【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池，具体涉及一种太阳能电池、电池组件及光伏系统。
技术介绍
1、随着化石燃料的日益衰减，太阳能成为了最为普遍且清洁的可再生能源。其中，太阳能电池是利用光生伏特效应，将光能直接转换为电能的一种器件。太阳能电池主要包括双面太阳能电池和背接触太阳能电池。
2、现有技术中，双面太阳能电池的硅基底一面设置有p区，另一面设置有n区；背接触太阳能电池的背面则同时设置有p区和n区；其中，为了电池钝化效果，双面太阳能电池及背接触太阳能电池的p区设置有第一钝化层、及设于第一钝化层上的p型掺杂层，p区的电极与p型掺杂层接触；双面太阳能电池及背接触太阳能电池的n区设置有第二钝化层、及设于第二钝化层上的n型掺杂层，n区的电极与n型掺杂层接触。然而，常规太阳能电池的p区的第一钝化层和n区的第二钝化层同时制备形成，p区的第一钝化层和n区的第二钝化层电阻相同，而p区的p型掺杂层比n区的n型掺杂层电阻大，使得p型掺杂层导电效果差，导致p区电流传输效果差，电池效率低。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种太阳能电池，旨在解决现有技术的太阳能电池存在p区电流传输效果差，电池效率低的问题。
2、本专利技术是这样实现的，提供一种太阳能电池，包括：
3、硅基底，所述硅基底的表面设有p区、及n区；
4、第一钝化层，位于所述p区并设于所述硅基底表面；
5、第二钝化层，位于所述n区并设于所述硅基底表面；
6、p型掺杂层，设于所述第一钝化层
7、n型掺杂层，设于所述第二钝化层背离所述硅基底的一面；
8、其中，所述第一钝化层的电阻小于所述第二钝化层的电阻。
9、优选的，所述第一钝化层含有p型掺杂剂，所述第二钝化层含有n型掺杂剂，所述第一钝化层的p型掺杂剂的掺杂浓度大于所述第二钝化层的n型掺杂剂的掺杂浓度。
10、优选的，所述第一钝化层的p型掺杂剂的掺杂浓度为1×1019～8×1021atoms/cm3；所述第二钝化层的n型掺杂剂的掺杂浓度为5×1018～5×1021atoms/cm3。
11、优选的，所述第一钝化层的电阻与所述第二钝化层的电阻的比值为0.2～1。
12、优选的，所述第一钝化层及所述第二钝化层均为多孔钝化层，所述第一钝化层的孔洞密度大于所述第二钝化层的孔洞密度。
13、优选的，所述第一钝化层及所述第二钝化层均为多孔钝化层，所述第一钝化层的孔洞平均孔径大于所述第二钝化层的孔洞平均孔径。
14、优选的，所述第一钝化层的厚度小于所述第二钝化层的厚度。
15、优选的，所述第一钝化层的电阻随温度变化的变化率大于所述第二钝化层的电阻随温度变化的变化率。
16、优选的，所述第一钝化层的电阻为200ω～5000ω；所述第二钝化层的电阻为1000ω～25000ω。
17、优选的，所述第一钝化层的接触电阻小于所述第二钝化层的接触电阻。
18、优选的，所述第一钝化层的接触电阻为0.2～5mω·cm2。
19、优选的，所述第二钝化层的接触电阻为1～25mω·cm2
20、优选的，所述第一钝化层的电阻率小于所述第二钝化层的电阻率。
21、优选的，所述第一钝化层的电阻率为500ω·cm～10000ω·cm，所述第二钝化层的电阻率为2000ω·cm～40000ω·cm。
22、优选的，所述n型掺杂层的电阻小于所述p型掺杂层的电阻。
23、优选的，所述第一钝化层的带隙宽度小于所述第二钝化层的带隙宽度。
24、优选的，所述p型掺杂层的带隙宽度小于所述n型掺杂层的带隙宽度。
25、优选的，所述第一钝化层的介电常数小于所述第二钝化层的介电常数。
26、优选的，所述太阳能电池为背接触太阳能电池，所述p区和所述n区位于所述硅基底的同一面。
27、优选的，所述太阳能电池为双面太阳能电池，所述p区和所述n区分别位于所述硅基底的相对两面。
28、本专利技术还提供一种电池组件，包括上述的太阳能电池。
29、本专利技术还提供一种光伏系统，包括上述的电池组件。
30、本专利技术提供的一种太阳能电池通过将第一钝化层的电阻设置成小于第二钝化层的电阻，相比第二钝化层的电阻，通过减小第一钝化层的电阻，可以提升第一钝化层的导电效果，从而提升p区的电流传输效果，实现p区和n区的电流传输效果平衡，可解决传统太阳能电池的p区电流传输效果差的问题，使太阳能电池的p区和n区均达到良好的电流传输效果，从而有效提高电池效率。
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1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层含有P型掺杂剂，所述第二钝化层含有N型掺杂剂，所述第一钝化层的P型掺杂剂的掺杂浓度大于所述第二钝化层的N型掺杂剂的掺杂浓度。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层的P型掺杂剂的掺杂浓度为1×1019～8×1021atoms/cm3；所述第二钝化层的N型掺杂剂的掺杂浓度为5×1018～5×1021atoms/cm3。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层的电阻与所述第二钝化层的电阻的比值为0.2～1。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层及所述第二钝化层均为多孔钝化层，所述第一钝化层的孔洞密度大于所述第二钝化层的孔洞密度。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层及所述第二钝化层均为多孔钝化层，所述第一钝化层的孔洞平均孔径大于所述第二钝化层的孔洞平均孔径。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一
