【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备。
技术介绍
1、在摩尔定律不断深化的当下，继续推进晶体管尺寸微缩是当前业界研发的热点问题。堆叠晶体管通过将两层或多层晶体管在垂直空间内集成，实现进一步提升晶体管集成密度，成为延续集成电路尺寸微缩的重要技术之一。
2、目前，为了提供电压，可在半导体结构的内部埋入电源轨，但如何改善半导体结构内部的供电方式以及优化电源轨的引出方式，仍是目前亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，以提供一种电源轨结构在半导体结构内部的引出的新型方案。
2、第一方面，本申请实施例提供一种半导体结构的制备方法，上述半导体结构包括堆叠设置的第一半导体结构和第二半导体结构，第一半导体结构中包括相对设置的第一正面源漏区域和第二正面源漏区域，第二半导体结构中包括相对设置的第一背面源漏区域和第二背面源漏区域；上述方法包括：在衬底上依次形成一对第一鳍状结构、一对中间叠层和一对第二鳍状结构；中间叠层包括靠近第一鳍状结构的第一牺牲层、靠近第二鳍状结构的第二牺牲层和位于第一牺牲层和第二牺牲层之间的过渡层；在第一区域沉积预设高度的金属材料，以形成第一电源轨结构；第一区域位于一对中间叠层的第一牺牲层之间；在第一正面源漏区域进行鳍切处理，直至去除第一正面源漏区域中的第一鳍状结构和第一牺牲层，以形成一对第一凹槽和一对第一间隙；一对第一间隙位于一对第一鳍状结构和过渡层之间；第一凹
3、在一些可能的实施方式中，在形成背面金属电连层之后，上述方法还包括：在背面层间介质层上沉积第一介质材料，以形成第一介质层；在光刻胶的掩模作用下，对第一介质层和背面层间介质层进行光刻，以形成第一背面源漏金属凹槽和第二背面源漏金属凹槽；第一背面源漏金属凹槽位于第一背面源漏区域中，第二背面源漏金属凹槽位于第二背面源漏区域中；在光刻胶的掩模作用下，对位于第一背面源漏金属凹槽的底部的背面层间介质层进行光刻，以形成第一通孔；第一通孔延伸至正面金属电连层的第一表面；第一表面为正面金属电连层中靠近第二中间隔离层的表面；在光刻胶的掩模作用下，对位于第二背面源漏金属凹槽的底部的背面层间介质层进行光刻，以形成第二通孔；第二通孔延伸至背面金属电连层的第二表面；第二表面为背面金属电连层中远离第一中间隔离层的表面；在第一通孔、第二通孔、第一背面源漏金属凹槽和第二背面源漏金属凹槽中填充金属材料，以形成第一金属通孔、第二金属通孔、第一背面源漏金属和第二背面源漏金属。
4、在一些可能的实施方式中，在形成第一电源轨结构之后，上述方法还包括：在一对第一鳍状结构之间、第一电源轨结构上沉积第二介质材料，以形成第一介质墙结构；一对第一鳍状结构对称设置在第一介质墙结构的两侧；在形成第二电源轨结构之后，上述方法还包括：在一对第二鳍状结构之间、第二电源轨结构上沉积第二介质材料，以形成第二介质墙结构；一对第二鳍状结构对称设置在第二介质墙结构的两侧。
5、在一些可能的实施方式中，在在第一区域沉积预设高度的金属材料，以形成第一电源轨结构之前，上述方法还包括：在一对第一鳍状结构、一对中间叠层、一对第二鳍状结构和衬底上沉积第二绝缘材料，以形成第一浅槽隔离结构；第一浅槽隔离结构包裹一对第一鳍状结构、一对中间叠层和一对第二鳍状结构；刻蚀第一浅槽隔离结构的一部分，直至暴露一对第一鳍状结构和一对中间叠层中的第一牺牲层；在一对第一鳍状结构和第一牺牲层的表面沉积氧化物，以形成第一氧化层。
6、在一些可能的实施方式中，在在第二区域沉积预设高度的金属材料，以形成第二电源轨结构之前，上述方法还包括：刻蚀第一浅槽隔离结构的一部分，直至暴露一对第二鳍状结构和一对中间叠层中的第二牺牲层，并形成浅槽隔离层；浅槽隔离层对应于中间叠层中的过渡层；在一对第二鳍状结构和第二牺牲层的表面沉积氧化物，以形成第二氧化层。
