【技术实现步骤摘要】
本公开涉及制造半导体器件的方法，具体地，涉及使用光学邻近校正(opc)方法来制造半导体器件的方法。
技术介绍
1、由于半导体器件的体积小、多功能和/或低成本的特性，半导体器件被视为电子工业中的重要元件。半导体器件分为用于存储数据的存储器件、用于处理数据的逻辑器件、以及包括存储元件和逻辑元件两者的混合器件。随着电子工业的高度发展，对具有改进特性的半导体器件的需求不断增加。例如，对具有高可靠性、高性能和/或多功能的半导体器件的需求不断增加。为了满足这些技术需求，半导体器件的复杂度和/或集成密度正在增加。
技术实现思路
1、本专利技术构思的实施例可以提供能够保持opc工艺的一致性的opc方法。
2、本专利技术构思的实施例可以提供制造高度集成且高度可靠的半导体器件的方法。
3、根据本专利技术构思的实施例，制造半导体器件的方法可以包括：对布局的设计图案执行光学邻近校正(opc)；以及使用基于校正后的布局制造的光掩模在衬底上形成光刻胶图案。执行opc包括：分析单元层级以选择布局中的代表性单元；将代表性单元中的设计图案划分为包括第一片段的多个片段；从多个片段中选择代表第一片段的第一独特片段；生成第一独特片段的第一校正偏置；将第一校正偏置应用于所有的第一片段以生成校正图案；以及将代表性单元的校正结果应用于包括在布局中并且与代表性单元具有相同类型的其他单元。
4、根据本专利技术构思的实施例，制造半导体器件的方法可以包括：对存储器件的布局执行光学邻近校正(opc)；
5、根据本专利技术构思的实施例，制造半导体器件的方法可以包括：对布局的设计图案执行光学邻近校正(opc)；基于校正后的布局制造光掩模；在衬底上形成蚀刻目标层和光刻胶层；使用光掩模对光刻胶层执行光刻工艺以形成光刻胶图案；以及使用光刻胶图案将蚀刻目标层图案化。执行opc可以包括：分析单元层级以选择布局中的代表性单元；将代表性单元中的设计图案划分为包括第一片段和第二片段的多个片段；从多个片段中选择代表第一片段的第一独特片段；从多个片段中选择代表第二片段的第二独特片段；生成第一独特片段的第一校正偏置；生成第二独特片段的第二校正偏置；将第一校正偏置应用于所有的第一片段；以及将第二校正偏置应用于所有的第二片段。
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1.一种制造半导体器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，选择所述第一独特片段包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，生成所述散列值包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中，基于与所述目标片段有关的第一信息和与所述多个片段中的所述目标片段周围的其他片段有关的第二信息，生成所述散列值。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个片段还包括第二片段，
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所有的所述第一片段都具有第一散列值，
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述代表性单元包括第一片、第二片、以及所述第一片与第二片之间的片边界。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述布局是存储器件的布局。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述OPC还包括：对所述校正图案执行掩模规则检查。
10.根据权利要求1所述的方法，还包括：
11.一种制造半导体器件的方法，包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其中，选择所述独特片段包括：>
13.根据权利要求12所述的方法，其中，生成所述散列值包括：
14.根据权利要求11所述的方法，还包括：
15.根据权利要求11所述的方法，还包括：将所述代表性单元的校正结果应用于所述布局中的所述多个单元中的其他单元。
16.一种制造半导体器件的方法，包括：
17.根据权利要求16所述的方法，其中，选择所述第一独特片段和所述第二独特片段包括：
18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述第一校正偏置和所述第二校正偏置彼此不同。
19.根据权利要求16所述的方法，其中，执行所述OPC还包括：将所述代表性单元的校正结果应用于包括在所述布局中并且与所述代表性单元具有相同类型的其他单元。
20.根据权利要求16所述的方法，其中，所述布局是存储器件的布局。
...【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，选择所述第一独特片段包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，生成所述散列值包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中，基于与所述目标片段有关的第一信息和与所述多个片段中的所述目标片段周围的其他片段有关的第二信息，生成所述散列值。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个片段还包括第二片段，
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所有的所述第一片段都具有第一散列值，
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述代表性单元包括第一片、第二片、以及所述第一片与第二片之间的片边界。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述布局是存储器件的布局。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述opc还包括：对所述校正图案执行掩模规则检查。
10.根据权利要求1所述的方法，还包括：
<...【专利技术属性】
技术研发人员：吴兴锡，金尚昱，李熙俊，郑芝银，曹宇镛，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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