8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层的电阻随温度变化的变化率大于所述第二钝化层的电阻随温度变化的变化率。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层的电阻为200Ω～5000Ω；所述第二钝化层的电阻为1000Ω～25000Ω。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层的接触电阻小于所述第二钝化层的接触电阻。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层的接触电阻为0.2～5mΩ·cm2。
12.根据权利要求10所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二钝化层的接触电阻为1～25mΩ·cm2。
13.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层的电阻率小于所述第二钝化层的电阻率。
14.根据权利要求13所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层的电阻率为500Ω·cm～10000Ω·cm，所述第二钝化层的电阻率为2000Ω·cm～40000Ω·cm。
15.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述N型掺杂层的电阻小于所述P型掺杂层的电阻。
16.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层的带隙宽度小于所述第二钝化层的带隙宽度。
17.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述P型掺杂层的带隙宽度小于所述N型掺杂层的带隙宽度。
18.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层的介电常数小于所述第二钝化层的介电常数。
19.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池为背接触太阳能电池，所述P区和所述N区位于所述硅基底的同一面。
20.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池为双面太阳能电池，所述P区和所述N区分别位于所述硅基底的相对两面。
21.一种电池组件，其特征在于，包括上述权利要求1～20任意一项所述的太阳能电池。
22.一种光伏系统，其特征在于，包括上述权利要求21所述的电池组件。
...【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层含有p型掺杂剂，所述第二钝化层含有n型掺杂剂，所述第一钝化层的p型掺杂剂的掺杂浓度大于所述第二钝化层的n型掺杂剂的掺杂浓度。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层的p型掺杂剂的掺杂浓度为1×1019～8×1021atoms/cm3；所述第二钝化层的n型掺杂剂的掺杂浓度为5×1018～5×1021atoms/cm3。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层的电阻与所述第二钝化层的电阻的比值为0.2～1。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层及所述第二钝化层均为多孔钝化层，所述第一钝化层的孔洞密度大于所述第二钝化层的孔洞密度。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层及所述第二钝化层均为多孔钝化层，所述第一钝化层的孔洞平均孔径大于所述第二钝化层的孔洞平均孔径。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层的厚度小于所述第二钝化层的厚度。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层的电阻随温度变化的变化率大于所述第二钝化层的电阻随温度变化的变化率。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层的电阻为200ω～5000ω；所述第二钝化层的电阻为1000ω～25000ω。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层的接触电阻小于所述第二钝化层的接触电阻。
【专利技术属性】
技术研发人员：杨新强，郑艳，王永谦，陈刚，
申请(专利权)人：浙江爱旭太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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