7、在一些可能的实施方式中，基于一对第一鳍状结构，形成第一半导体结构，包括：基于第一鳍状结构，在第二正面源漏区域生长源漏外延，以形成正面源漏结构；在正面源漏结构上和一对第一凹槽中沉积第三介质材料，以形成正面层间介质层；光刻打开第一半导体结构的正面栅极区域，并在正面栅极区域中沉积金属材料，以形成正面栅极结构；对正面栅极结构进行栅极切断处理，以在正面栅极结构的两侧形成正面栅极切断结构；在正面层间介质层和正面栅极结构上进行后道工艺处理，以形成正面后道金属互连层。
8、在一些可能的实施方式中，基于一对第二鳍状结构，形成第二半导体结构，包括：在一对第二凹槽、一对第三凹槽中沉积第三介质材料，以形成背面层间介质层；光刻打开第二半导体结构的背面栅极区域，并在背面栅极区域中沉积金属材料，以形成背面栅极结构；对背面栅极结构进行栅极切断处理，以在背面栅极结构的两侧形成背面栅极切断结构；在第一介质层上进行后道工艺处理，以形成背面后道金属互连层。
9、第二方面，本申请实施例提供一种半导体结构，该半导体结构采用如上述实施例所述的方法制备而成，该半导体结构包括：第一半导体结构；第一半导体结构中包括相对设置的第一正面源漏区域和第二正面源漏区域；第一半导体结构中包括一对第一鳍状结构；第二半导体结构；第一半导体结构和第二半导体结构堆叠设置；第二半导体结构中包括相对设置的第一背面源漏区域和第二背面源漏区域；第二半导体结构中包括一对第二鳍状结构；一对过渡层；一对第一鳍状结构、一对中间叠层和一对第二鳍状结构为通过同一道工序形成的；第一电源轨结构；第一电源轨结构位于一对中间叠层的第一牺牲层之间；第二本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构包括堆叠设置的第一半导体结构和第二半导体结构，所述第一半导体结构中包括相对设置的第一正面源漏区域和第二正面源漏区域，所述第二半导体结构中包括相对设置的第一背面源漏区域和第二背面源漏区域；
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述背面金属电连层之后，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述在第一区域沉积预设高度的金属材料，以形成第一电源轨结构之前，所述方法还包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述在第二区域沉积预设高度的金属材料，以形成第二电源轨结构之前，所述方法还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述一对第一鳍状结构，形成所述第一半导体结构，包括：
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述一对第二鳍状结构，形成所述第二半导体结构，包括：
8.一种半导体结构，其特征在于，采用如权利要求1至7任一项所述的方法制备
9.一种半导体器件，其特征在于，包括：如权利要求8所述的半导体结构。
10.一种电子设备，其特征在于，包括：电路板以及如权利要求9所述的半导体器件，所述半导体器件设置于所述电路板。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构包括堆叠设置的第一半导体结构和第二半导体结构，所述第一半导体结构中包括相对设置的第一正面源漏区域和第二正面源漏区域，所述第二半导体结构中包括相对设置的第一背面源漏区域和第二背面源漏区域；
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述背面金属电连层之后，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述在第一区域沉积预设高度的金属材料，以形成第一电源轨结构之前，所述方法还包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述在第二区域沉积...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴恒，卢浩然，彭莞越，王润声，黎明，黄如，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。