【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及半导体封装，且特别是涉及一种封装结构及其制造方法。
技术介绍
1、在半导体封装技术中，可对芯片模块进行封装，以实现对芯片模块的保护、物理和/或电气连接、散热等。芯片模块中的多个芯片可通过封装技术集成在一起；例如，可将系统芯片和存储器芯片集成在一起，并可实现高性能计算。在封装结构中，如何优化多个芯片的排布以及芯片间的互联是本领域的重要研究课题。
技术实现思路
1、根据本公开的至少一个实施例提供一种封装结构，包括：介电基板，具有在垂直于所述介电基板的主表面的第一方向上相对的第一侧和第二侧，且具有沟槽，所述沟槽从所述第一侧延伸至所述介电基板中，其中所述介电基板包括无机介电材料；芯片模块，包括第一芯片和第二芯片，且所述第二芯片设置于所述介电基板的所述沟槽中；基板通孔，嵌置于所述介电基板中，且在所述第一方向上贯穿所述介电基板；第一重布线结构，设置于所述介电基板的所述第一侧上，且与所述第二芯片和所述基板通孔电连接，其中所述第一芯片设置于所述第一重布线结构的远离所述介电基板的一侧，并通过所述第一重布线结构与所述第二芯片和所述基板通孔电连接，且所述第一芯片和所述第二芯片在所述第一方向上至少部分交叠；以及第一导电端子，设置于所述介电基板的远离所述第一重布线结构的一侧，且与所述基板通孔电连接。
2、根据本公开至少一个实施例提供的封装结构中，所述第二芯片在垂直于所述第一方向的参考平面上的正投影位于所述第一重布线结构在所述参考平面上的正投影内。
3、根据本公开至少
4、根据本公开至少一个实施例提供的封装结构中，所述第二芯片具有与所述第一重布线结构连接的导电焊盘，且所述导电焊盘的靠近所述第一重布线结构一侧的表面与所述介电基板的所述第一侧的表面在平行于所述第一重布线结构的主表面的第二方向上齐平。
5、根据本公开至少一个实施例提供的封装结构中，所述第二芯片通过芯片贴附膜贴附至所述介电基板的所述沟槽的底部。
6、根据本公开至少一个实施例提供的封装结构中，在所述第二芯片与所述介电基板的界定所述沟槽的侧表面之间具有间隙；以及所述封装结构还包括填充层，所述填充层设置于所述沟槽中，并填充所述第二芯片与所述介电基板之间的所述间隙。
7、根据本公开至少一个实施例提供的封装结构中，所述填充层的靠近所述第一重布线结构一侧的表面与所述第二芯片的靠近所述第一重布线结构一侧的表面以及所述介电基板的所述第一侧的表面在平行于所述第一重布线结构的主表面的第二方向上齐平。
8、根据本公开至少一个实施例提供的封装结构中，所述第二芯片在所述第一方向上的厚度小于所述介电基板的所述沟槽在所述第一方向上的深度，且所述沟槽的所述深度小于所述介电基板在所述第一方向上的厚度。
9、根据本公开至少一个实施例提供的封装结构中，所述第一芯片在所述第一方向上的厚度小于所述第二芯片在所述第一方向上的厚度。
10、根据本公开至少一个实施例提供的封装结构中，所述第一重布线结构包括：通孔结构，在所述第一方向上位于所述第一芯片和所述第二芯片之间，且电连接所述第一芯片和所述第二芯片。
11、根据本公开至少一个实施例提供的封装结构中，所述通孔结构在所述第一重布线结构的主表面上的正投影位于所述第一芯片在所述第一重布线结构的所述主表面上的正投影内，且位于所述第二芯片在所述第一重布线结构的所述主表面上的正投影内。
12、根据本公开至少一个实施例提供的封装结构中，所述第一重布线结构包括：导电结构，将所述第一芯片与所述基板通孔中的第一子通孔电连接。
13、根据本公开至少一个实施例提供的封装结构中，所述第一重布线结构包括：导电线，将所述第二芯片的导电焊盘电连接到所述基板通孔中的第二子通孔，以使所述第二芯片通过所述导电线和所述第二子通孔电连接到所述第一导电端子。
14、根据本公开至少一个实施例提供的封装结构中，所述导电线的部分沿所述介电基板的所述第一侧的表面延伸，并与所述导电焊盘和所述第二子通孔接触。
15、根据本公开至少一个实施例提供的封装结构中，还包括：第二重布线结构，设置于所述介电基板的所述第二侧，且通过所述基板通孔和所述第一重布线结构与所述第一芯片和所述第二芯片电连接，其中所述第一导电端子设置于所述第二重布线结构的远离所述介电基板的一侧，且与所述第二重布线结构电连接。
16、根据本公开至少一个实施例提供的封装结构中，还包括：封装基板，设置于所述第一导电端子的远离所述介电基板的一侧，且与所述第一导电端子电连接。
17、根据本公开至少一个实施例提供的封装结构中，所述介电基板具有以下特征中的至少一者：所述介电基板的杨氏模量大于所述第一重布线结构中介电材料的杨氏模量；所述介电基板的热膨胀系数小于所述第一重布线结构中介电材料的热膨胀系数。
18、根据本公开至少一个实施例提供的封装结构中，所述介电基板在所述第一方向上的厚度大于所述第一重布线结构中的所述介电材料在所述第一方向上的厚度。
19、根据本公开至少一个实施例提供的封装结构中，所述介电基板包括玻璃基板。
20、本公开至少一个实施例提供一种封装结构的制造方法，包括：提供初始介电基板，所述初始介电基板具有在第一方向上相对的第一侧和第二侧；自所述第一侧对所述初始介电基板进行刻蚀工艺，以形成具有沟槽的介电基板，所述沟槽自所述第一侧延伸至所述介电基板中；进行金属化工艺，以形成嵌置于所述介电基板中的基板通孔，且所述基板通孔在所述第一方向上贯穿所述介电基板；将第二芯片设置于所述介电基板的所述沟槽中；在所述介电基板的所述第一侧上形成第一重布线结构，以与所述第二芯片和所述基板通孔电连接；在所述第一重布线结构的远离所述介电基板的一侧设置第一芯片，且所述第一芯片通过所述第一重布线结构与所述第二芯片和所述基板通孔电连接；以及在所述介电基板的远离所述第一芯片的一侧形成第一导电端子，且所述第一导电端子与所述基板通孔电连接。
