【技术实现步骤摘要】
本公开涉及发光装置、显示装置、可穿戴装置及发光装置的制造方法。
技术介绍
1、专利文献1公开了一种在俯视观察下多个微型led排列成行和列的呈矩形的微型led面板。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本公开专利公报“特开2018-185515号公报”
5、专利文献2：日本公开专利公报“特开2023-001062号公报”
6、专利文献3：日本公开专利公报“特开2010-96882号公报”
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题
2、然而，在如上所述的现有技术中，存在产生能够视觉辨认程度的杂散光的问题。
3、用于解决问题的方案
4、为了解决上述问题，本公开的一方式涉及的发光装置为如下的构成：包括包含第一发光层第一半导体层和包含第二发光层的第二半导体层，所述第一半导体层所具有的第一侧壁和所述第二半导体层所具有的第二侧壁隔着间隙而相邻，所述第一侧壁的法线与所述第二侧壁的法线不平行。
5、为了解决上述问题，本公开的一方式涉及的显示装置为包括本公开设计的发光装置的构成。
6、为了解决上述问题，本公开的一方式涉及的可穿戴装置为包括本公开的发光装置的构成。
7、为了解决上述问题，本公开的一方式涉及的发光装置的制造方法为如下方法：
8、包括在生长用基板上使半导体晶体生长的工序；以及通过对所述半导体晶体进行图案化，形成第一半导体层和第二半
9、专利技术效果
10、根据本专利技术的一个方式，能够减少杂散光。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种发光装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一侧壁和所述第二侧壁间之间的最小距离为30[nm]～2.0[μm]。
3.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
4.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
5.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一发光层和所述第二发光层距光取出面的距离不同。
6.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，光也从所述第一侧壁和所述第二侧壁出射。
7.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一侧壁和所述第二侧壁为平面形状。
8.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一侧壁和所述第二侧壁为弯曲形状。
9.如权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层在俯视观察下为四边形。
10.如权利要求8所述的发光装置，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层在俯视观察下为椭圆。
11.如权利要求10所述的发光装置，其特征在于，俯视观察所述第一半导体
12.如权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层在俯视观察下为具有5条以上边的凹多边形。
13.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一侧壁和所述第二侧壁之间的距离不随厚度方向的位置而变化。
14.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一侧壁和所述第二侧壁之间的距离根据厚度方向的位置而变化。
15.如权利要求14所述的发光装置，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层为锥形状。
16.如权利要求15所述的发光装置，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层是在远离光取出面方向上逐渐变细的形状。
17.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一侧壁的法线及所述第二侧壁的法线所成的锐角为10°以下。
18.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，包括：
19.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，包括：
20.如权利要求19所述的发光装置，其特征在于，包括：
21.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，从所述第一发光层及所述第二发光层出射的光为朗伯取向。
22.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层分别是含有镓的氮化物半导体晶体。
23.如权利要求20所述的发光装置，其特征在于，所述第一半导体层与所述生长用基板的生长面结合，
24.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一发光元件包括阳极及阴极，
25.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1所述的发光装置。
26.一种可穿戴装置，其特征在于，包括权利要求1所述的发光装置。
27.一种发光装置的制造方法，其特征在于，包括：
28.如权利要求27所述发光装置的制造方法，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一侧壁和所述第二侧壁间之间的最小距离为30[nm]～2.0[μm]。
3.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
4.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
5.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一发光层和所述第二发光层距光取出面的距离不同。
6.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，光也从所述第一侧壁和所述第二侧壁出射。
7.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一侧壁和所述第二侧壁为平面形状。
8.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一侧壁和所述第二侧壁为弯曲形状。
9.如权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层在俯视观察下为四边形。
10.如权利要求8所述的发光装置，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层在俯视观察下为椭圆。
11.如权利要求10所述的发光装置，其特征在于，俯视观察所述第一半导体层时的椭圆的长轴与俯视观察所述第二半导体层时的长轴不平行。
12.如权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层在俯视观察下为具有5条以上边的凹多边形。
13.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一侧壁和所述第二侧壁之间的距离不随厚度方向的位置而变化。
14.如权利要求1所述的发光装置，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：上田吉裕，岩谷素显，末广好伸，今泉雄太，斋藤龙成，长谷川直希，井村慧悟，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。