成导电层，所述导电层、所述硼磷硅玻璃介质层及所述未
7、在一些实施例中，所述硼磷硅玻璃介质层的厚度范围包括
8、在一些实施例中，于所述未掺杂硅玻璃介质层上形成所述硼磷硅玻璃介质层的过程中，工艺温度范围包括390℃～410℃。
9、在一些实施例中，于所述未掺杂硅玻璃介质层上形成所述硼磷硅玻璃介质层的过程中，工艺时间范围包括9s～11s。
10、在一些实施例中，采用等离子体增强化学气相沉积工艺，于所述衬底的所述器件区域上沉积生成所述未掺杂硅玻璃介质层。
11、在一些实施例中，于所述未掺杂硅玻璃介质层上形成所述硼磷硅玻璃介质层的过程中，通入氮气以提供保护气体氛围。
12、在一些实施例中，所述于所述硼磷硅玻璃介质层上形成导电层之后，所述半导体器件制造方法还包括：
13、于所述导电层上形成钝化层。
14、在一些实施例中，所述导电层暴露出所述硼磷硅玻璃介质层的部分表面；所述钝化层还覆盖所述硼磷硅玻璃介质层暴露出的部分表面。
15、在一些实施例中，所述钝化层的构成材料包括氮化硅和/或氧化硅。
16、根据一些实施例，本申请另一方面还提供了一种半导体器件，制造所述半导体器件的过程包括如上任一实施例提供的半导体器件制造方法的步骤。
17、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
18、本申请实施例可以/至少具有以下优点：
19、本申请实施例在未掺杂硅玻璃(usg)介质层上形成硼磷硅玻璃(bpsg)介质层，并将硼磷硅玻璃中硼元素与磷元素的掺杂浓度比例控制在0.8至1.2之间，通过优化硼磷硅玻璃介质层中的硼、磷含量比例，从而有效复合在形成未掺杂硅玻璃介质层的过程中产生的界面电荷，显著减少了可移动的界面态电荷数量，从而有助于降低半导体器件漏电流。
20、可移动的界面态电荷会导致半导体器件的阈值电压降低，进而影响半导体器件的开关特性。因此，通过本申请实施例对界面电荷进行复合，避免了可移动的界面态电荷对半导体器件的阈值电压所带来的不利影响，从而为半导体器件的电学性能和使用可靠性提供有力保障。
21、此外，通过将硼元素与磷元素的掺杂浓度比例控制在0.8至1.2之间，减少了可移动的界面态电荷数量，还有助于改善因界面态电荷引起的电场扰动，从而提升半导体器件的电性能稳定性。
22、本申请的其他优点、目标和特征在某种程度上将在随后的说明书中进行阐述，并且在某种程度上，基于对下文的考察研究对本领域技术人员而言将是显而易见的，或者可以从本申请的实践中得到教导。本申请的目标和其他优点可以通过下面的说明书来实现和获得。
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1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述硼磷硅玻璃介质层的厚度范围包括
3.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，于所述未掺杂硅玻璃介质层上形成所述硼磷硅玻璃介质层的过程中，工艺温度范围包括390℃～410℃。
4.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，于所述未掺杂硅玻璃介质层上形成所述硼磷硅玻璃介质层的过程中，工艺时间范围包括9s～11s。
5.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，采用等离子体增强化学气相沉积工艺，于所述衬底的所述器件区域上沉积生成所述未掺杂硅玻璃介质层。
6.根据权利要求5所述的半导体器件制造方法，其特征在于，于所述未掺杂硅玻璃介质层上形成所述硼磷硅玻璃介质层的过程中，通入氮气以提供保护气体氛围。
7.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述于所述硼磷硅玻璃介质层上形成导电层之后，所述半导体器件制造方法还包括：
8.根据权利要求7所述的半导体器件制造方
9.根据权利要求8所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述钝化层的构成材料包括氮化硅和/或氧化硅。
10.一种半导体器件，其特征在于，制造所述半导体器件的过程包括如权利要求1至9中任一项所述的半导体器件制造方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述硼磷硅玻璃介质层的厚度范围包括
3.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，于所述未掺杂硅玻璃介质层上形成所述硼磷硅玻璃介质层的过程中，工艺温度范围包括390℃～410℃。
4.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，于所述未掺杂硅玻璃介质层上形成所述硼磷硅玻璃介质层的过程中，工艺时间范围包括9s～11s。
5.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，采用等离子体增强化学气相沉积工艺，于所述衬底的所述器件区域上沉积生成所述未掺杂硅玻...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱星宇，汪梦迪，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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