21、根据本公开至少一个实施例提供的封装结构的制造方法中，在形成所述第一重布线结构之前，还包括：形成填充层，所述填充层填入所述介电基板的所述沟槽中，以至少填充所述第二芯片与所述介电基板之间的间隙；以及进行平坦化工艺，以使得所述填充层的远离所述介电基板的所述第二侧的表面、所述第二芯片的导电焊盘的远离所述介电基板的所述第二侧的表面以及所述介电基板的所述第一侧的表面在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此齐平。
22、根据本公开至少一个实施例提供的封装结构的制造方法中，在形成所述第一导电端子之前，还包括：在所述介电基板的所述第二侧形成第二重布线结构，且所述第二重布线结构与所述基板通孔电连接；其中所述第一导电端子形成在所述第二重布线结构的远离所述第一芯片的一侧。
23、根据本公开实施例提供的封装结构及其制造方法，可有利于缩短芯片模块本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种封装结构，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述第二芯片在垂直于所述第一方向的参考平面上的正投影位于所述第一重布线结构在所述参考平面上的正投影内。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述第一芯片包括逻辑芯片，所述第二芯片包括存储器芯片。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述第二芯片具有与所述第一重布线结构连接的导电焊盘，且所述导电焊盘的靠近所述第一重布线结构一侧的表面与所述介电基板的所述第一侧的表面在平行于所述第一重布线结构的主表面的第二方向上齐平。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述第二芯片通过芯片贴附膜贴附至所述介电基板的所述沟槽的底部。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其中在所述第二芯片与所述介电基板的界定所述沟槽的侧表面之间具有间隙；以及
7.根据权利要求6所述的封装结构，其中所述填充层的靠近所述第一重布线结构一侧的表面与所述第二芯片的靠近所述第一重布线结构一侧的表面以及所述介电基板的所述第一侧的表面在平行于所述第一重布线结构的主表面的第二方向上齐平。
<...【技术特征摘要】
1.一种封装结构，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述第二芯片在垂直于所述第一方向的参考平面上的正投影位于所述第一重布线结构在所述参考平面上的正投影内。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述第一芯片包括逻辑芯片，所述第二芯片包括存储器芯片。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述第二芯片具有与所述第一重布线结构连接的导电焊盘，且所述导电焊盘的靠近所述第一重布线结构一侧的表面与所述介电基板的所述第一侧的表面在平行于所述第一重布线结构的主表面的第二方向上齐平。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述第二芯片通过芯片贴附膜贴附至所述介电基板的所述沟槽的底部。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其中在所述第二芯片与所述介电基板的界定所述沟槽的侧表面之间具有间隙；以及
7.根据权利要求6所述的封装结构，其中所述填充层的靠近所述第一重布线结构一侧的表面与所述第二芯片的靠近所述第一重布线结构一侧的表面以及所述介电基板的所述第一侧的表面在平行于所述第一重布线结构的主表面的第二方向上齐平。
8.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述第二芯片在所述第一方向上的厚度小于所述介电基板的所述沟槽在所述第一方向上的深度，且所述沟槽的所述深度小于所述介电基板在所述第一方向上的厚度。
9.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述第一芯片在所述第一方向上的厚度小于所述第二芯片在所述第一方向上的厚度。
10.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述第一重布线结构包括：通孔结构，在所述第一方向上位于所述第一芯片和所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：广州壁仞集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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